【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种结晶玻璃、化学强化玻璃和电子设备。
技术介绍
1、对于便携终端的保护玻璃等要求即便便携终端掉落也不容易破碎的强度，因此广泛使用化学强化玻璃。化学强化玻璃是通过将玻璃浸渍于硝酸钠等熔融盐等方法，使玻璃中所包含的碱离子与熔融盐中所含的离子半径更大的碱离子发生离子交换而在玻璃的表层部分形成了压缩应力层的玻璃。
2、结晶玻璃是使玻璃中析出晶体，与不含晶体的非晶玻璃相比较更硬，不易损伤。而且，能够进行化学强化的结晶玻璃与非晶玻璃相比，能够在防止破碎的同时实现高强度。例如在专利文献1中记载了能够通过离子交换对含有规定的晶体的结晶玻璃进行化学强化。
3、在移动电话、智能手机、便携信息终端、wi－fi设备这样的通信机器、声表面波(saw)设备、雷达部件、天线部件等电子设备中，为了实现通信容量的大容量化、通信速度的高速化等，正在推进信号频率的高频化。近年来，5g(第五世代移动通信系统)有望作为使用更高频的频带的新的通信系统普及。在5g中使用的高频带中，保护玻璃有时会阻碍电波发送和接收，对支持5g的电子设备要求电波透过性优异的保护玻璃。即便携终端等电子设备中使用的保护玻璃要求强度和电波透过性这两者优异。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2020－33262号公报。
技术实现思路
1、然而，以往的能够化学强化的结晶玻璃虽然可以通过化学强化而提高强度，但相对介电常数、介电损耗角正切这样的影响电波透过性的特
2、鉴于上述的课题，本专利技术的目的在于提供一种通过化学强化而得到优异的强度且电波透过性优异的结晶玻璃。
3、本专利技术的目的在于提供一种强度和电波透过性这两者优异的化学强化玻璃。
4、结晶玻璃的电波透过性可能受到所含有的晶体的电波透过性的影响。本专利技术人等进行了深入的研究，结果发现二硅酸锂系晶体在电波透过性方面非常优异。同时可知，在能够进行化学强化的以往的玻璃中，在主要想要使二硅酸锂系晶体析出时，存在电波透过性的方面差的透锂长石等其他晶体同时析出，电波透过性不好的情况。因此，本专利技术人等发现通过使二硅酸锂系晶体比其他晶体析出得相对较多的量，能够提高结晶玻璃和化学强化玻璃的电波透过性，从而完成了本专利技术。
5、即，本专利技术涉及以下的1～13。
6、1.一种结晶玻璃，以质量基准计，含量最多的晶体为二硅酸锂系晶体，
7、从上述二硅酸锂系晶体的含量的比例(质量％)中减去以质量基准计含量第二多的晶体的含量的比例(质量％)而得的差为20质量％以上。
8、2.根据上述1所述的结晶玻璃，其中，上述以质量基准计含量第2多的晶体为透锂长石系晶体。
9、3.根据上述1或2所述的结晶玻璃，其中，包含40质量％以上的上述二硅酸锂系晶体。
10、4.根据上述1或2所述的结晶玻璃，其中，换算为厚度0.7mm的透光率在波长400nm～1000nm的范围内为85％以上。
11、5.根据上述1或2所述的结晶玻璃，其中，换算为厚度0.7mm的雾度值在波长400nm～1000nm的范围内小于5％。
12、6.根据上述1或2所述的结晶玻璃，其中，10ghz、20℃下的相对介电常数dk为5.4以下。
13、7.根据上述1或2所述的结晶玻璃，其中，10ghz、20℃下的介电损耗角正切tanδ为0.01以下。
14、8.根据上述1或2所述的结晶玻璃，其中，将20℃、10ghz下的介电损耗角正切tanδ乘以50倍的值与20℃、10ghz下的相对介电常数dk的合计值为5.65以下。
15、9.根据上述1或2所述的结晶玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，包含sio2 55～85％、al2o3 1～5％、b2o3 0～5.0％、p2o5 0.5～5.0％、tio2 0～5.0％、zro2 0～5.0％、li2o 20～30％、na2o 0～5.0％以及k2o 0～5.0％，包含合计0～5.0％的选自mgo、cao、sro以及bao中的1种以上。
16、10.根据上述1或2所述的结晶玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，sio255～85％、al2o3 1～5％、b2o3 0～5.0％、p2o5 0.5～5.0％、tio2 0～5.0％、zro2 0～5.0％、li2o 20～30％、na2o 0～5.0％以及k2o 0～5.0％，na2o和k2o的合计量为0.2～10％，包含合计0～5.0％的选自mgo、cao、sro和bao的1种以上。
17、11.一种化学强化玻璃，是在表面具有压缩应力层的化学强化玻璃，表面压缩应力值cs为50mpa以上，该化学强化玻璃是上述1或2所述的结晶玻璃。
