用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件制造技术

提供一种用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件，其包括绝缘底板、绝缘槽体、绝缘顶盖、样品承载机构及磁场施加机构。绝缘槽体从绝缘底板向上延伸；绝缘顶盖覆盖绝缘槽体，绝缘顶盖设有开口，绝缘顶盖、绝缘槽体及绝缘底板围成收容腔，收容腔用于收容液氮。样品承载机构包括盖板、线缆以及电路板。盖板用于与开口配合，线缆穿过盖板、一端用于电连接霍尔检测仪、另一端连接电路板，电路板用于承载高纯锗单晶方片竖直地伸入到液氮中。磁场施加机构包括第一板体、第二板体、第三板体、设在第一板体的第一磁体及设在第二板体的第二磁体。磁场施加机构用于使第一板体和第二板体分别定位在绝缘槽体的左侧和右侧以及分别定位在绝缘槽体的右侧和左侧。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及锗材料领域，具体地涉及一种用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件。

技术介绍

1、图1是已知的用于高纯锗单晶(纯度为12-13n)霍尔检测的低温检测组件的分解图。图2是图1的组装图。

2、如图1所示，低温检测组件100'包括顶盖1'、底座2'、磁场施加机构3'、两塑料板4'、泡沫材料5'、线缆6'以及电路板7'。

3、顶盖1'具有在上下方向d3贯通的穿孔11'。

4、底座2'为顶部开口、底部和四周封闭的中空结构，底座2'和顶盖1'通过四个拐角处的螺钉(未示出)和对应的通孔可拆装地固定在一起。

5、磁场施加机构3'为u型结构，位于底座2'内，磁场施加机构3'包括磁极相反的沿左右方向d2相对的第一磁体31'和第二磁体32'；

6、两塑料板4'位于底座2'内，两塑料板4'分别相邻第一磁体31'和第二磁体32'且沿左右方向d2分别位于第一磁体31'和第二磁体32'的外侧和底座2'的内壁之间，

7、泡沫材料5'的一部分沿左右方向d2夹持在第一磁体31'和第二磁体32'之间而另一部分沿前后方向d1夹持在第一磁体31'和第二磁体32'以及两塑料板4'的前后方向d1的一端与底座2'的内壁之间，泡沫材料5'具有容置腔51'，容置腔51'的一部分在上下方向d3上与顶盖1'的穿孔11'对齐。

8、线缆6'的一端用于电连接霍尔检测仪(未示出)，线缆6'的另一端连接内设电路的电路板7'，电路板7'用于固定且电连接高纯锗单晶方片200以及承载高纯锗单晶方片200竖直地伸入到容置腔51'内的液氮中且电路板7'的板面71'面向左右方向d2的一侧。

9、在操作时，先按照图1将磁场施加机构3'、两塑料板4'、泡沫材料5'组装于底座2'，之后将底座2'和顶盖1'通过四个拐角处的螺钉和对应的通孔可拆装地固定在一起，然后通过顶盖1'的穿孔11'注入液氮到泡沫材料5'的容置腔51'中以形成霍尔检测的低温检测环境，接下来将连接好线缆6'的固定、电连接且承载高纯锗单晶方片200的电路板7'竖直地伸入到容置腔51'内的液氮中且电路板7'的板面71'面向左右方向d2的一侧，最后连接线缆6'到霍尔检测仪进行霍尔检测。

10、在图1和图2所示的结构中，当需要更换磁场方向时，需要操作人员提起线缆6'以将电路板7'连同高纯锗单晶方片200移出顶盖1'的穿孔11'，之后将电路板7'左右颠倒以使电路板7'的板面71'面向左右方向d2的另一侧，然后再利用线缆6'将电路板7'连同高纯锗单晶方片200经由顶盖1'的穿孔11'插入到容置腔51'内的液氮中。由于需要取出高纯锗单晶方片200，这样高纯锗单晶方片200会与空气接触，空气中的水分会在高纯锗单晶方片200凝华成冰粒，这样当更换磁场方向之后高纯锗单晶方片200再次进入容置腔51'内的液氮中时，在高纯锗单晶方片200上的凝华的冰粒就会影响液氮的温度，进而影响低温检测结果。

