【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制备工艺领域，尤其涉及一种氮气加热系统和尾气处理系统。
技术介绍
1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称dram)的制程中，通常会使用蒸镀装置，以形成dram器件中具有不同形状的图案化的结构层。
2、相关技术中，蒸镀装置的后端会设置有尾气处理系统，用于处理蒸镀装置中排出的废气，基于废气中存在大量的粉尘微粒，需要尾气处理系统将含有粉尘微粒的废气及时排出蒸镀装置。这样，可以避免粉尘微粒影响蒸镀过程，从而避免影响所形成的图形化的结构层的良率。
3、然而，上述的尾气处理系统中，粉尘微粒容易堵塞管路，导致尾气处理系统损坏，无法有效保证蒸镀装置的正常使用。
技术实现思路
1、本申请提供一种氮气加热系统和尾气处理系统，能够有效避免尾气管路的堵塞，保证尾气管路的使用安全性。当该尾气处理系统应用于蒸镀装置，可以有效保证蒸镀装置的正常使用。
2、第一方面，本申请提供一种氮气加热系统，包括：尾气管路、至少两个氮...
【技术保护点】
1.一种氮气加热系统，其特征在于，包括：尾气管路、至少两个氮气管路和至少两个氮气加热器；
2.根据权利要求1所述的氮气加热系统，其特征在于，靠近所述尾气进气口一侧的所述尾气管路的内径，大于靠近所述尾气出气口一侧的所述尾气管路的内径。
3.根据权利要求2所述的氮气加热系统，其特征在于，沿靠近所述尾气进气口一侧至靠近所述尾气出气口一侧，所述尾气管路的内径逐渐减小。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的氮气加热系统，其特征在于，设置有所述氮气进气口处的所述尾气管路的内径为第一数值，所述尾气出气口处的所述尾气管路的内径为第二数值；
<...【技术特征摘要】
1.一种氮气加热系统，其特征在于，包括：尾气管路、至少两个氮气管路和至少两个氮气加热器；
2.根据权利要求1所述的氮气加热系统，其特征在于，靠近所述尾气进气口一侧的所述尾气管路的内径，大于靠近所述尾气出气口一侧的所述尾气管路的内径。
3.根据权利要求2所述的氮气加热系统，其特征在于，沿靠近所述尾气进气口一侧至靠近所述尾气出气口一侧，所述尾气管路的内径逐渐减小。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的氮气加热系统，其特征在于，设置有所述氮气进气口处的所述尾气管路的内径为第一数值，所述尾气出气口处的所述尾气管路的内径为第二数值；
5.根据权利要求1-3中任一项所述的氮气加热系统，其特征在于，所述内壁面具有朝向所述尾气出气口的台阶面，所述匀气出气口位于所述台阶面上；
6.根据权利要求1-3中任一项所述的氮气加热系统，其特征在于，至少两个所述氮气进气口以所述尾气管路的中心线呈对称分布；和/或，多个所述匀气出气口以所述尾气管路的中心线呈对称分布；
7.根据权利要求1-3中任一项所述的氮气加热系统，其特征在于，至少两个所述氮气进气口位于垂直于所述尾气管路延伸方向的同一平面，且沿所述尾气管路的周向间隔设置。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的氮气...
【专利技术属性】
技术研发人员：王怀庆，陈宇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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