【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、以往，已知有具有沟槽栅结构的半导体装置(例如参照专利文献1-3)。
2、现有技术文献
3、专利文献1：日本特开2011-181886号公报
4、专利文献2：日本特开2014-75582号公报
5、专利文献3：日本特开2019-91892号公报
技术实现思路
1、技术问题
2、抑制二极管部的骤回，并且缓和沟槽部下端处的电场强度。
3、技术方案
4、为了解决上述问题，在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板。半导体基板具有上表面和下表面，在所述上表面与所述下表面之间可以包括第一导电型的漂移区。半导体基板可以设置有二极管部。在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具备第一导电型的阴极区，其设置于所述半导体基板的所述下表面与所述漂移区之间，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高。在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具备第二导电型的基区，其设置于所述半导体基板的所述上表面与所述漂移区之间。在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具备多个沟槽部，其从所述半导体基板的所述上表面设置到比所述基区更靠下方的位置，并且在所述半导体基板的所述上表面在沿第一方向并列地配置。在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具备第二导电型的第一下端区域，其配置于第一深度位置，且与两个以上的所述沟槽部的下端相接地设置。在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具备
5、在上述任一半导体装置中，沿深度方向对所述第一下端区域的掺杂浓度进行积分而得到的有效剂量可以为3×1011/cm2以上。在上述任一半导体装置中，所述第二下端区域可以是第一导电型的区域。在上述任一半导体装置中，所述第二下端区域可以是沿深度方向对掺杂浓度进行积分而得到的有效剂量小于3×1011/cm2的第二导电型的区域。
6、在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具备设置于所述第一深度位置与所述基区之间的第一导电型的中间区域。
7、在上述任一半导体装置中，所述中间区域的掺杂浓度可以比所述漂移区的掺杂浓度高。
8、在上述任一半导体装置中，所述第一下端区域与所述第二下端区域可以在所述第一方向上并列地配置。
9、在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具备多个台面部，所述多个台面部在所述半导体基板的内部分别被两个所述沟槽部夹持。在上述任一半导体装置中，所述多个台面部可以包括一个以上的第一台面部，一个以上的第一台面部与相邻的两个所述沟槽部的所述下端相接地配置有所述第一下端区域。在上述任一半导体装置中，所述多个台面部可以包括一个以上的第二台面部，一个以上的第二台面部与相邻的两个所述沟槽部的所述下端相接地配置有所述第二下端区域。在上述任一半导体装置中，所述第一台面部与所述第二台面部可以在所述第一方向上并列地配置。
10、在上述任一半导体装置中，至少一个所述第二台面部可以在所述第一方向上被两个所述第一台面部夹持地配置。
11、上述任一半导体装置可以具备设置于所述半导体基板的所述上表面的上方的上表面电极。在上述任一半导体装置中，至少一个所述第二台面部可以与所述上表面电极连接。
12、在上述任一半导体装置中，至少一个所述第一台面部可以与所述上表面电极绝缘。
13、在上述任一半导体装置中，至少一个所述第一台面部可以与所述上表面电极连接。
14、在上述任一半导体装置中，所述多个台面部可以包括第三台面部，所述第三台面部与相邻的两个所述沟槽部中的一个所述沟槽部的下端相接地配置有所述第一下端区域，并且与相邻的两个所述沟槽部中的另一个所述沟槽部的下端相接地配置有所述第二下端区域。在上述任一半导体装置中，所述第一台面部、所述第二台面部以及所述第三台面部可以在所述第一方向上并列地配置。
15、在上述任一半导体装置中，所述第三台面部可以在所述第一方向上配置在所述第一台面部与所述第二台面部之间。
16、在上述任一半导体装置中，在所述半导体基板可以设置有晶体管部，所述晶体管部在所述第一方向上与所述二极管部并列地配置，并且在所述半导体基板的所述下表面设置有第二导电型的集电区。在上述任一半导体装置中，所述晶体管部可以包括多个所述台面部。在上述任一半导体装置中，可以在所述晶体管部的多个所述台面部中的最靠近所述二极管部的所述台面部设置有所述第一下端区域。
17、上述任一半导体装置可以具备边界台面部，其设置于所述半导体基板，且配置于所述第一方向上的所述阴极区与所述集电区之间的边界的上方。上述任一半导体装置可以具备上表面电极，其配置于所述半导体基板的所述上表面的上方。在上述任一半导体装置中，所述边界台面部可以是与所述上表面电极连接的所述第一台面部。在上述任一半导体装置中，所述边界台面部是与所述上表面电极绝缘的所述第一台面部。
18、在上述任一半导体装置中，所述晶体管部的所述第一下端区域的掺杂浓度可以与所述二极管部的所述第一下端区域的掺杂浓度不同。
19、在上述任一半导体装置中，各个所述沟槽部可以在所述半导体基板的所述上表面在与所述第一方向不同的第二方向上具有长度。在上述任一半导体装置中，所述第一下端区域与所述第二下端区域可以在所述第二方向上并列地配置。
20、在上述任一半导体装置中，至少一个所述第二下端区域可以在所述第二方向上被所述第一下端区域夹持地配置。
21、上述任一半导体装置可以具备上表面电极，其配置于所述半导体基板的所述上表面的上方。上述任一半导体装置可以具备层间绝缘膜，其配置于所述上表面电极与所述半导体基板之间，且设置有将所述上表面电极与所述半导体基板连接的接触孔。在上述任一半导体装置中，至少一个所述第二下端区域可以具有在俯视时与所述接触孔重叠的部分。
22、在上述任一半导体装置中，所述二极管部可以具备第二导电型的接触区，所述第二导电型的接触区设置于所述基区与所述半导体基板的所述上表面之间，且掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高。在上述任一半导体装置中，至少一个所述第二下端区域可以具有在俯视时与所述接触区重叠的部分。
23、在上述任一半导体装置中，所述第一下端区域与所述第二下端区域可以在所述第一方向和所述第二方向这两个方向上并列地配置。
24、上述
技术实现思路
并未列举本专利技术的全部必要特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为专利技术。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，在所述上表面与所述下表面之间包括第一导电型的漂移区，并且设置有二极管部，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，>
15.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，
21.根据权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，
22.根据权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，
23.根据权利要求19所述的半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，在所述上表面与所述下表面之间包括第一导电型的漂移区，并且设置有二极管部，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
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