一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺制造方法及图纸

本申请公开了一种磷化铟多晶的合成装置和合成工艺，涉及化合物半导体材料制备技术领域。本申请提出的磷化铟多晶的合成工艺借助于双石英舟实现，并通过对双石英舟的上下石英舟的尺寸、放置在石英舟上的铟的质量以及合成过程的工艺条件进行控制，提升了磷化铟多晶的生产效率，实现了磷化铟多晶的高效合成。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及化合物半导体材料制备，尤其是涉及磷化铟多晶的合成装置和合成工艺。

技术介绍

1、磷化铟是一种具有优良特性的半导体材料，使用磷化铟衬底制作的半导体器件，具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，因此，磷化铟衬底被广泛用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。

2、磷化铟的制备方法包括磷化铟多晶合成技术、溶质扩散法、原位直接合成法、vgf法生长，其中，磷化铟多晶合成技术是将铟和高纯度磷通过多晶合成，得到磷化铟多晶料，然后再用磷化铟多晶料进行磷化铟单晶生长，该过程是通常在高温高压的环境下，将高纯度的红磷和金属铟置于密闭的容器中，然后通过调整温度和压力来进行合成。上述过程中，磷化铟的生长通常在单个石英舟中完成，因而每次只能得到一根单晶，该过程的制备效率低，无法满足当下磷化铟的应用需求。

3、现有技术中，为提高半导体材料的生产效率，对合成材料所使用的装置结构进行改进。例如，申请号为cn201922421357.8，名称为“一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置”的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磷化铟多晶的合成工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成工艺，其特征在于，在步骤S4中，所述高温区的降温过程按照如下方式进行：先以10-15℃/h的降温速率，使所述高温区的温度由1050-1150℃降至第一温区，再以15-20℃/h的降温速率使所述高温区的温度由所述第一温区降至第二温区，最后，以30-50℃/h的降温速率将所述高温区降温至10-30℃。

3.根据权利要求2所述的磷化铟多晶的合成工艺，其特征在于，在步骤S4中，所述第一温区的温度为900-950℃，所述第二温区的温度为500-550℃。p>

4.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种磷化铟多晶的合成工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成工艺，其特征在于，在步骤s4中，所述高温区的降温过程按照如下方式进行：先以10-15℃/h的降温速率，使所述高温区的温度由1050-1150℃降至第一温区，再以15-20℃/h的降温速率使所述高温区的温度由所述第一温区降至第二温区，最后，以30-50℃/h的降温速率将所述高温区降温至10-30℃。

3.根据权利要求2所述的磷化铟多晶的合成工艺，其特征在于，在步骤s4中，所述第一温区的温度为900-950℃，所述第二温区的温度为500-550℃。

4.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成工艺，其特征在于，在步骤s4中，所述低温区的降温速率为30-50℃/h。

5.根据权利要求1所述的磷化铟多晶的合成工艺，其特征在于，在步骤s3中，所述升温加热过程按照如下方式进行：先以40-50℃/h的升温速率，将所述高温区和所述低温区的温度由10-30℃升至550-650℃后，恒温2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈佳薇，范钦明，王新峰，陈政委，赵德刚，乔印彬，张宇峰，
申请(专利权)人：北京铭镓半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：