【技术实现步骤摘要】
本申请涉及玻璃，具体涉及一种改性玻璃、制备方法及电子设备。
技术介绍
1、随着电子设备具备的功能逐渐增加，电子设备被用户使用的频率也越来越高。电池后盖为电子设备的主要组成部分，电池后盖通常采用玻璃制成。
2、在用户使用电子设备的过程中，电池后盖不可避免的会与异物(钥匙、桌面等)摩擦而出现划痕，或者电子设备不慎从高处摔落造成电池后盖外观损坏，严重的甚至会导致电子设备无法正常使用。当前用于制备电池后盖的玻璃的抗划伤和抗跌落性能较差，难以满足使用需求。
技术实现思路
1、本申请提供了一种改性玻璃，以解决无法从根本上提高玻璃的抗划伤和抗跌落性能的问题。
2、第一方面，本申请提供了一种改性玻璃，改性玻璃的原料包括玻璃原料和包含n元素的改性剂，玻璃原料包括sio2。
3、这样，引入n3-到改性玻璃，加大改性玻璃中的内部结构单元的堆积密度，提高玻璃的机械性能，从根本上提高玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
4、在一种实现方式中，改性剂包括包含n3-的改性剂。
5、这样，将n3-引入到改性玻璃中，可以提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
6、在一种实现方式中，改性剂包括aln、bn和si3n4的至少一种。
7、这样，通过上述改性剂可以将n3-引入到改性玻璃中，从根本上提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
8、在一种实现方式中，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜aln≤8％。
9、这样，可以保证制备得到改
10、在一种实现方式中，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜bn≤10％。
11、这样，玻璃原料可以熔制，最终制备得到改性玻璃的同时，还能从根本上提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
12、在一种实现方式中，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜si3n4≤6％。
13、这样，可以保证制备得到改性玻璃的同时，还能从根本上提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
14、在一种实现方式中，改性剂包括包含n元素的改性气体。
15、这样，将n3-引入到改性玻璃中，可以提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
16、在一种实现方式中，改性剂包括n2和nh3的至少一种。
17、这样，将n3-引入到改性玻璃中，可以提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
18、第二方面，本申请提供了一种改性玻璃的制备方法，包括：
19、取改性玻璃所需原料进行混合均匀，得到粉末混合物；
20、将粉末混合物在第一预设环境条件下熔制，得到玻璃液，其中第一预设环境条件包括真空环境、惰性气体环境或者还原性气体环境；
21、将玻璃液浇筑到已预热的模具中成型，得到玻璃成型体；
22、将玻璃成型体进行退火处理，得到改性玻璃。
23、这样，利用上述方法制备的改性玻璃中引入n3-，从根本上提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
24、在一种实现方式中，以氧化物基准的摩尔百分比表示，原料包括：
25、
26、改性剂x％，x大于0。
27、在一种实现方式中，包括：
28、取改性玻璃所需原料进行混合均匀，得到粉末混合物；
29、将粉末混合物在第一预设环境条件下且在1450-1550℃下熔制1-3h，得到玻璃液；
30、将玻璃液浇筑到预热温度为300-500℃的模具中成型，得到玻璃成型体；
31、将玻璃成型体在第二预设环境条件下且在450-600℃下进行退火12-24h，其中第二预设环境条件包括真空环境、惰性气体环境或者还原性气体环境，第一预设环境条件与第二预设环境条件相同或者不同。
32、这样，利用上述方法制备的改性玻璃中引入n3-，从根本上提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
33、在一种实现方式中，惰性气体包括n2、he和ar中的至少一种。
34、这样，惰性气体可以保证n3-不能被氧化，使得改性玻璃顺利制得。
35、在一种实现方式中，还原性气体包括h2、co、第一组合气体、第二组合气体和第三组合气体中的至少一种，其中第一组合气体包括n2和h2，第二组合气体包括he和h2，第三组合气体包括h2和ar。
36、这样，还原性气体可以保证n3-不能被氧化，使得改性玻璃顺利制得。
37、在一种实现方式中，当原料包括碳酸盐时，将粉末混合物在第一预设环境条件下熔制，得到玻璃液的步骤包括：
38、将粉末混合物在第三预设环境条件下预烧，得到预烧后的混合物，其中第三预设环境条件包括真空环境、惰性气体环境或者还原性气体环境，预烧的温度低于熔制的温度，第三预设环境条件与第一预设环境条件相同或者不同；
39、将预烧后的混合物在第一预设环境条件下熔制，得到玻璃液。
40、这样，在熔制步骤前可将碳酸盐提前分解，释放co2，避免出现溢流的情况。
41、在一种实现方式中，在将玻璃液浇筑到已预热的模具中成型，得到玻璃成型体之前，方法还包括：将玻璃液澄清。
