一种MIM电容制造方法技术

本申请公开了一种MIM电容制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有金属层，所述金属层集成MIM电容的下极板；在所述衬底表面依次沉积介质层和绝缘层；采用光刻和刻蚀工艺，在所述绝缘层和介质层中形成沟槽；在所述沟槽和绝缘层上方沉积上极板金属层；去除位于所述沟槽外的所述上极板金属层，以形成所述MIM电容的上极板；进行后续工艺，以形成金属连接。本申请通过上述方案，能够节约生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件制造的，具体涉及一种mim电容制造方法。

技术介绍

1、电容作为一种最基础的无源器件，在各个电路中发挥各种不同的作用，包括滤波、耦合、储能等等。电容的结构一般是在两块导电极板之间间隔有具备一定介电常数的绝缘介质层来组成。在半导体制造工艺中，电容的极板通常由多晶硅膜或者金属薄膜来组成，而绝缘介质层则较多地采用氧化硅材质。对于采用金属膜来制作电容极板的工艺来说，这类电容我们称之为mim电容，其两极板的材质一般为铝或者铜，以及金属的化合物。mim电容具有电容密度高、精度高等优点，在半导体中有广泛的应用。

2、传统的铜制程产品集成mim电容工艺为了解决mim电容上极板透明度低导致光刻无法对位的问题，需要在上极板形成前增加对位层，增加了生产成本。

技术实现思路

1、为了降低生产成本，本申请提供了一种mim电容制造方法。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种mim电容制造方法，包括：

3、提供一衬底，所述衬底中形成有金属层，所述金属层集成mim电容的下极板；

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【技术保护点】

1.一种MIM电容制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面依次沉积介质层和绝缘层的步骤中，采用化学气相沉积工艺分别沉积所述介质层和绝缘层。

3.根据权利要求1-2任一所述的方法，其特征在于，所述介质层的厚度为300-1000A，所述绝缘层的厚度为1000-5000A。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用光刻和刻蚀工艺，在所述绝缘层和介质层中形成沟槽的步骤中，所述沟槽下方剩余的所述介质层的厚度在100-1000A的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟槽...

【技术特征摘要】

1.一种mim电容制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面依次沉积介质层和绝缘层的步骤中，采用化学气相沉积工艺分别沉积所述介质层和绝缘层。

3.根据权利要求1-2任一所述的方法，其特征在于，所述介质层的厚度为300-1000a，所述绝缘层的厚度为1000-5000a。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用光刻和刻蚀工艺，在所述绝缘层和介质层中形成沟槽的步骤中，所述沟槽下方剩余的所述介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：程久庚，高云飞，程刘锁，张继亮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：