18、12.根据上述11所述的化学强化玻，其是板状，碱金属元素的比例在厚度方向的表层和中心不同。
19、13.一种电子设备，具有上述1所述的结晶玻璃。
20、专利技术效果
21、本专利技术的结晶玻璃能够进行化学强化，并且通过含有比较多的二硅酸锂系晶体，从而可得到化学强化优异的强度，并且电波透过性也优异。
22、本专利技术的化学强化玻璃是结晶玻璃，通过含有比较多的二硅酸锂系晶体，从而强度和电波透过性这两方优异。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种结晶玻璃，以质量基准计含量最多的晶体为二硅酸锂系晶体，
2.根据权利要求1所述的结晶玻璃，其中，所述以质量基准计含量第二多的晶体为透锂长石系晶体。
3.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，包含40质量％以上的所述二硅酸锂系晶体。
4.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，换算为厚度0.7mm的透光率在波长400nm～1000nm的范围内为85％以上。
5.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，换算为厚度0.7mm的雾度值在波长400nm～1000nm的范围内小于5％。
6.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，10GHz、20℃下的相对介电常数Dk为5.4以下。
7.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，10GHz、20℃下的介电损耗角正切tanδ为0.01以下。
8.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，将20℃、10GHz下的介电损耗角正切tanδ乘以50倍而得的值与20℃、10GHz下的相对介电常数Dk的合计值为5.65以下。
9.根据权利要求1或2所述的结
10.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，包含SiO2 55～85％、Al2O3 1～5％、B2O3 0～5.0％、P2O5 0.5～5.0％、TiO2 0～5.0％、ZrO2 0～5.0％、Li2O 20～30％、Na2O 0～5.0％以及K2O 0～5.0％，
11.一种化学强化玻璃，是在表面具有压缩应力层的化学强化玻璃，表面压缩应力值CS为50MPa以上，该化学强化玻璃是权利要求1或2所述的结晶玻璃。
12.根据权利要求11所述的化学强化玻璃，其为板状，碱金属元素的比例在厚度方向的表层和中心不同。
13.一种电子设备，具有权利要求1所述的结晶玻璃。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种结晶玻璃，以质量基准计含量最多的晶体为二硅酸锂系晶体，
2.根据权利要求1所述的结晶玻璃，其中，所述以质量基准计含量第二多的晶体为透锂长石系晶体。
3.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，包含40质量％以上的所述二硅酸锂系晶体。
4.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，换算为厚度0.7mm的透光率在波长400nm～1000nm的范围内为85％以上。
5.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，换算为厚度0.7mm的雾度值在波长400nm～1000nm的范围内小于5％。
6.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，10ghz、20℃下的相对介电常数dk为5.4以下。
7.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，10ghz、20℃下的介电损耗角正切tanδ为0.01以下。
8.根据权利要求1或2所述的结晶玻璃，其中，将20℃、10ghz下的介电损耗角正切tanδ乘以50倍而得的值与20℃、10ghz下的相对介电常数dk的合计值为5.65以下。
9.根据权利要求1或2所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金原一树，黑岩裕，秋叶周作，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：
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