一种针对单相混合器件逆变器控制自适应损耗的方法技术

本发明专利技术提供一种针对单相混合器件逆变器控制自适应损耗的方法，所述单相逆变器包括由第一、第二开关器件所组成的混合功率器件，所述单相逆变器还包括混合调控模块；所述混合调控模块通过如下步骤实现逆变器控制自适应损耗控制：步骤一、对混合功率器件模块依照逆变器的工作条件进行参数设定，步骤二、通过粒子编码方式将混合功率器件模块的时间(0，T/4)的区间均匀分成K个维度，步骤三：将逆变器自身损耗，即逆变器输入功率与输出功率之差为目标模型、将延时时间t作为自变量，导入模拟退火算法，运用模拟退火算法对逆变器进行控制；该方法通过对单相逆变器自动优化其内部的延时时间有效控制，提高逆变器的使用效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对电子逆变器控制改进的，尤其涉及一种针对单相逆变器控制方法。

技术介绍

0、
技术介绍
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1、siigbt的高开关损耗使其在高开关频率的应用受到极大的限制，而sci mosfet在开关损耗和开关速度相比siigbt有着不小的优势，但是由于工艺的制约其单芯片载流能力远低于igbt。

2、siigbt和scimosfet的并联组合混合器件通过优化的门极驱动，可以在低电流下呈现为单极性的sci mosfet低导通电阻特性，而在大电流条件下，整合了双极性igbt于恒定压降特点。用该混合模块所组成的单相逆变器，具有广泛的使用范围和较高的性能。

3、并联混合模块的开关与导通损耗与igbt和mosfet导通顺序延时有着密切的联系，在开启mosfet后延时一段时间开始igbt，与直接开启igbt模块相比，其开关损耗大大降低。目前针对该混合模块的自适应最优控制方法，主要通过建立并计算相关的损耗模型以求得最小的损耗，而这种损耗模型的建立一方面需要获取器件的在特定条件下开关损耗和导通损耗。由于混合模块内部各器件结温和其他参数难以测本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种针对单相混合器件逆变器控制自适应损耗的方法，所述单相逆变器包括由第一开关器件、第二开关器件所组成的混合功率器件和PWM控制器；所述第一开关器件与第二开关器件并联；其特征在于：所述单相混合器件逆变器还包括通过延迟调整开启延时时间，即第一开关器件开启后至第二开关器件开启的时间差t来降低所述混合功率器件模块的总损耗的混合调控模块；，所述混合调控模块通过模拟退火算法实现对逆变器控制自适应损耗过程，包括：

2.根据权利要求1所述的一种针对单相逆变器控制自适应损耗的方法，其特征在于第一开关器件为碳化硅绝缘栅场效应管,第二开关器件为硅绝缘栅双极晶体管。

【技术特征摘要】

1.一种针对单相混合器件逆变器控制自适应损耗的方法，所述单相逆变器包括由第一开关器件、第二开关器件所组成的混合功率器件和pwm控制器；所述第一开关器件与第二开关器件并联；其特征在于：所述单相混合器件逆变器还包括通过延迟调整开启延时时间，即第一开关器件开启后至第二开关器件开启的时间差...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑时杰，白淼光，郭清，林氦，徐俊亮，
申请(专利权)人：浙江大学绍兴研究院，
类型：发明
国别省市：