用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件制造技术

提供一种用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件，其包括绝缘底板、绝缘槽体、绝缘顶盖、样品承载机构及磁场施加机构。绝缘槽体从绝缘底板向上延伸；绝缘顶盖覆盖绝缘槽体，绝缘顶盖设有开口，绝缘顶盖、绝缘槽体及绝缘底板围成收容腔，收容腔用于收容液氮。样品承载机构包括盖板、线缆以及电路板。盖板用于与开口配合，线缆穿过盖板、一端用于电连接霍尔检测仪、另一端连接电路板，电路板用于承载高纯锗单晶方片竖直地伸入到液氮中。磁场施加机构包括第一板体、第二板体、第三板体、设在第一板体的第一磁体及设在第二板体的第二磁体。磁场施加机构用于使第一板体和第二板体分别定位在绝缘槽体的左侧和右侧以及分别定位在绝缘槽体的右侧和左侧。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及锗材料领域，具体地涉及一种用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件。

技术介绍

1、图1是已知的用于高纯锗单晶(纯度为12-13n)霍尔检测的低温检测组件的分解图。图2是图1的组装图。

2、如图1所示，低温检测组件100'包括顶盖1'、底座2'、磁场施加机构3'、两塑料板4'、泡沫材料5'、线缆6'以及电路板7'。

3、顶盖1'具有在上下方向d3贯通的穿孔11'。

4、底座2'为顶部开口、底部和四周封闭的中空结构，底座2'和顶盖1'通过四个拐角处的螺钉(未示出)和对应的通孔可拆装地固定在一起。

5、磁场施加机构3'为u型结构，位于底座2'内，磁场施加机构3'包括磁极相反的沿左右方向d2相对的第一磁体31'和第二磁体32'；

6、两塑料板4'位于底座2'内，两塑料板4'分别相邻第一磁体31'和第二磁体32'且沿左右方向d2分别位于第一磁体31'和第二磁体32'的外侧和底座2'的内壁之间，

7、泡沫材料5'的一部分沿左右方向d2夹持在第一磁体31'和第二磁体32'之间而另一部分沿前后本文档来自技高网...

【技术保护点】

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2.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的低温检测组件，其特征在于，

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【技术特征摘要】

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2.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的低温检测组件，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：顾小英，牛晓东，赵青松，狄聚青，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：新型
国别省市：