【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片，特别是涉及一种优化折射率的波导结构及其制作方法。
技术介绍
1、一般来说，膜层掺杂导致膜层之间掺杂元素互相渗透，导致膜层分界处的折射率差不明显，影响波导传输损耗及相关指标。由于膜层中掺杂元素主要是调整膜层折射率、应力等相关指标。如果膜层分界处的元素互相渗透，有可能影响膜层分界处的折射率。
2、现有技术中心波导结构的制作方法主要是：首先在基底上沉积二氧化硅薄膜，作为二氧化硅下包层；然后再采用pecvd工艺，在下包层上沉积掺杂锗的二氧化硅薄膜，作为波导芯层，获得需要的折射率差；再进行光刻、刻蚀等工艺形成带图形的波导芯层。其中波导侧壁要求垂直且光滑，否则将劣化波导的传输特性。然后去掉波导上残留的光刻胶。再在所述波导芯层上方沉积掺杂有锗、磷和硼的二氧化硅，作为上包层，其中，为了确保各膜层中掺杂的元素均匀，进而确保膜层的各位置折射率一致，并使膜层形貌更加平坦，膜层应力得到充分的释放，还会在制作相应膜层结束后对膜层进行退火处理。
3、在进行退火处理时，相邻膜层之间所掺杂的元素可能会相互渗透，引起各膜...
【技术保护点】
1.一种优化折射率的波导结构，其特征在于，包括下包层(1)、波导芯层(2)、缓冲层(3)和上包层(4)；
2.根据权利要求1所述的优化折射率的波导结构，其特征在于，当所述上包层(4)的厚度大于等于9nm且小于等于15nm时，所述缓冲层(3)的厚度大于等于0.1um且所述缓冲层(3)的厚度小于等于0.5um。
3.根据权利要求1所述的优化折射率的波导结构，其特征在于，所述缓冲层(3)的主要材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的优化折射率的波导结构，其特征在于，所述上包层(4)的主要材料为二氧化硅，且所述上包层(4)中掺杂有锗元素、...
【技术特征摘要】
1.一种优化折射率的波导结构，其特征在于，包括下包层(1)、波导芯层(2)、缓冲层(3)和上包层(4)；
2.根据权利要求1所述的优化折射率的波导结构，其特征在于，当所述上包层(4)的厚度大于等于9nm且小于等于15nm时，所述缓冲层(3)的厚度大于等于0.1um且所述缓冲层(3)的厚度小于等于0.5um。
3.根据权利要求1所述的优化折射率的波导结构，其特征在于，所述缓冲层(3)的主要材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的优化折射率的波导结构，其特征在于，所述上包层(4)的主要材料为二氧化硅，且所述上包层(4)中掺杂有锗元素、硼元素和磷元素中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的优化折射率的波导结构，其特征在于，所述波导芯层(2)表面刻蚀有芯层波导结构，所述缓冲层(3)沉积于所述芯层波导结构表面；
6.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵明璐，李迪，吴凡，罗勇，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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