低温度干扰的高性能织物基湿度传感器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法。其制备方法为：将织物清洗干净后，自然晾干，然后干净的织物基材表面连接电极，接着将配好的复合导电溶液沉积到其表面，然后在50～120℃下干燥处理5～240min，得到湿度传感器。该传感器具有抗温度和压力双重交叉干扰、高灵敏性、低滞后性、快响应性、空气中存储稳定性高的优点；克服了现有技术同类传感器存在的加湿/初始时往往存在明显滞后性，响应时间慢，检测精确性低下，且不具备抗环境温度和压力双重干扰的技术缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可穿戴传感器，尤其涉及一种低温度干扰的高性能织物基湿度传感器及其制备方法。

技术介绍

1、可穿戴电子传感器件有望成为下一代智能纺织品，用于人机交互、健康监测和其他应用。然而，将电子功能集成到织物中，并在穿戴过程中保持其功能是一项巨大的挑战。湿度的测量和控制对提高人类生活质量具有重要意义。通过将传统湿度传感器集成到纺织面料上可实现湿度传感监测。

2、众所周知，湿度传感器的实际测试环境中必然存在温度变化、季节变化、室温变化以及与人体接触时温度的变化等众多环境干扰因素。一方面，这些环境干扰因素会导致湿度传感器的导电材料在检测过程中自身电阻发生变化，即，温度会导致基线漂移现象，这主要是由于水分子的吸附与解吸附本身直接受温度影响，温漂现象是湿度传感器普遍存在同时又非常难解决的问题。另一方面，湿度传感器在空气中放置一段时间后初始阻值发生变化，即基线的漂移。针对这个普遍存在又亟待解决的问题，制备一种具有低温度干扰性和高存储稳定性的高性能湿度传感器是一个非常重要的研究方向。

3、此外，柔性传感器在弯曲时，会存在一定的压力作用于传感器，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述导电材料为碳纳米管；所述导电材料的粒径为10nm～100nm，长度为0.5μm～50μm。

3.根据权利要求1所述的低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述导电材料为碳纳米管与第二导电纳米颗粒的混合物；所述碳纳米管与第二导电纳米颗粒的混合比例为10：(1～3)。

4.根据权利要求3所述的低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述第二导电纳米颗粒为...

【技术特征摘要】

1.一种低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述导电材料为碳纳米管；所述导电材料的粒径为10nm～100nm，长度为0.5μm～50μm。

3.根据权利要求1所述的低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述导电材料为碳纳米管与第二导电纳米颗粒的混合物；所述碳纳米管与第二导电纳米颗粒的混合比例为10：(1～3)。

4.根据权利要求3所述的低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述第二导电纳米颗粒为cb纳米颗粒、zno纳米颗粒、tio2纳米颗粒、sno纳米颗粒、nio纳米颗粒中的一种或多种混合。

5.根据权利要求1所述的低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述绿色溶剂为水、乙醇、甘油中的一种或者多种混合。

6.根据权利要求1所述的低温度干扰的高性能织物基湿度传感器的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王栋，杨丽燕，李沐芳，刘琪，刘运鹏，李小芳，
申请(专利权)人：武汉纺织大学，
类型：发明
国别省市：