【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电磁屏蔽薄膜，具体涉及一种基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法。
技术介绍
1、现如今，高集成度、高精密度电子电气设备的使用范围越来越广、频率越来越高，大量使用电子电气设备将会使人类的生存环境中充斥着大量电磁辐射，电磁波污染已经和噪音污染、空气污染、水污染一样，被世界卫生组织列为威胁人类健康的第四大公害，此外，电磁辐射严重影响人类生命健康的同时，也使得信息安全问题日益突出。
2、电磁屏蔽薄膜是一种新型的透明玻璃贴膜，能够有效阻断无线电波、红外、紫外等各种窃听技术常用频率的辐射，可以防止或减少电磁信号的泄漏，防止窃听信息及电磁干扰的影响；同时电磁屏蔽薄膜也可以减少电磁波通过透明体进入室内，减少电磁辐射对人体的伤害，对于居住在高压输电线、发射塔等周围电磁辐射较强的居民有很好的保护作用，主要用于汽车、保密会议室窗户、仪器仪表的视窗、机房的玻璃门窗以及家庭玻璃窗户等。
3、目前，现有透明电磁屏蔽薄膜主要采用导电高分子、氧化物薄膜、金属丝网等制备而成，虽然其具有一定的透光性，可以屏蔽设备所发出的电磁波，但现有透明电磁屏蔽薄膜无法同时兼顾高可见光透过率和高电磁屏蔽效能，同时也无法实现在宽频范围内的高屏蔽效能；随着工业、军事、民用等领域的迅速发展，仍需制备出具有更宽的屏蔽波段、更高的屏蔽效能以及可见光透过率的透明电磁屏蔽薄膜。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题，本专利技术提出一种基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，目
2、本专利技术一种基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，包括以下步骤：
3、(1)将透明基底依次在去离子水、酒精、丙酮中超声清洗并干燥；
4、(2)将干燥后的透明基底放入磁控溅射样品台上，将金属银靶装在直流溅射靶上，将两种不同的氧化物靶材装在射频溅射靶上，在溅射气体和溅射气压下，依次溅射出超薄银层和两层透明氧化物层，最终形成超薄银薄膜-透明氧化物膜-透明氧化物膜的三明治结构薄膜。
5、优选的，所述步骤(1)中透明基底为有机透明衬底、玻璃、石英中的一种，其中有机透明衬底为聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯；
6、优选的，步骤(2)中直流靶溅射功率为20w～150w；
7、优选的，所述步骤(2)中磁控溅射所用的金属银靶和氧化物靶材的纯度均＞99.99％，其中氧化物靶材选自氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化铝、氧化钛中的一种或多种；
8、优选的，步骤(2)中射频靶溅射功率为60w～250w；
9、优选的，所述步骤(2)中溅射气体为氩气，氩气流量为10sccm～100sccm；
10、优选的，所述步骤(2)中溅射气压为0.2pa～2pa；
11、优选的，所述步骤(2)中超薄银层的厚度为8nm～10nm；
12、优选的，所述步骤(2)中两层透明氧化物层的厚度均为10nm～60nm；
13、优选的，当超薄银层的厚度为9nm，中间层氧化膜为厚度25nm的氧化铝膜、外层氧化膜为厚度40nm的氧化锌膜，最终形成的超薄银薄膜-透明氧化铝膜-透明氧化锌膜的三明治结构薄膜的可见光透过率为90％，在10mhz～18ghz内的屏蔽效能≥20db，最高屏蔽效率为33db。
14、与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
15、本专利技术制备的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜，利用磁控溅射技术，在银膜的基础上叠加了双层透明氧化物膜，使本专利技术所制得三明治结构透明电磁屏蔽薄膜兼具透明特性和电磁屏蔽特性，可以有效的屏蔽设备所发出的电磁波，降低电磁干扰，防止电磁泄露，同时还具有一定的透光性；本专利技术所述基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的可见光透过率≥90％，在10mhz～18ghz内的屏蔽效能≥20db，实现了在宽频范围内的高可见光透过率和高电磁屏蔽效能，在通信电子设备、智能汽车、电磁屏蔽视窗等领域显示出巨大的应用前景。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中透明基底为有机透明衬底、玻璃、石英中的一种，其中有机透明衬底为聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。
3.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中直流靶溅射功率为20W～150W。
4.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中磁控溅射所用的金属银靶和氧化物靶材的纯度均＞99.99％，其中氧化物靶材选自氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化铝、氧化钛中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中射频靶溅射功率为60W～250W。
6.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中溅射气体为
7.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中溅射气压为0.2Pa～2Pa。
8.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中超薄银层的厚度为8nm～10nm。
9.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中两层透明氧化物层的厚度均为10nm～60nm。
10.如权利要求1-9任一所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，当超薄银层的厚度为9nm，中间层氧化膜为厚度25nm的氧化铝膜、外层氧化膜为厚度40nm的氧化锌膜，最终形成的超薄银薄膜-透明氧化铝膜-透明氧化锌膜的三明治结构薄膜的可见光透过率为90％，在10MHz～18GHz内的屏蔽效能≥20dB，最高屏蔽效率为33dB。
...【技术特征摘要】
1.基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中透明基底为有机透明衬底、玻璃、石英中的一种，其中有机透明衬底为聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。
3.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中直流靶溅射功率为20w～150w。
4.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中磁控溅射所用的金属银靶和氧化物靶材的纯度均＞99.99％，其中氧化物靶材选自氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化铝、氧化钛中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中射频靶溅射功率为60w～250w。
6.如权利要求1所述的基于超薄银薄膜的三明治结构透明电磁屏...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盼，于仕辉，武超，赵乐，师帅，李盈辉，张迪慧，宋俊佳，
申请(专利权)人：洛阳理工学院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。