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本发明涉及半导体芯片技术领域，提供了一种优化折射率的波导结构及其制作方法。其中一种优化折射率的波导结构，包括下包层、波导芯层、缓冲层和上包层；所述缓冲层用于在对所述上包层进行退火时，为上包层中的掺杂元素和波导芯层中的掺杂元素提供渗透的区间，...
该专利属于武汉光迅科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光迅科技股份有限公司授权不得商用。

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