【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电源技术，特别是涉及一种防浪涌电源拓扑电路。
技术介绍
1、笔记本电脑电源适配器目前朝着小型化大功率的趋势发展，客户对适配器的电气特性要求越来越高，其中包含对浪涌抑制能力的要求，由于体积和成本的限制只能采用一些简单的方法实现浪涌抑制。其中浪涌设计的难点包括开机瞬间的浪涌(inrush)电流抑制、以及雷击浪涌(lightning surge)的抑制。本专利技术主要针对的是雷击浪涌的抑制。
2、对于功率大于75w的电源一般采用“pfc(功率因数校正)+flyback(反激)”拓扑，其拓扑如图1所示。厂商对于雷击浪涌的要求一般为1200v，传统的雷击浪涌抑制方法是通过在π型滤波器(例如由电感l’、电容c1’和c2’组成)前增加一颗二极管d1’到电容c0’以解决雷击浪涌问题。当雷击浪涌发生时，雷击浪涌能量首先被电容c1’吸收，当电容c1’的电压高于电容c0’的电压时，二极管d1’导通并将电容c1’的能量泄放到电容c0’，但一部分能量仍然会传到电容c2’，导致电容c2’的电压偏高，引起开关管电压应力过高，可能导致开关管损坏，对开关管的耐压要求高。
3、另外，随着部分厂商对电源适配器电气特性要求越来越高，部分厂商要求电源适配器具有2500v的雷击浪涌抑制能力，但由于传统的雷击浪涌抑制方法只有一颗二极管d1’，只能实现1200v的雷击浪涌抑制能力，对于更高电压等级的雷击无法实现可靠保护，故往往需要搭配一颗压敏电阻(metal oxide varistors，mov)实现保护，但是用mov作为雷击浪涌抑
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种防浪涌电源拓扑电路，可以有效解决现有技术的至少一缺陷。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供一种防浪涌电源拓扑电路，所述防浪涌电源拓扑电路包括一升压(boost)型功率因数校正(power factor correction，pfc)回路，所述升压型功率因数校正回路包括一第一开关元件、一第一电感、一主二极管以及一主电容，其中，所述防浪涌电源拓扑电路还包括一浪涌泄放回路，所述浪涌泄放回路包括一π型滤波器、一第一钳位二极管以及一第二钳位二极管；所述π型滤波器包含电性耦接于一第一节点和一第二节点之间的一差模电感、电性耦接于所述第一节点的一第一滤波电容、以及电性耦接于所述第二节点的一第二滤波电容，且所述第二节点电性耦接于所述第一电感的一第一端，所述第一电感的所述第一端为所述升压型功率因数校正回路的能量输入端；所述第一钳位二极管的正极电性耦接于所述第一节点，所述第一钳位二极管的负极电性耦接于所述主二极管的负极以及所述主电容的第一端；所述第二钳位二极管的正极电性耦接于所述第二节点，所述第二钳位二极管的负极电性耦接于所述主二极管的所述负极以及所述主电容的所述第一端；其中，在浪涌发生时，通过所述第二钳位二极管能够将所述第二节点的电压钳位至一第一电压。
3、在本专利技术的一实施例中，所述第一电压小于等于所述第一开关元件的额定电压。
4、在本专利技术的一实施例中，所述第一滤波电容的电容值小于所述第二滤波电容的电容值；其中，在浪涌发生时，当所述第一节点的电压超过所述第一电压时，所述第一钳位二极管导通，将所述第一节点的电压钳位至所述第一电压；当所述第二节点的电压超过所述第一电压时，所述第二钳位二极管导通，将所述第二节点的电压钳位至所述第一电压。
5、在本专利技术的一实施例中，所述第一电压为350v～450v。
6、在本专利技术的一实施例中，所述第一滤波电容的电容值大于所述第二滤波电容的电容值，且在所述主电容的所述第一端与所述第一钳位二极管之间串联连接一瞬态二极管；其中，在浪涌发生时，所述第一钳位二极管导通，将所述第一节点的电压钳位至一第二电压，其中所述第二电压大于所述第一电压且小于等于所述第一开关元件的额定电压；当所述第二节点的电压超过所述第一电压时，所述第二钳位二极管导通，将所述第二节点的电压钳位至所述第一电压。
7、在本专利技术的一实施例中，所述第一电压为350v～450v，所述第二电压为550v～650v；和/或，所述瞬态二极管为单向瞬态二极管或双向瞬态二极管。
8、在本专利技术的一实施例中，所述第一滤波电容的电容值为0.1μf～1μf；所述第二滤波电容的电容值为0.47μf～2.2μf。
9、在本专利技术的一实施例中，所述第一滤波电容的电容值为0.1μf～1μf，所述第二滤波电容的电容值为1μf～2.2μf。
10、在本专利技术的一实施例中，所述第一滤波电容的电容值为0.47μf～1μf，所述第二滤波电容的电容值为0.47μf～1μf。
11、本专利技术通过在π型滤波器的差模电感前后各加一颗二极管，相比于传统的雷击浪涌抑制方法(即采用单颗二极管的方案)，本专利技术能有效分散雷击能量，并有效提高雷击浪涌抑制能力，例如可将电源适配器的雷击浪涌抑制能力由1200v提升到2500v，且方法安全可靠。
12、本专利技术的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本专利技术的实践而习得。
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1.一种防浪涌电源拓扑电路，所述防浪涌电源拓扑电路包括一升压型功率因数校正回路，所述升压型功率因数校正回路包括一第一开关元件、一第一电感、一主二极管以及一主电容，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，所述第一滤波电容的电容值小于所述第二滤波电容的电容值；其中，在浪涌发生时，
4.根据权利要求3所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，所述第一滤波电容的电容值大于所述第二滤波电容的电容值，且在所述主电容的所述第一端与所述第一钳位二极管之间串联连接一瞬态二极管；其中，在浪涌发生时，
6.根据权利要求5所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，
8.根据权利要求3所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，
9.根据权利要求5所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种防浪涌电源拓扑电路，所述防浪涌电源拓扑电路包括一升压型功率因数校正回路，所述升压型功率因数校正回路包括一第一开关元件、一第一电感、一主二极管以及一主电容，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，所述第一滤波电容的电容值小于所述第二滤波电容的电容值；其中，在浪涌发生时，
4.根据权利要求3所述的防浪涌电源拓扑电路，其特征在于，
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克华，许道飞，张海涛，
申请(专利权)人：台达电子企业管理上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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