System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体结构及其形成方法技术_技高网

半导体结构及其形成方法技术

技术编号:40579785 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-06 17:22
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有第一牺牲层,第一牺牲层上形成有沟道结构,包括一个或多个堆叠的沟道叠层,沟道叠层包括第二牺牲层和位于第二牺牲层上的沟道层,基底上还形成有横跨沟道结构的伪栅结构,其中,第一牺牲层的耐刻蚀度小于第二牺牲层的耐刻蚀度;去除伪栅结构两侧的沟道结构和第一牺牲层,形成贯穿沟道结构和第一牺牲层的第一沟槽;通过第一沟槽去除沟道结构底部的第一牺牲层,在沟道结构底部形成与第一沟槽相连通的第二沟槽;在第二沟槽中形成隔离层;形成隔离层后,在第一沟槽中形成源漏掺杂层。隔离层有效隔绝栅极结构和基底,从而减小栅极结构和基底之间产生漏电流的概率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请,权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请,权...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏博吴汉洙亚伯拉罕·庾张海洋
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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