一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，公开了一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法，底栅；介电层，位于底栅的正上方；界面修饰层，位于于介电层的正上方；电荷捕获层，位于界面修饰层左边的正上方；沟道层，分别位于电荷捕获层的正上方和界面修饰层右边的正上方；源电极、漏电极，分别位于两个沟道层的正上方；左面器件的漏电极和右面器件的源电极相连。本发明专利技术利用门控器件的开关特性，极大的保证工作器件的稳定性，确保了工作器件电学性能稳定性并提高了器件的耐受性；采用底栅共接地方式，使工作器件和开关器件的电场方向都保持竖直方向，保证器件能独立运行工作，有利于底栅顶接触式的晶体管设计实现阵列化制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，尤其涉及一种1t1t双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法。

技术介绍

1、神经形态器件是一种新兴的电子器件，通过模拟生物神经元的工作模式实现自适应和非线性计算，又因其具有灵活的可塑性，简单的硬件构造，以及低功耗等优点，有望在计算机科学、健康监控和神经科学等领域得到广泛应用。

2、突触可塑性是神经形态器件的典型特点，通过脉冲刺激，使得器件的电流电压发生明显的弛豫现象，以此来动态调节器件中的电导，最终达到稳定的信号输出，用于各种信号的识别功能。

3、有机场效应晶体管存储器是一种非易失性器件，优良的弛豫特性使其成为研究神经形态识别领域的理想器件。然而，由于目前研究的有机场效应晶体管存储器维持特性一般较差，这使得神经形态器件发生典型弛豫现象后很难获得一个稳定的信号输出，导致在神经形态电路中识别的可靠性降低。

4、通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：如何在发生弛豫现象后器件能够得到一个较为稳定的电流电压输出成为研究神经形态器件的一个关键技术。

技术实现思路

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件，其特征在于，所述1T1T双共栅界面修饰神经形态器件由下至上包括：底栅；介电层，位于底栅的正上方；界面修饰层，位于于介电层的正上方；电荷捕获层，位于界面修饰层左边的正上方；沟道层，分别位于电荷捕获层的正上方和界面修饰层右边的正上方；源电极、漏电极，分别位于两个沟道层的正上方；左面器件的漏电极和右面器件的源电极相连。

2.如权利要求1所述的1T1T双共栅界面修饰神经形态器件，其特征在于，左面器件为具有电荷捕获能力的1T捕获器件，右面器件为充当门控作用的1T门控器件，两个器件共用底栅、介电层、界面修饰层且底栅测试时始终接地。

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【技术特征摘要】

1.一种1t1t双共栅界面修饰神经形态器件，其特征在于，所述1t1t双共栅界面修饰神经形态器件由下至上包括：底栅；介电层，位于底栅的正上方；界面修饰层，位于于介电层的正上方；电荷捕获层，位于界面修饰层左边的正上方；沟道层，分别位于电荷捕获层的正上方和界面修饰层右边的正上方；源电极、漏电极，分别位于两个沟道层的正上方；左面器件的漏电极和右面器件的源电极相连。

2.如权利要求1所述的1t1t双共栅界面修饰神经形态器件，其特征在于，左面器件为具有电荷捕获能力的1t捕获器件，右面器件为充当门控作用的1t门控器件，两个器件共用底栅、介电层、界面修饰层且底栅测试时始终接地。

3.如权利要求1所述的1t1t双共栅界面修饰神经形态器件，其特征在于，底栅和介电层为氧化层厚度为50nm单抛氧化硅片；界面修饰层形成材料为十八烷基三氯硅烷。

4.如权利要求1所述的1t1t双共栅界面修饰神经形态器件，其特征在于，电荷捕获层形成材料为8-羟基喹啉铝，沟道层形成材料为p型半导体材料并五苯。

5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑朝月，陈希明，周洁，宋万科，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：