封装结构制造技术

本申请的一些实施例提供了一种封装结构，其特征在于，包括：基板；片上系统以及第一集成电路和第二集成电路，其中，第一集成电路为电子集成电路和光子集成电路中的一个，第二集成电路为电子集成电路和光子集成电路中的另一个，并且其中，第一集成电路与片上系统并排设置在基板的一侧，第二集成电路设置在基板与片上系统和第一集成电路之间并且桥接片上系统与第一集成电路，并且其中，第二集成电路具有分别电连接基板与片上系统和第一集成电路的通孔；以及模封层，模封第二集成电路。本申请通过使用具有通孔的第二集成电路桥接片上系统与第一集成电路，提供了片上系统、第一集成电路与基板之间的垂直导通路径，以更有效率地传递讯号。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及封装结构。

技术介绍

1、对于目前的光电混合封装(co package)架构10，参见图1，多以中介层16作为连接板，设置在基板11上方的片上系统(system on a chip,soc)14、电子集成电路(eic)12和光子集成电路(pic)13通过再分布层(rdl)18进行连接(其中，光纤(fau)连接在光子集成电路(pic)13的顶部上)，使得结构厚度较厚，并且对于现有的光电混合封装架构10，需要制作多种凸块17(诸如微凸块、可控塌陷芯片连接c4凸块等)，导致制程复杂并且成本高，另外光子集成电路(pic)13需通过中介层16→rdl 18→eic 12→rdl 18进行供电，路径较长导致损耗严重。具体地，对于现有的光电混合封装(co package)架构10，相应的性能如下：

2、性能(performance)：管芯(诸如片上系统(soc)14、电子集成电路(eic)12和光子集成电路(pic)13等)与管芯之间的连接距离较长，soc 14→eic 12→ic 13的路径需要经过四次的转换(即，soc 14→rdl 1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电容器具有电连接所述基板与所述片上系统的通孔。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电容器在垂直方向上由所述片上系统完全覆盖。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二集成电路包括朝向所述片上系统与所述第一集成电路的有源面。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括，微凸块，接触所述第二集成电路的有源面。

7.根据权利要求6所述的封装结...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电容器具有电连接所述基板与所述片上系统的通孔。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电容器在垂直方向上由所述片上系统完全覆盖。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二集成电路包括朝向所述片上系统与所述第一集成电路的有源面。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括，微凸块，接触所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政廷，陈海明，林弘毅，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：