【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法。
技术介绍
1、平面肖特基产品（sbd）在一次金属层at/al上生长所需的复合钝化膜后或沟槽肖特基产品（tmbs）在势垒alsicu上生长所需的复合钝化膜后，形成如图1所示结构；形成图1结构后需进行复合钝化膜的刻蚀，形成图2所示结构，然后进行二次金属层ti/ni/ag沉积工艺。复合钝化膜围绕在势垒结周围，复合钝化膜的刻蚀是制程中的关键工艺，过刻蚀会直接影响后续金属填充工艺效果，形成图3-5所示状态；
2、图3为复合钟化膜扫描电子显微镜（sem）下过刻及角度异常示意图；
3、图4为高倍显微镜的芯片表面过刻示意图；
4、图5为高倍显微镜的芯片表面过刻示意图；
5、所以进行一种常温复合钝化膜刻蚀工艺研究发开发，提高产品的合格率是目前急需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术针对以上问题，提供了一种角度基本垂直，下层金属无刻蚀形貌，实现复合钝化膜刻蚀均匀性提高，选择比提升的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法。
2、本专利技术的技术方案是：
3、一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，包括以下步骤：
4、步骤s100，采用n型单晶si衬底晶圆，在si衬底上利用cvd淀积一层sin作为介质层，后经光刻匀胶—曝光—显影得到介质图形晶圆；
5、步骤s200，验证腔体工艺压力对复合钝化膜sin膜速率和均匀性及角度的影响，设定腔体工艺压力
6、步骤s300，验证射频功率对复合钝化膜sin膜速率和均匀性及角度的影响，设定射频功率为400~900w，通过响应曲面法试验最合适的射频功率；
7、步骤s400，验证o2流量对对复合钝化膜速率和均匀性及角度的影响，设定复合钝化膜sin膜o2流量为6~25sccm，通过响应曲面法试验最合适的 o2流量；
8、步骤s500，验证ar流量对复合钝化膜sin膜速率和均匀性及角度的影响，设定ar流量为100~300sccm，通过响应曲面法试验最合适的 ar 流量；
9、步骤s600，在si衬底上利用cvd淀积一层sio2作为介质层，后经光刻胶-曝光-显影得到介质图形晶圆；
10、步骤s700，验证腔体工艺压力对复合钝化膜sio2膜速率和均匀性及角度的影响，设定腔体工艺压力在350~850mtorr，通过响应曲面法试验最合适的腔体工艺压力；
11、步骤s800，验证射频功率对复合钝化膜sio2膜速率和均匀性及角度的影响，设定射频功率400~900w，通过响应曲面法试验最合适的射频功率；
12、步骤s900，验证o2流量对对复合钝化膜速率和均匀性及角度的影响，设定复合钝化膜sio2刻蚀o2流量为6~25sccm，通过响应曲面法试验最合适的 o2流量；
13、步骤s1000，验证ar流量对复合钝化膜速率和均匀性及角度的影响，设定ar流量为为100~300sccm，通过响应曲面法试验最合适的 ar 流量；
14、步骤s1100，结合复合钝化膜sin/sio2不同工艺条件，复合钝化膜sin膜刻蚀完毕时增加o2流量至20sccm进行复合钝化膜sio2膜刻蚀；最后加工完成，获得本案产品。
15、具体的，步骤s200中设定腔体工艺压力为650mtorr。
16、具体的，步骤s300中设定射频功率为700w。
17、具体的，步骤s400中o2流量为10sccm。
18、具体的，步骤s500中ar流量为300sccm。
19、具体的，步骤s700中腔体工艺压力在650mtorr。
20、具体的，步骤s800中射频功率为700w。
21、具体的，步骤s900中o2流量为20sccm。
22、具体的，步骤s1000中ar流量为300sccm。
23、本专利技术通过研究工艺压力，rf功率及cf4、chf3、ar和o2的比例对复合钝化膜刻蚀的影响，并分析常温刻蚀与冷冻刻蚀的原理差异，得到相对较优异的工艺菜单，利用该菜单可以得到角度基本垂直，下层金属无刻蚀形貌，实现复合钝化膜刻蚀均匀性提高，选择比提升，并成功应用于平面肖特基于沟槽肖特基器件的制作中，满足产品需求。
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1.一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤S200中设定腔体工艺压力为650mtorr。
3.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤S300中设定射频功率为700W。
4.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤S400中O2流量为10Sccm。
5.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤S500中AR流量为300Sccm。
6.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤S700中腔体工艺压力在650mtorr。
7.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤S800中射频功率为700W。
8.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤S900中O2流量为20Sccm。
9.根据权利要求1所述的一种
...【技术特征摘要】
1.一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤s200中设定腔体工艺压力为650mtorr。
3.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤s300中设定射频功率为700w。
4.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤s400中o2流量为10sccm。
5.根据权利要求1所述的一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法，其特征在于，步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩超，刘智，赵晓非，唐红梅，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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