42、这样，将玻璃液进行澄清，使得玻璃液中的气泡消除。
43、第三方面，本申请提供了一种改性玻璃的制备方法，包括：
44、取改性玻璃所需原料；
45、利用玻璃原料制备初始玻璃；
46、在改性剂作为气氛下对初始玻璃进行处理，得到改性玻璃。
47、这样，将改性剂作为气氛，对初始玻璃进行处理，将n3-引入到改性玻璃，从根本上提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
48、在一种实现方式中，以氧化物基准的摩尔百分比表示，原料包括：
49、
50、改性剂。
51、在一种实现方式中，在改性剂作为气氛下对初始玻璃进行处理，得到改性玻璃的步骤包括：
52、将初始玻璃在550-750℃并处于改性剂作为气氛下反应8-24h，得到改性玻璃。
53、这样，以将n3-引入到改性玻璃中，提高改性玻璃的抗划伤和抗跌落性能。
54、第四方面，本申请提供了一种改性玻璃在电子设备中的应用。
55、第五方面，本申请提供了一种电子设备，包括电池后盖，电池后盖采用改性玻璃。
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1.一种改性玻璃，其特征在于，所述改性玻璃的原料包括玻璃原料和包含N元素的改性剂，所述玻璃原料包括SiO2。
2.根据权利要求1所述的改性玻璃，其特征在于，所述改性剂包括包含N3-的改性剂。
3.根据权利要求2所述的改性玻璃，其特征在于，所述改性剂包括AlN、BN和Si3N4的至少一种。
4.根据权利要求3所述的改性玻璃，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜AlN≤8％。
5.根据权利要求3所述的改性玻璃，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜BN≤10％。
6.根据权利要求3所述的改性玻璃，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜Si3N4≤6％。
7.根据权利要求1所述的改性玻璃，其特征在于，所述改性剂包括包含N元素的改性气体。
8.根据权利要求7所述的改性玻璃，其特征在于，所述改性剂包括N2和NH3的至少一种。
9.一种改性玻璃的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，所述原料包括
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求9或11所述的方法，其特征在于，所述惰性气体包括N2、He和Ar中的至少一种。
13.根据权利要求9或11所述的方法，其特征在于，所述还原性气体包括H2、CO、第一组合气体、第二组合气体和第三组合气体中的至少一种，其中所述第一组合气体包括N2和H2，所述第二组合气体包括He和H2，所述第三组合气体包括H2和Ar。
14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，当原料包括碳酸盐时，所述将粉末混合物在第一预设环境条件下熔制，得到玻璃液的步骤包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述将玻璃液浇筑到已预热的模具中成型，得到玻璃成型体之前，所述方法还包括：将所述玻璃液澄清。
16.一种改性玻璃的制备方法，其特征在于，包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，所述原料包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述在改性剂作为气氛下对所述初始玻璃进行处理，得到改性玻璃的步骤包括：
19.一种权利要求1-8中任意一项所述的改性玻璃在电子设备中的应用。
20.一种电子设备，其特征在于，包括电池后盖，所述电池后盖采用权利要求1-8任一项所述的改性玻璃。
...【技术特征摘要】
1.一种改性玻璃，其特征在于，所述改性玻璃的原料包括玻璃原料和包含n元素的改性剂，所述玻璃原料包括sio2。
2.根据权利要求1所述的改性玻璃，其特征在于，所述改性剂包括包含n3-的改性剂。
3.根据权利要求2所述的改性玻璃，其特征在于，所述改性剂包括aln、bn和si3n4的至少一种。
4.根据权利要求3所述的改性玻璃，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜aln≤8％。
5.根据权利要求3所述的改性玻璃，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜bn≤10％。
6.根据权利要求3所述的改性玻璃，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，0＜si3n4≤6％。
7.根据权利要求1所述的改性玻璃，其特征在于，所述改性剂包括包含n元素的改性气体。
8.根据权利要求7所述的改性玻璃，其特征在于，所述改性剂包括n2和nh3的至少一种。
9.一种改性玻璃的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，以氧化物基准的摩尔百分比表示，所述原料包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求9或11所...
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