【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高性能陶瓷粉体，具体涉及一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法。
技术介绍
1、高度集成化是5g基站的发展方向。陶瓷介质滤波器具有介电常数高、损耗低、小型化、可靠性高等优势，成为5g基站用滤波器的最优选择。当前国内5g基站陶瓷滤波器产能不足1亿只/年，未来3年的缺口量高达8亿只。制约国内高品质陶瓷滤波器产能提升的关键技术问题是：高性能滤波器陶瓷粉体的宏量制备和高品质陶瓷滤波器的规模化制备两大关键技术够待解决。
2、目前，高性能滤波器陶瓷粉体面临诸多问题，严重影响了5g基站的建站速度。在诸多的问题中，生产良品率较低，仅为70％左右，严重制约了生产速度，增加了生产成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法，解决现有技术中陶瓷粉体生产良品率较低的技术问题。
2、本专利技术公开了一种高良品率陶瓷粉体，该陶瓷粉体的化学表达式为mg0.9ca0.1zro3，烧结助剂为zno和v2o5。
3、进一步的，所述烧结助剂为1wt％zno和0.2-2.5wt％v2o5。
4、一种高良品率陶瓷粉体制备方法，包括如下步骤：
5、s1.将mgo和zro2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级mgzro3粉体；
6、s2.将cao和zro2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级cazro3粉体；
7、s3.将一级mgzro3粉体、一级cazro3粉体以及烧结助剂混合并进行二级球磨，二级球磨
8、进一步的，所述预烧温度为1200℃，并保温2h。
9、进一步的，所述预烧升温速率为5℃/min。
10、进一步的，步骤s3中所述一级mgzro3粉体和一级cazro3粉体按照摩尔比为9：1进行添加。
11、进一步的，所述烧结助剂为zno和v2o5。
12、进一步的，所述烧结助剂为1wt％zno和0.2-2.5wt％v2o5。
13、进一步的，所述烧结制度为先升温到500℃保温2h，再升温到1350℃保温4h。
14、进一步的，所述烧结的升温速率为2℃/min。
15、与现有技术相比，本专利技术具有的有益效果是：
16、1.本专利技术开发了mgzro3-cazro3系微波介质陶瓷，并通过引入zno和v2o5辅助烧结，使新的材料体系使陶瓷粉体的良品率大于90％，提高生产速率，降低生产成本。
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1.一种高良品率陶瓷粉体，其特征在于：该陶瓷粉体的化学表达式为Mg0.9Ca0.1ZrO3，烧结助剂为ZnO和V2O5。
2.根据权利要求1所述的一种高良品率陶瓷粉体，其特征在于：所述烧结助剂为1wt％ZnO和0.2-2.5wt％V2O5。
3.一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述预烧温度为1200℃，并保温2h。
5.根据权利要求4所述的一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述预烧升温速率为5℃/min。
6.根据权利要求3所述的一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：步骤S3中所述一级MgZrO3粉体和一级CaZrO3粉体按照摩尔比为9：1进行添加。
7.根据权利要求3所述的一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述烧结助剂为ZnO和V2O5。
8.根据权利要求7所述的一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述烧结助剂为1wt％ZnO和0.2-2.5wt％V2O5。
9.根据
10.根据权利要求9所述的一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述烧结的升温速率为2℃/min。
...【技术特征摘要】
1.一种高良品率陶瓷粉体，其特征在于：该陶瓷粉体的化学表达式为mg0.9ca0.1zro3，烧结助剂为zno和v2o5。
2.根据权利要求1所述的一种高良品率陶瓷粉体，其特征在于：所述烧结助剂为1wt％zno和0.2-2.5wt％v2o5。
3.一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述预烧温度为1200℃，并保温2h。
5.根据权利要求4所述的一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：所述预烧升温速率为5℃/min。
6.根据权利要求3所述的一种高良品率陶瓷粉体制备...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘显波，刘彤，李寅川，李绍敏，王正上，崔旭东，
申请(专利权)人：中物院成都科学技术发展中心，
类型：发明
国别省市：
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