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一种金刚石半导体器件的制备方法，解决现在生产方法生产成本较高的问题。其包括如下步骤：S1，制备衬底；S2，在衬底上制备介质层；S3，在介质层上生长外延层；S4，在外延层上沉积多晶金刚石层；S5，将外延层和介质层剥离，将衬底回收；S6，在外延...
该专利属于河南鸿泰钻石科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南鸿泰钻石科技有限公司授权不得商用。

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