【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种改善翘曲的封装结构。
技术介绍
1、传统的晶圆级封装多采用扇入型封装，但随集成芯片信号输出引脚数目增加，对焊球间距的要求趋于严格，加上印刷电路板对于集成芯片封装后尺寸以及信号输出引脚位置的调整需求，因此扇出型封装被广泛应用。扇出型封装是采取拉线的方式将输出引脚引出，从而可以设置多种裸晶，类似晶圆级封装工艺埋入，从而减少封装层，从而降低了封装尺寸和成本。
2、多种裸晶的主体结构是通过一圈环氧树脂和顶部的环氧树脂膜完成支撑和散热的。但是环氧树脂膜的支撑性远不如基板，因此封装过程后会存在应力无法释放造成晶圆翘曲，进而影响良率。
技术实现思路
1、本技术提供一种改善翘曲的封装结构，改善产品的翘曲问题。
2、本技术实施例提供一种改善翘曲的封装结构，包括：晶圆、芯片单元、应力释放单元和封装层；
3、所述芯片单元以矩阵阵列方式焊接在所述晶圆上，其中，相邻的所述芯片单元之间具有等间距间隔，所述等间距间隔作为切割道；所述应力释放单元在所述切割道与所述芯片单元之间形成的空间内等间距设置；所述封装层覆盖所述芯片单元和所述切割道。
4、可选的，所述应力释放单元在所述切割道上的垂直投影，关于所述切割道长度方向上的中心线对称。
5、可选的，所述应力释放单元为硅片，所述硅片填充在所述切割道上，所述硅片的宽度小于所述切割道的宽度。
6、可选的，所述硅片的厚度小于或等于所述芯片单元焊接后的厚度。
<...【技术保护点】
1.一种改善翘曲的封装结构，其特征在于，包括：晶圆、芯片单元、应力释放单元和封装层；
2.根据权利要求1所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述应力释放单元在所述切割道上的垂直投影，关于所述切割道长度方向上的中心线对称。
3.根据权利要求1所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述应力释放单元为硅片，所述硅片填充在所述切割道上，所述硅片的宽度小于所述切割道的宽度。
4.根据权利要求3所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述硅片的厚度小于或等于所述芯片单元焊接后的厚度。
5.根据权利要求4所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述硅片尺寸为0.15mm*0.15mm。
6.根据权利要求1所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述应力释放单元为沉孔，所述沉孔设置在所述封装层上，沉孔在所述切割道上的垂直投影，关于所述切割道长度方向上的中心线对称。
7.根据权利要求6所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述沉孔的深度小于或等于所述封装层一半的厚度。
8.根据权利要求7所述的改善翘曲的封装结构，其特征
9.根据权利要求1-8任一所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，相邻所述应力释放单元之间的间隔为0.3mm。
10.根据权利要求1所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述切割道的宽度范围为0.2-0.5mm。
...【技术特征摘要】
1.一种改善翘曲的封装结构，其特征在于，包括：晶圆、芯片单元、应力释放单元和封装层；
2.根据权利要求1所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述应力释放单元在所述切割道上的垂直投影，关于所述切割道长度方向上的中心线对称。
3.根据权利要求1所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述应力释放单元为硅片，所述硅片填充在所述切割道上，所述硅片的宽度小于所述切割道的宽度。
4.根据权利要求3所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述硅片的厚度小于或等于所述芯片单元焊接后的厚度。
5.根据权利要求4所述的改善翘曲的封装结构，其特征在于，所述硅片尺寸为0.15mm*0.15mm。
...【专利技术属性】
技术研发人员：夏友力，周玲，刘彬，
申请(专利权)人：上海共进微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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