【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的主题总体上涉及在衬底上沉积膜的领域。更具体地，本公开的主题涉及提高在衬底(例如，通常诸如基于半导体的晶片或特别是硅晶片)上的原子层沉积(ald)膜的沉积速率。
技术介绍
1、同时期的原子层沉积顺序遵循传统的前体-清扫-氧化-清扫顺序。修改用ald处理方案沉积的膜所得的特性(例如，沉积速率、特征内的沉积速率、台阶覆盖率等)的努力通常会导致要与例如对半导体衬底处理量上的不利影响进行权衡。
2、在此部分所描述的信息是为了向本领域技术人员提供以下公开的背景，并且不应将其视为承认的先前技术。
技术实现思路
1、本公开的实施方案描述了用于增加例如原子层沉积(ald)产生的膜在衬底的表面上的沉积速率的方法。该方法包括：将该衬底放置在沉积室中；将前体气体引入该沉积室中；从该沉积室中排出剩余的前体气体分子的至少一部分；对该沉积室中的该衬底施加射频(rf)转化；执行等离子体物质rf清扫；以及在以下一项或更多项期间将氢气(h2)气体引入该沉积室中：将该前体气体引入该沉积室中；从该沉积室中排出剩余的前体气体分子的该至少一部分；对该沉积室中的该衬底施加该rf转化步骤；以及执行该等离子体物质rf清扫。
2、本公开的另一实施方案描述了用于提高原子层沉积(ald)产生的氧化物膜在衬底上的沉积速率的方法。该方法包括将该衬底放置在沉积室中；将前体气体引入该沉积室中；从该沉积室中排出剩余的前体气体分子的至少一部分；对该沉积室中的该衬底施加射频(rf)转化；执行等离子体物质rf清扫；以及在
3、本公开的另一个实施方案描述用于提高原子层沉积(ald)产生的二氧化硅膜在衬底上的沉积速率的方法。该方法包括将该衬底放置在沉积室中；将前体气体引入该沉积室中；从该沉积室中排出剩余的前体气体分子的至少一部分；对该沉积室中的该衬底施加射频(rf)转化；执行等离子体物质rf清扫；以及仅在施加该rf转化期间将氢气(h2)气体引入该沉积室中。
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1.一种用于提高原子层沉积(ALD)产生的膜在衬底的表面上的沉积速率的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述前体气体以在所述衬底的所述表面上形成包括氧化层的所述膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述前体气体以在所述衬底的所述表面上形成包括氧化物层的所述膜。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述表面包括多种特征。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法与低深宽比特征一起使用。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法与高深宽比特征一起使用。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述RF转化被配置成产生氢氧根(OH-)键的双原子阴离子键。
9.根据权利要求1所述的方法，其中引入的所述H2气体的流速为每分钟大约800标准立方厘米(sccm)。
10.根据权利要求1所述的方法，其中引入的所述H2气体的流速为每分钟大约3000标准立方厘米(sccm)。
11.根据权利要求1所述的
12.根据权利要求1所述的方法，其中引入所述H2气体以与三(二甲基氨基)硅烷(SiH(N(CH3)2)3(TDMAS)反应。
13.根据权利要求1所述的方法，其中引入所述H2气体以与双(叔丁基氨基)硅烷(BTBAS)反应。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体气体包括选自包括二异丙基氨基硅烷(DIPAS)和硅烷二胺、N,N,N',N'-四乙基(SAM24)的气体中的至少一种气体。
15.根据权利要求1所述的方法，其还包括将等离子体气体混合物作为H2气体共流引入所述沉积室中，所述等离子体气体混合物包括选自包括氩气(Ar)、氧气(O2)、氮气(N2)、以及一氧化二氮(N2O)的气体中的至少一种气体类型。
16.根据权利要求1所述的方法，其中执行引入所述H2气体以相对于不使用H2气体共流的ALD处理而提高湿蚀刻速率比。
17.根据权利要求1所述的方法，其还包括通过调整引入所述沉积室中的所述H2气体的量来调整所述ALD产生的膜的台阶覆盖率。
18.一种用于提高原子层沉积(ALD)产生的氧化物膜在衬底上的沉积速率的方法，所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中仅在所述RF转化期间引入所述H2气体共流。
20.根据权利要求18所述的方法，其中执行引入所述H2气体以相对于不使用H2气体共流的处理来提高湿蚀刻速率比。
21.根据权利要求18所述的方法，其还包括通过调整引入所述沉积室中的所述H2气体的量来将所述ALD产生的氧化物膜的台阶覆盖率由约85％调整至约120％。
22.一种用于提高原子层沉积(ALD)产生的二氧化硅膜在衬底上的沉积速率的方法，所述方法包括：
23.根据权利要求22所述的方法，其中执行引入所述H2气体以相对于不使用H2气体共流的处理来提高湿蚀刻速率比。
24.根据权利要求22所述的方法，其还包括将等离子体气体混合物作为H2气体共流引入所述沉积室中，所述等离子体气体混合物包括选自包括氩气(Ar)、氧气(O2)、氮气(N2)、以及一氧化二氮(N2O)的气体中的至少一种气体类型。
25.根据权利要求22所述的方法，其还包括通过调整引入所述沉积室中的所述H2气体与所述等离子体气体混合物的比例来调整所述ALD产生的二氧化硅膜的台阶覆盖率。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于提高原子层沉积(ald)产生的膜在衬底的表面上的沉积速率的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述前体气体以在所述衬底的所述表面上形成包括氧化层的所述膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述前体气体以在所述衬底的所述表面上形成包括氧化物层的所述膜。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述表面包括多种特征。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法与低深宽比特征一起使用。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法与高深宽比特征一起使用。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述rf转化被配置成产生氢氧根(oh-)键的双原子阴离子键。
9.根据权利要求1所述的方法，其中引入的所述h2气体的流速为每分钟大约800标准立方厘米(sccm)。
10.根据权利要求1所述的方法，其中引入的所述h2气体的流速为每分钟大约3000标准立方厘米(sccm)。
11.根据权利要求1所述的方法，其中引入的所述氢气与其他处理气体一起提供至所述沉积室中而作为h2气体共流。
12.根据权利要求1所述的方法，其中引入所述h2气体以与三(二甲基氨基)硅烷(sih(n(ch3)2)3(tdmas)反应。
13.根据权利要求1所述的方法，其中引入所述h2气体以与双(叔丁基氨基)硅烷(btbas)反应。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体气体包括选自包括二异丙基氨基硅烷(dipas)和硅烷二胺、n,n,n',n'-四乙基(sam24)的气体中的至少一种气体。
15.根据权利要求1所述的方法，其还包括将等离子体...
【专利技术属性】
技术研发人员：阿维尼什·古普塔，弗兰克·L·帕斯夸里，阿德里安·拉瓦伊，希瓦·沙兰·班达里，普尔凯特·阿加瓦尔，巴特·简·范施拉芬迪克，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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