【技术实现步骤摘要】
本公开涉及通信设备领域，具体地，涉及一种功率放大器、一种包括该功率放大器的功率放大器组件、和一种包括该功率放大器组件的信号处理设备。
技术介绍
1、随着第五代移动通信的到来，其传输速率、时延、可靠性等性能的要求不断提高，除了通信频段的提升(提升到毫米波频段)，大规模相控阵技术和massive mimo技术，高阶调制方式如256qam，甚至1024qam也得到了发展。
2、以上的改变对于收发机中最核心的功率放大器(power amplifier，pa)影响巨大，大规模相控阵技术和massive mimo技术的应用，意味着收发机需要集成大规模的前端阵列通道，因此pa模块必须集成到收发机芯片中采用硅基工艺实现，无法像4g、3g通信一样pa单独采用三五族工艺实现大输出功率，但是依然要求pa具有较大的输出功率。此外，5g通信要求高阶调制方式，这要求更大的峰均比(peak-to-average power ratio，papr)和更高的线性输出功率，因此对于pa的线性度也提出了更高的要求。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种功率放大器、一种包括该功率放大器的功率放大器组件、和一种包括该功率放大器组件的信号处理设备。
2、作为本公开的一个方面，提供一种功率放大器，所述功率放大器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极电连接，所述第一晶体管的第一极与所述功率放大器的正输出端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述功率放大器的负输出端电连接，
3、作为本公开的第二个方面，提供一种功率放大器组件，所述功率放大器组件包括驱动级放大器、至少一个功率级放大器，其中，所述驱动级放大器为本公开第一个方面的一种实施方式所述的功率放大器，所述功率级放大器为本公开第一个方面的另一种实施方式所述的功率放大器。
4、作为本公开的第三个方面，提供一种信号处理设备，所述信号处理设备包括功率放大器组件，其中，所述功率放大器组件包括本公开第二个方面所述的功率放大器组件。
5、本公开所提供的功率放大器中，跨接并联的峰化电感可以谐振掉寄生电容的影响，从而可以提高功率放大器的输出功率。
6、在一些实施方式中，功率放大器包括第一辅助电容、第二辅助电容与谐振电感可以构成lc网络，该lc网络谐振在二次谐波处，结合输入级匹配电路的lc网络，可以进一步提高功率放大器的线性度。
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1.一种功率放大器，所述功率放大器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极电连接，所述第一晶体管的第一极与所述功率放大器的正输出端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述功率放大器的负输出端电连接，其特征在于，所述功率放大器还包括峰化电感，所述峰化电感的第一端与所述第一晶体管的第二极电连接，所述峰化电感的第二端与所述第二晶体管的第二极电连接。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第一辅助电容、第二辅助电容和谐振电感，所述第一辅助电容的第一端与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第一辅助电容的第二端与所述第二辅助电容的第一端电连接，所述第二辅助电容的第二端与所述第二晶体管的第一极电连接，所述谐振电感的第一端与所述第一辅助电容的第二端电连接，所述谐振电感的第二端与参考信号端电连接。
3.根据权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的第一极与所述第四晶体管的第一极电连接，且与参考信号端电连接，所述第三晶体管的栅极与输入信号正输入端电连接，所述第四
4.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括可变电容器，所述可变电容器包括第一P型晶体管和第二P型晶体管，所述第一P型晶体管的第一极与所述第一P型晶体管的第二极电连接，所述第二P型晶体管的第一极与所述第二P型晶体管的第二极电连接，且所述第一P型晶体管的第一极与所述第二P型晶体管的第一极电连接，所述第一P型晶体管的栅极与所述输入信号正输入端电连接，所述第二P型晶体管的栅极与所述输入信号负输入端电连接。
5.一种功率放大器组件，所述功率放大器组件包括驱动级放大器、至少一个功率级放大器，其特征在于，所述驱动级放大器为权利要求1至3中任意一项所述的功率放大器，所述功率级放大器为权利要求4所述的功率放大器。
