【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体技术和信息社会的迅猛发展，信息量呈爆炸式增长，需要更加强大的芯片进行信息处理。随着芯片制程逐渐达到物理极限，摩尔定律失效，芯片性能难以进一步提高；传统芯片受限于冯诺依曼架构，存算分离导致大量功耗浪费在数据传输过程中，而且存储器存取速度严重滞后于处理器计算速度，导致高性能处理器难以发挥应有的功效。传统芯片功耗墙和存储墙问题日益凸显，亟需一种颠覆性的芯片架构解决当前难题。
2、神经形态芯片具有存内计算和高度并行的特点，具有功耗低、速度快、高效等优势，有望成为下一代智能芯片。要实现存内计算和并行计算，需要开发具有存储功能和计算功能的神经形态器件，如忆阻器、相变存储器等两端器件，铁电晶体管、有机场效应晶体管等三端器件。目前神经形态器件中，有机场效应晶体管具有制备工艺简单、电学性能优异、可与柔性器件集成等优势，成为目前神经形态芯片领域研究的热点方向。
3、将多个神经形态单元器件集成阵列进行基本功能运算是实现复杂神经形...
【技术保护点】
1.一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，其特征在于，所述神经形态器件阵列由若干个单一神经形态器件结构组成，所述单一神经形态器件结构由下至上依次分为底栅电极、栅绝缘层、自组装单分子层、半导体传输层，所述单一神经形态器件结构还包括源极、漏极，所述源极、漏极并列位于半导体传输层上，所有所述单一神经形态器件的底栅电极始终共地或悬空。
2.根据权利要求1所述一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，其特征在于，所述底栅电极和栅绝缘层材料分别为N型重掺杂硅和二氧化硅，所述神经形态器件阵列中所有单一神经形态器件共用衬底。
3.根据权利要求1所述一种权重更新...
【技术特征摘要】
1.一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，其特征在于，所述神经形态器件阵列由若干个单一神经形态器件结构组成，所述单一神经形态器件结构由下至上依次分为底栅电极、栅绝缘层、自组装单分子层、半导体传输层，所述单一神经形态器件结构还包括源极、漏极，所述源极、漏极并列位于半导体传输层上，所有所述单一神经形态器件的底栅电极始终共地或悬空。
2.根据权利要求1所述一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，其特征在于，所述底栅电极和栅绝缘层材料分别为n型重掺杂硅和二氧化硅，所述神经形态器件阵列中所有单一神经形态器件共用衬底。
3.根据权利要求1所述一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，其特征在于，所述自组装单分子层由2-甲基-2-丙烯酸3-(三氯硅基)丙酯制备而成。
4.根据权利要求1所述一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，其特征在于，所述半导体传输层材料为p型有机半导体材料并五苯，作为导电沟道。
5.根据权利要求1所述一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，其特征在于，所述源极、漏极选用金属cu材料。
6.根据权利要求1所述一种权重更新快速置零的神经形态器...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑朝月，宋万科，周洁，陈希明，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：
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