【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板清洗装置。
技术介绍
1、在半导体装置的制造工序中，有时要求以高清洁度对作为基板的半导体的晶片的表面进行清洗。例如，为了对基板的表面进行平坦化，进行化学机械研磨(cmp：chemicalmechanical polishing)。于是，在研磨后，颗粒(particle)(以下，设为污染物)附着于基板的表面。所述污染物为有机物、包含金属的研磨屑或浆料的残渣屑等。
2、此种污染物会妨碍平坦的成膜、或导致电路图案的短路，因此若残存有所述污染物，则会引起产品不良。因此，有必要通过利用清洗液对基板进行清洗来去除。作为进行此种清洗的装置，已知有使用旋转的刷的清洗装置(参照专利文献1)。
3、所述清洗装置具有刷清洗装置与旋转清洗装置。刷清洗装置是通过旋转的刷与清洗液对基板进行清洗的装置。即，当在旋转的基板的表面供给清洗液的同时使旋转的刷接触，使其向与基板平行的方向移动。通过清洗液使附着于基板的表面的污染物浮起，并通过刷排出至基板之外。因此，基板整体上被清洗。旋转清洗装置是向旋转的基板供给清洗液，并通过吹附气体而使其干燥的装置。
4、[现有技术文献]
5、[专利文献]
6、[专利文献1]日本专利特开2003-077877号公报
技术实现思路
1、[专利技术所要解决的问题]
2、若对研磨后的基板进行干燥，则会固着有研磨剂而难以进行去除。因此，在所述那样的基板清洗装置中，在连接于研磨装置的接收用的腔室中，在一
3、然而，基板的研磨面为拨水性，因此会产生亲水化不充分的情况。如此，即便在亲水化不充分的状态下进行刷清洗，也会产生因干燥而固着的研磨剂从而难以进行去除。
4、本专利技术的实施方式的目的在于提供一种基板清洗装置，其可防止研磨后的基板在亲水化不充分的状态下在清洗部被清洗。
5、[用于解决问题的技术手段]
6、为了解决所述课题，本专利技术的基板清洗装置具有：腔室，向其中搬入基板，所述基板具有通过研磨装置进行了研磨的研磨面；支撑部，设置于所述腔室内，并对所述基板进行支撑；供给部，将使所述研磨面亲水化的清洗液供给至被所述支撑部支撑的所述基板的所述研磨面；摄像部，从所述基板的侧面对供给了所述清洗液的所述研磨面进行拍摄；判定部，基于通过所述摄像部所拍摄到的图像判定能否进行亲水化；调整部，根据基于所述判定部的判定结果，对通过所述供给部进行的所述清洗液的供给进行调整；以及清洗部，连接于所述腔室，对通过所述清洗液进行了亲水化的所述研磨面进行清洗。
7、[专利技术的效果]
8、本专利技术的基板清洗装置可防止研磨后的基板在亲水化不充分的状态下在清洗部被清洗。
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1.一种基板清洗装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述摄像部在停止通过所述供给部进行的所述清洗液的供给的状态下，从通过所述支撑部在静止的状态下受到支撑的所述基板的侧面进行拍摄。
3.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述摄像部在所述基板的周围配置有多个。
6.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述判定部将成为通过所述清洗液进行了亲水化的状态的基准的所述基板的基准图像与对供给了所述清洗液且被所述支撑部支撑的状态的所述基板进行拍摄而得的拍摄图像加以比较，来判定能否进行亲水化。
7.根据权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，所述判定部是
【技术特征摘要】
1.一种基板清洗装置，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述摄像部在停止通过所述供给部进行的所述清洗液的供给的状态下，从通过所述支撑部在静止的状态下受到支撑的所述基板的侧面进行拍摄。
3.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：福冈洋太郎，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：
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