11、在图1和图2所示的结构中，顶盖1'的穿孔11'为敞开结构，通过穿孔11'来添加或补充液氮，在高纯锗单晶方片200于液氮中降温的过程中，液氮会通过穿孔11'向外挥发，向外挥发到一定程度会有存在着使高纯锗单晶方片200与空气接触的风险，故需要不断地补充液氮，但是仅是通过敞开结构穿孔11'直接倒入液氮在操作上不方便。

12、在图1和图2所示的结构中，需要操作人员手持或配置其它夹具夹持线缆6'来保证高纯锗单晶方片200在液氮中的位置稳定性，操作不便。

技术实现思路

1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的目的在于提供一种用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件，其能避免磁场换向将高纯锗单晶方片取出的操作

2、由此，提供一种用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件，低温检测组件包括绝缘底板、绝缘槽体、绝缘顶盖、样品承载机构以及磁场施加机构。绝缘底板沿前后方向和左右方向延伸；绝缘槽体从绝缘底板向上延伸；绝缘顶盖从上方覆盖绝缘槽体，绝缘顶盖设有沿上下方向贯通的开口，绝缘顶盖、绝缘槽体以及绝缘底板围成收容腔，收容腔用于收容液氮。样品承载机构包括盖板、线缆以及电路板。盖板用于与绝缘顶盖的开口配合以封闭绝缘槽体，线缆沿上下方向穿过盖板，线缆的一端用于电连接霍尔检测仪，线缆的另一端连接内设电路的电路板，电路板用于固定且电连接高纯锗单晶方片以及承载高纯锗单晶方片竖直地伸入到收容腔内的液氮中且电路板的板面面向左右方向的一侧。磁场施加机构包括第一板体、第二板体、第三板体、第一磁体以及第二磁体。第一板体和第二板体在左右方向上相对并间隔开大于绝缘槽体的在左右方向上的宽度，第三板体连接第一板体和第二板体的前后方向的同一侧以使第一板体、第三板体和第二板体形成u型，第一磁体设置在第一板体的面对第二板体表面，第二磁体设置在第二板体的面对第一板体的表面，第一磁体和第二磁体的磁极相反。磁场施加机构用于使第一板体和第二板体分别定位在绝缘槽体的左侧和右侧以对收容腔内的处于液氮中的由电路板承载的高纯锗单晶方片施加第一磁场以及使第一板体和第二板体分别定位在绝缘槽体的右侧和左侧以对收容腔内的处于液氮中的由电路板承载的高纯锗单晶方片施加第二磁场，第一磁场与第二磁场相反。

3、本公开的有益效果如下。

4、在本公开的低温检测组件中，由于磁场施加机构能够使第一板体和第二板体分别定位在绝缘槽体的左侧和右侧以及能够使第一板体和第二板体分别定位在绝缘槽体的右侧和左侧，从而实现相反的第一磁场与第二磁场，即磁场换向，而无需从收容腔内的液氮中将由电路板承载的高纯锗单晶方片取出，这样就避免了
技术介绍
中磁场换向将高纯锗单晶方片取出的操作，进而避免高纯锗单晶方片与空气接触，也不存空气中的水分在高纯锗单晶方片凝华成冰粒，避免
技术介绍
中的在高纯锗单晶方片上的凝华的冰粒影响液氮的温度，从而保证了低温检测结果。

5、在本公开的低温检测组件中，由于盖板用于与绝缘顶盖的开口配合以封闭绝缘槽体，故盖板将收容腔与外部环境隔离，有效地减少了液氮的挥发。

6、在本公开的低温检测组件中，线缆固定于盖板而盖板用于与绝缘顶盖的开口配合以封闭绝缘槽体，由此，当盖板与绝缘顶盖的开口配合以封闭绝缘槽体时，由电路板固定且电连接的高纯锗单晶方片就能够稳定地保持在收容腔内的液氮中，同时提高了定位线缆的简便性。

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【技术保护点】

1.一种用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的低温检测组件，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的低温检测组件，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的低温检测组件，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种用于高纯锗单晶霍尔检测的低温检测组件，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的低温检测组件，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的低温检测组件，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：顾小英，牛晓东，赵青松，狄聚青，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：新型
国别省市：