【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及生物传感器，具体涉及一种薄膜晶体管及传感器。
技术介绍
1、随着微纳制造技术的发展，片上集成实验室(lab on chip)得以产生，其是将样品制备、反应单元与检测单元等基本操作单位集成或基本集成于一块几平方厘米的芯片上，用以完成不同的生物或化学/物理反应过程，并对其结果进行分析；而其结果的准确性与其检测单元中的传感器灵敏度有着直接的关系，如何提高传感器的灵敏度是本领域技术人员所要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请期望提供一种薄膜晶体管及传感器，至少用于提高传感器的灵敏度。
2、第一方面，本专利技术提供一种薄膜晶体管，应用于传感器，包括：
3、衬底；
4、第一栅极层，形成于所述衬底上；
5、无机介电层，形成于所述第一栅极层上；
6、源漏图案层，形成于所述无机介电层上；
7、有源层，形成于所述源漏图案层上；
8、有机介电层，形成于所述有源层上，至少对所述有源层进行静电调控；
9、第二栅极层，形成于所述有机介电层上。
10、作为可实现方式，所述有源层为碳纳米管有源层。
11、作为可实现方式，所述有机介电层为包含预定量以上h键的介电层。
12、作为可实现方式，所述有机介电层为聚乙烯醇介电层。
13、作为可实现方式，在所述衬底的正投影中，所述第一栅极层的栅极图案与所述第二栅极层的栅极图案错位设置。
14、作为可
15、所述有源层分别覆盖所述源极图案的其中一部分和所述漏极图案的其中一部分。
16、作为可实现方式，在所述衬底的正投影中，所述有源层位于所述有机介电层范围内，且，所述有源层封装于所述源漏图案层与所述有机介电层之间。
17、作为可实现方式，所述有机介电层的厚度为50nm-200nm。
18、第二方面，本专利技术提供一种传感器，包括上述的薄膜晶体管，所述第二栅极层上形成有生物检测探针。
19、作为可实现方式，所述生物检测探针为金属纳米颗粒。
20、上述方案，通过在有源层上形成有机介电层，有机介电层可以对有源层进行静电调控，使得有源层的导电性可以提高并被有效控制，使得有源层输出电流相对于输入电流有几倍的增长，随着输出电流的增长，其检测灵敏度也相应提高。同时，在有源层与第二栅极层之间形成有机介电层，其制备工艺相对简单。
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1.一种薄膜晶体管，应用于传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为碳纳米管有源层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机介电层为包含预定量以上H键的介电层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机介电层为聚乙烯醇介电层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述衬底的正投影中，所述第一栅极层的栅极图案与所述第二栅极层的栅极图案错位设置。
6.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏图案层包括源极图案和漏极图案；
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述衬底的正投影中，所述有源层位于所述有机介电层范围内，且，所述有源层封装于所述源漏图案层与所述有机介电层之间。
8.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机介电层的厚度为50nm-200nm。
9.一种传感器，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管，所述第二栅极
10.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，所述生物检测探针为金属纳米颗粒。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，应用于传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为碳纳米管有源层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机介电层为包含预定量以上h键的介电层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有机介电层为聚乙烯醇介电层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述衬底的正投影中，所述第一栅极层的栅极图案与所述第二栅极层的栅极图案错位设置。
6.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭威，孟虎，陈江博，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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