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本发明属于半导体技术领域，公开了一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法，底栅；介电层，位于底栅的正上方；界面修饰层，位于于介电层的正上方；电荷捕获层，位于界面修饰层左边的正上方；沟道层，分别位于电荷捕获层的正上方和界面修饰层右边...
该专利属于电子科技大学长三角研究院（湖州）所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学长三角研究院（湖州）授权不得商用。

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