【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种半导体元件，特别涉及一种具有埋入式栅极结构的半导体元件。
技术介绍
1、半导体元件在现代许多的应用中是不可或缺的。随着电子技术的发展，半导体元件在尺寸越来越小的同时，提供更多的功能并且包括更多的集成电路。由于半导体元件的微型化，在单个模块中可以整合并封装具有不同功能的各种类型与尺寸的半导体元件。此外，为了整合各种类型的半导体元件，在制备过程更实施了许多制造的操作。
2、然而，半导体元件的制备及整合涉及许多复杂的步骤及操作，使得半导体元件的整合变得越来越复杂。半导体元件制备及整合复杂性的增加将可能导致缺陷。因此，需要不断改进半导体元件的工艺，以便解决这些问题。
3、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
1、在本公开的一个实施例中，提供一种半导体元件。该半导体元件包括设置于一半导体基底中的一第一埋入式栅极结构...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一埋入式栅极结构具有一第一宽度，该第二埋入式栅极结构具有一第二宽度，且该第二宽度大于该第一宽度。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一下层半导体层与该第一上层半导体层形成一平面界面。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一下层半导体层及该第二下层半导体层包括多晶硅或硅锗，而该第一上层半导体层及该第二上层半导体层包括锗。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二栅极介电层的该顶面被该第二下层半导体层覆盖。
6.如权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一埋入式栅极结构具有一第一宽度，该第二埋入式栅极结构具有一第二宽度，且该第二宽度大于该第一宽度。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一下层半导体层与该第一上层半导体层形成一平面界面。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一下层半导体层及该第二下层半导体层包括多晶硅或硅锗，而该第一上层半导体层及该第二上层半导体层包括锗。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二栅极介电层的该顶面被该第二下层半导体层覆盖。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第三埋入式栅极结构包括：
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一埋入式栅极结构具有一第一宽度，该第三埋入式栅极结构具有一第三宽度，且该第三宽度大于该第一宽度。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一埋入式栅极结构设置于一阵列区中，而该第二埋入式栅极结构及该第三埋入式...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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