System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示装置制造方法及图纸_技高网

显示装置制造方法及图纸

技术编号:40608105 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-12 22:15
显示装置包括:基板;像素电路层,设置在基板上并且包括薄膜晶体管;第一像素电极,设置在像素电路层上,并且包括第一下层、第一中间层和第一上层;第二像素电极,设置在像素电路层上,并且包括第二下层、第二中间层和第二上层;对电极,设置在第一像素电极和第二像素电极上;第一发射层,设置在第一像素电极与对电极之间;以及第二发射层,设置在第二像素电极与对电极之间,其中,第一上层的厚度大于第二上层的厚度,并且第一上层包括非晶体金属材料。

【技术实现步骤摘要】

一个或多个实施例涉及显示装置和制造显示装置的方法。


技术介绍

1、显示装置可视地显示数据。显示装置被用作诸如移动电话的小型产品或诸如电视的大型产品的显示部分。

2、显示装置通常包括接收电信号并且发射光的多个像素以向外部显示图像。每个像素可以包括发光元件。例如,有机发光显示装置可以包括有机发光二极管(oled)作为发光元件。通常,有机发光显示装置包括形成在基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管,并且根据自身发射光的有机发光二极管操作。

3、由于显示装置的用途近来已经多样化,已经尝试了各种用于设计具有提高的质量的显示装置的尝试。


技术实现思路

1、一个或多个实施例包括具有提高的可靠性的显示装置。一个或多个实施例包括由于工艺简化而具有降低的制造成本的制造显示装置的方法。

2、根据一个或多个实施例,显示装置包括:基板;像素电路层,设置在基板上并且包括薄膜晶体管;第一像素电极,设置在像素电路层上,并且包括第一下层、第一中间层和第一上层;第二像素电极,设置在像素电路层上,并且包括第二下层、第二中间层和第二上层;对电极,设置在第一像素电极和第二像素电极上;第一发射层,设置在第一像素电极与对电极之间;以及第二发射层,设置在第二像素电极与对电极之间,其中,第一上层的厚度大于第二上层的厚度,并且第一上层包括非晶体金属材料。

3、在实施例中,非晶体金属材料可以包括掺杂锌的氧化铟锡(掺杂zn的ito)。

4、在实施例中,在掺杂zn的ito中,锡(sn)的原子比可以在大约15原子百分比(at%)至大约25at%的范围内,并且铟(in)与锌(zn)的组成比可以是大约1:1。

5、在实施例中,非晶体金属材料可以在250℃或更低的温度下具有非晶态。

6、在实施例中,第二上层可以包括与第一上层的材料相同的材料,并且第二下层可以包括与第一下层的材料相同的材料。

7、在实施例中,第一下层可以包括非晶体金属材料。

8、在实施例中,第一上层的厚度可以大于第一下层的厚度。

9、在实施例中,第一下层的厚度可以等于第二下层的厚度。

10、在实施例中,第一上层的厚度可以在大约至大约的范围内。

11、在实施例中,第一下层的厚度可以在大约至大约的范围内。

12、在实施例中,第二上层的厚度可以在大约至大约的范围内。

13、根据一个或多个实施例,显示装置包括:基板;像素电路层,设置在基板上并且包括薄膜晶体管;第一像素电极和第二像素电极,设置在像素电路层上,其中,第一像素电极具有第一厚度并且第二像素电极具有小于第一厚度的第二厚度;对电极,在第一像素电极和第二像素电极上;第一发射层,设置在第一像素电极与对电极之间;以及第二发射层,设置在第二像素电极与对电极之间,其中,第一像素电极和第二像素电极中的每一个包括非晶体金属材料。

14、在实施例中,非晶体金属材料可以包括掺杂zn的ito。

15、在实施例中,在掺杂zn的ito中,锡(sn)的原子比可以在大约15at%至大约25at%的范围内,并且铟(in)与锌(zn)的组成比可以是大约1:1。

16、在实施例中,第一像素电极和第二像素电极中的每一个可以包括下层、设置在下层上并包括银(ag)的中间层以及设置在中间层上并包括非晶体金属材料的上层。

17、在实施例中,第一像素电极的上层的厚度可以大于第二像素电极的上层的厚度。

18、根据一个或多个实施例,制造显示装置的方法包括:在基板上形成下导电层,在下导电层上形成中间导电层,并且在中间导电层上形成上导电层,其中,上导电层比下导电层厚;在上导电层上形成第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案,其中,第二光致抗蚀剂图案具有小于第一光致抗蚀剂图案的厚度的厚度;通过使用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻下导电层、中间导电层和上导电层来形成第一像素电极和初步像素电极,其中,第一像素电极包括由下导电层的一部分限定的第一下层、由中间导电层的一部分限定的第一中间层以及由上导电层的一部分限定的第一上层,并且初步像素电极包括由下导电层的一部分限定的第二下层、由中间导电层的一部分限定的第二中间层以及由上导电层的一部分限定的初步上层;去除第一光致抗蚀剂图案的局部部分和第二光致抗蚀剂图案的整个部分;通过部分蚀刻初步像素电极的初步上层来形成第二像素电极;以及去除第一光致抗蚀剂图案的剩余部分。

19、在实施例中,上导电层可以包括非晶体金属材料。

20、在实施例中,上导电层可以包括掺杂zn的ito。

21、在实施例中,在掺杂zn的ito中,锡(sn)的原子比可以在大约15at%至大约25at%的范围内,并且铟(in)与锌(zn)的组成比可以是大约1:1。

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【技术保护点】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非晶体金属材料包括掺杂锌的氧化铟锡。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,在所述掺杂锌的氧化铟锡中,锡的原子比在15at%至25at%的范围内,并且铟与锌的组成比是1:1。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非晶体金属材料在250℃或更低的温度下具有非晶态。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一下层包括所述非晶体金属材料。

7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一上层的所述厚度大于所述第一下层的厚度。

8.一种显示装置,包括:

9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述非晶体金属材料包括掺杂锌的氧化铟锡。

10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,在所述掺杂锌的氧化铟锡中,锡的原子比在15at%至25at%的范围内,并且铟与锌的组成比是1:1。

【技术特征摘要】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非晶体金属材料包括掺杂锌的氧化铟锡。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,在所述掺杂锌的氧化铟锡中,锡的原子比在15at%至25at%的范围内,并且铟与锌的组成比是1:1。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非晶体金属材料在250℃或更低的温度下具有非晶态。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴俊龙申铉亿李周炫郑镕彬
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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