6.根据权利要求5所述的功率放大器组件，其特征在于，所述功率放大器组件还包括输入级匹配电路，所述输入级匹配电路包括第一变压器、第一匹配电容、第二匹配电容和第三辅助电容，第一匹配电容跨接在所述第一变压器的初级线圈的两端，所述第二匹配电容跨接在所述第一变压器的次级线圈的两端，且所述第三辅助电容的第一端与所述次级线圈的抽头电连接，所述第三辅助电容的第二端与参考信号端电连接，第一变压器的次级线圈的两端分别与所述驱动级功率放大器的正输入端、以及所述驱动级功率放大器的负输入端电连接。
7.根据权利要求5所述的功率放大器组件，其特征在于，所述功率放大器包括级间匹配电路，所述级间匹配电路包括第二变压器、第三匹配电容和第四辅助电容，所述第二变压器的初级线圈的两端分别与所述驱动级放大器的正输出端和负输出端电连接，所述第三匹配电容的两端跨接在所述第二变压器的次级线圈的两端，所述第四辅助电容的第一端与所述第二变压器的次级线圈的中间抽头电连接，所述第四辅助电容的第二端与参考信号端电连接，所述第二变压器的次级线圈的两端分别与所述功率级放大器的正输入端、以及负输入端电连接。
8.根据权利要求5至7中任意一项所述的功率放大器组件，其特征在于，所述功率放大器还包括功合器和至少一个输出级匹配电路，至少一个所述输出级匹配电路与至少一个所述功率级放大器一一对应，所述输出级匹配电路包括第三变压器和第四匹配电容，所述第三变压器的初级线圈的两端分别与相应的功率级放大器的正输出端、以及负输出端电连接，所述第三变压器的次级线圈的第一端与参考信号端电连接，所述第三变压器的次级线圈的第二端与所述功合器的输入端电连接，所述第四匹配电容跨接在所述第三变压器的次级线圈的两端。
9.根据权利要求8所述的功率放大器组件，其特征在于，所述第三变压器的外围设置有地屏蔽层。
10.一种信号处理设备，所述信号处理设备包括功率放大器组件，其特征在于，所述功率放大器组件包括权利要求5至9中任意一项所述的功率放大器组件。
...【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，所述功率放大器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极电连接，所述第一晶体管的第一极与所述功率放大器的正输出端电连接，所述第二晶体管的第一极与所述功率放大器的负输出端电连接，其特征在于，所述功率放大器还包括峰化电感，所述峰化电感的第一端与所述第一晶体管的第二极电连接，所述峰化电感的第二端与所述第二晶体管的第二极电连接。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第一辅助电容、第二辅助电容和谐振电感，所述第一辅助电容的第一端与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第一辅助电容的第二端与所述第二辅助电容的第一端电连接，所述第二辅助电容的第二端与所述第二晶体管的第一极电连接，所述谐振电感的第一端与所述第一辅助电容的第二端电连接，所述谐振电感的第二端与参考信号端电连接。
3.根据权利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的第一极与所述第四晶体管的第一极电连接，且与参考信号端电连接，所述第三晶体管的栅极与输入信号正输入端电连接，所述第四晶体管的栅极与输入信号负输入端电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第一晶体管的第二极电连接，所述第四晶体管的第二极与所述第二晶体管的第二极电连接。
4.根据权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括可变电容器，所述可变电容器包括第一p型晶体管和第二p型晶体管，所述第一p型晶体管的第一极与所述第一p型晶体管的第二极电连接，所述第二p型晶体管的第一极与所述第二p型晶体管的第二极电连接，且所述第一p型晶体管的第一极与所述第二p型晶体管的第一极电连接，所述第一p型晶体管的栅极与所述输入信号正输入端电连接，所述第二p型晶体管的栅极与所述输入信号负输入端电连接。
5.一种功率放大器组件，所述功率放大器组件包括驱动级放大器、至少一个功率级放大器，其特征在于，所述驱动级放大器为权利要求1至3中任意一项所述的功率放大器，所述功率级放大器...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志林，马宵宵，
申请(专利权)人：深圳市中兴微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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