【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制备，尤其涉及一种金刚石半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、氮化镓作为第三代半导体材料，具备优异的性能和广泛的应用前景，氮化镓作为一种新型材料，具备了较高的能隙和热温度性，受到了广泛的关注。但是由于基底散热的限制，但是了氮化镓器件的性能不能有效的发挥出来，限制了氮化镓功率器件的性能。
2、金刚石具有很好的散热性能，因此在金刚石上生产氮化镓器件成为了比较多的采用方式，但是现在这种方式还存在着一些缺陷，如剥离困难，最终生产成本较高的问题。
技术实现思路
1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供一种金刚石半导体器件的制备方法，有效的解决现在生产方法生产成本较高的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案为：一种金刚石半导体器件的制备方法，包括如下步骤：
3、s1，制备衬底；
4、s2，在衬底上制备介质层；
5、s3，在介质层上生长外延层；
6、s4，在外延层上沉积多晶金刚石层；
7、s5，将外延层和介质层剥离，将衬底回收；
8、s6，在外延层上依次沉积电极层和帽层。
9、优选的，所述衬底包括单晶硅衬底、蓝宝石衬底和碳化硅衬底。
10、优选的，所述介质层为石墨烯或六方氮化硼。
11、优选的，所述介质层通过干法转移、湿法转移、化学气相沉积、物理气相沉积或原位化学反应的一种或多种生长在衬底上。
12、优选的，在
13、优选的，所述外延层为inaln、inalgan和algan中的一种或一种以上的任意组合。
14、优选的，在所述步骤4中，利用微波等离子体化学气相沉淀法沉积多晶金刚石层。
15、优选的，在所述步骤5中的剥离方法包括通过胶带辅助的机械剥离、超声辅助液相剥离和气相剥离。
16、本专利技术与现有技术相比具有如下益处：1）通过在衬底上沉积介质层，在介质层上生长外延层，在外延层上沉积多晶金刚石层，将外延层和衬底之间的介质层剥离后，回收衬底，然后再沉积电极层和帽层，整个制备方法简单、高效，成本低；2）介质层外延生长打破晶格限制，能够得到更高品质的晶格；3）介质层易于剥离，可得到完成整的金刚石-外延层自支撑结构以及完成的衬底，衬底可以重复利用，降低了制备成本。
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1.一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，所述衬底包括单晶硅衬底、蓝宝石衬底和碳化硅衬底。
3.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层为石墨烯或六方氮化硼。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层通过干法转移、湿法转移、化学气相沉积、物理气相沉积或原位化学反应的一种或多种生长在衬底上。
5.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤3中，利用金属有机化学气相沉积法在介质层上生长外延层。
6.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，所述外延层为InAlN、InAlGaN和AlGaN中的一种或一种以上的任意组合。
7.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤4中，利用微波等离子体化学气相沉淀法沉积多晶金刚石层。
8.根据权利要求1所述的一种金刚石半导
...【技术特征摘要】
1.一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，所述衬底包括单晶硅衬底、蓝宝石衬底和碳化硅衬底。
3.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层为石墨烯或六方氮化硼。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层通过干法转移、湿法转移、化学气相沉积、物理气相沉积或原位化学反应的一种或多种生长在衬底上。
5.根据权利要求1所述的一种金刚石半导体器件的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯树立，陈奎，万安娃，
申请(专利权)人：河南鸿泰钻石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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