用于化学机械研磨的研磨头以及使用研磨头的研磨方法技术

提出用于化学机械研磨的研磨头以及使用研磨头的研磨方法。根据本发明专利技术实施例，一种用于化学机械研磨的研磨头包括：研磨部，所述研磨部包括第一研磨表面；研磨销，所述研磨销嵌在所述研磨部中，并且包括第二研磨表面；驱动装置，所述驱动装置连接至所述研磨销，并且能够驱动所述研磨销，使得在对晶圆进行研磨的过程中，所述研磨销的第二研磨表面对晶圆产生的压力比所述研磨部的第一研磨表面对晶圆产生的压力大。根据本发明专利技术实施例，一种使用研磨头的研磨方法包括使研磨表面平齐，使晶圆与其接触并开始研磨，在研磨过程中对研磨销进行驱动。根据本发明专利技术的实施例，能够缓解或消除化学机械研磨过程中出现的不均匀现象，并且改善针对晶圆的整体研磨质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的，特别是涉及用于晶圆研发和生产的研磨头以及使用研磨头的研磨方法。

技术介绍

1、晶圆制造过程主要包括若干相互独立的工艺流程，例如：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械研磨、金属化等等。作为晶圆制造的关键制程工艺之一，化学机械研磨(chemical mechanical polishing，cmp)指的是，通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的去除与全局均匀平坦化。

2、目前集成电路普遍采用多层立体布线，集成电路制造过程中需要进行多层循环，需要通过cmp工艺实现晶圆表面的平坦化。除了集成电路制造之外，cmp工艺还可以用于硅片制造环节与先进封装领域。

3、随着技术水平的不断发展，晶圆薄膜(例如3d nand晶圆薄膜)的层数不断增加，厚度也同时增大，cmp工艺开始出现局部研磨不均匀的现象。

4、图1是示出根据相关技术的利用研磨头进行cmp工艺之后的晶圆厚度的示意图。在图1中，横坐标表示从晶圆中心到周边的若干量测点(相邻量测点之间的距离为15mm)，纵坐标表示在特定量测点本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，所述研磨头包括：

2.根据权利要求1所述的用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，在研磨过程中，所述研磨销的第二研磨表面与所述研磨部的第一研磨表面平齐。

3.根据权利要求1所述的用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，所述研磨部包括彼此隔开的多个研磨区。

4.根据权利要求3所述的用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，所述驱动装置连接至所述研磨部，并且为不同的研磨区提供不同的驱动量。

5.根据权利要求4所述的用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，所述驱动装置为气泵，并且通过单独的气体管路连接至所述研磨...

【技术特征摘要】

1.一种用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，所述研磨头包括：

2.根据权利要求1所述的用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，在研磨过程中，所述研磨销的第二研磨表面与所述研磨部的第一研磨表面平齐。

3.根据权利要求1所述的用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，所述研磨部包括彼此隔开的多个研磨区。

4.根据权利要求3所述的用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，所述驱动装置连接至所述研磨部，并且为不同的研磨区提供不同的驱动量。

5.根据权利要求4所述的用于化学机械研磨的研磨头，其特征在于，所述驱动装置为气泵，并且通过单独的气体管路连接至所述研磨部的每一个研磨区。

6.根据权利要求5所述的用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅晓熙，刘志达，
申请(专利权)人：英特尔NDTM美国有限公司，
类型：发明
国别省市：