一种晶态可控MIL-68(Fe)的硫化氢室温传感器制造技术

本发明专利技术涉及纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种晶态可控的MIL‑68(Fe)高选择性硫化氢室温传感器，包括：绝缘衬底、设置于绝缘衬底上的金叉指电极和设置于金叉指电极上的MIL‑68(Fe)气敏薄膜；其中MIL‑68(Fe)气敏薄膜为晶态MIL‑68(Fe)材料或非晶态的MIL‑68(Fe)材料，且非晶态的MIL‑68(Fe)材料为晶态MIL‑68(Fe)材料通过热刺激转化形成。本发明专利技术的传感器依次包括绝缘衬底、金叉指电极和MIL‑68(Fe)气敏薄膜，其中该MIL‑68(Fe)气敏薄膜为晶态MIL‑68(Fe)材料或非晶态MIL‑68(Fe)材料，既作为导电介质又作为敏感材料。本发明专利技术的硫化氢室温传感器作为室温高选择性传感器，不需要额外能量输入，在硫化氢检测方面具有超高的选择性、低检测下限。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料制备的，更具体地，涉及一种晶态可控mil-68(fe)的硫化氢室温传感器。

技术介绍

1、硫化氢常见于石油探测中，高浓度硫化氢会造成严重的人体中毒，对硫化氢检测具有重要意义。现有硫化氢传感器以金属氧化物半导体(mos)为主，由于氧吸附机制的局限性使其不可避免地存在以下问题：

2、现有的金属氧化物型硫化氢传感器需要工作在高温下激发本征载流子向导带迁移，功耗较高；在特殊环境下存在安全隐患。说明书中的表1列出了相关报道的硫化氢传感器的工作温度。

3、并且，由于金属氧化物半导体的传感机制依赖于待测气体的氧化还原性，而在高的工作温度下常见的极性气体如氨气以及有机挥发性气体(voc)均会存在化学活性，在很大程度上对硫化氢的检测存在干扰。

4、目前，金属氧化物半导体传感器对硫化氢的识别能力差，选择性较低无法实现对硫化氢的准确检测。且对硫化氢的检测下限通常在数百ppb到ppm级别。说明书中的表1列出了硫化氢传感器相关报道的检测下限。

5、而金属有机框架(mof)作为一种具有高比面积及孔隙率的新型材料在气本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MIL-68(Fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的MIL-68(Fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，所述晶态MIL-68(Fe)材料通过如下步骤制备：

3.根据权利要求2所述的MIL-68(Fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，在步骤(1)中；

4.根据权利要求2所述的MIL-68(Fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，在步骤(1)中；

5.根据权利要求2所述的MIL-68(Fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，在步骤(2)中；

6.根据权利要求1所述的MIL-68(Fe)的硫化氢室温...

【技术特征摘要】

1.一种mil-68(fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的mil-68(fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，所述晶态mil-68(fe)材料通过如下步骤制备：

3.根据权利要求2所述的mil-68(fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，在步骤(1)中；

4.根据权利要求2所述的mil-68(fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，在步骤(1)中；

5.根据权利要求2所述的mil-68(fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，在步骤(2)中；

6.根据权利要求1所述的mil-68(fe)的硫化氢室温传感器，其特征在于，所述非晶态的m...

【专利技术属性】
技术研发人员：段国韬，吕国梁，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：