一种低温无压烧结的高导热银膏及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低温无压烧结高导热银膏及其制备方法，所述的低温无压烧结高导热银膏包括以下质量百分比的组分：纳米片状银粉10～100％，微米片状银粉0～70％，镀铜/银金刚石0～50％，溶剂20～10％，分散剂0～5％。制备方法包括粉体预混、有机体系制备和三辊研磨等关键步骤。本发明专利技术生产的高导热银膏烧结后其剪切力不低于20MPa，导热率不低于100W/(m·K)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于封装装联材料领域，具体涉及一种低温无压烧结高导热银膏及其制备方法。

技术介绍

1、随着第三代半导体适应工作温度范围的拓宽理论工作温度可达300℃以上，传统的金锡合金焊料和导电胶工作温度需在280℃以下已经不能满足新一代大功率半导体器件散热和耐高温服役的要求，如banu等研究了sic sbd在-170～280℃温度下的长期工作稳定性；godignon等报道了具有耐高温和低温能力的300v/5a sic肖特基二极管，这些二极管可在-170～300℃下稳定工作，其稳定工作已超出普通金锡合金焊料和导电胶服役温度。无铅焊料和导电胶的局限性严重限制了其在大功率器件中高密度封装的应用，因此，基于纳米银的低温烧结互连技术应运而生。以纳米银为主体的低温无压烧结高导热银膏的主要特性之一就是低温烧结，高温服役。其烧结温度可低至150℃，甚至室温，再次熔化温度理论上可达到960℃。这种特性对于大功率芯片及复杂微系统产品集成具有明显优势，可以减少半导体器件封装过程中的热损伤，并减小烧结过程中的热失配，降低残余应力，提高器件可靠性，特别是在多级组装时，不再受温度梯度的影本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温无压烧结的高导热银膏，其特征在于，包含以下重量百分比组分：

2.根据权利要求1所述的高导热银膏，其特征在于，所述纳米片状银粉具有10～100nm的厚度，0.2～1.5μm的片径，表面包覆剂厚度小于3nm，以及zeta电位的绝对值小于30mV。

3.根据权利要求2所述的高导热银膏，其特征在于，所述纳米片状银粉的厚度为10～50nm，片径为0.4～1μm。

4.根据权利要求1所述的高导热银膏，其特征在于，所述微米片状银粉的D50小于15μm，振实密度大于3.0g/cm3，以及zeta电位的绝对值小于50mV。

5.根据权利要求4所述...

【技术特征摘要】

1.一种低温无压烧结的高导热银膏，其特征在于，包含以下重量百分比组分：

2.根据权利要求1所述的高导热银膏，其特征在于，所述纳米片状银粉具有10～100nm的厚度，0.2～1.5μm的片径，表面包覆剂厚度小于3nm，以及zeta电位的绝对值小于30mv。

3.根据权利要求2所述的高导热银膏，其特征在于，所述纳米片状银粉的厚度为10～50nm，片径为0.4～1μm。

4.根据权利要求1所述的高导热银膏，其特征在于，所述微米片状银粉的d50小于15μm，振实密度大于3.0g/cm3，以及zeta电位的绝对值小于50mv。

5.根据权利要求4所述的高导热银膏，其特征在于，所述微米片状银粉的振实密度大于5.0g/cm3。

6.根据权利要求1所述的高导热银...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彦弘，王琰诏，薛探龙，史琦，杨志民，罗君，陈峤，
申请(专利权)人：有研工程技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：