【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路装置，并且更具体地，涉及支持数据恢复操作的集成电路存储器装置。
技术介绍
1、存储器装置是一种当需要时可写入和读取数据的储存装置。典型的存储器装置可包括：其中即使从装置去除电力也保持存储的数据的非易失性存储器(nvm)、以及其中当电力被去除时丢失存储的数据的易失性存储器(vm)。
2、在存储器装置中，可设置各种导线以控制设置在其中的多个存储器单元。这种导线的示例包括连接至存储器单元的字线和位线。
3、随着为了更大的存储而逐渐缩小存储器装置的大小并且提高其中的存储器单元的集成度，可能发生暂时性的劣化或永久性的劣化。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施例提供了一种集成电路存储器装置，其可检测其中具有由存储器单元磨损导致的分布不良的错误的存储器块，并且可利用改进的数据恢复方法恢复存储器块的数据，从而提高可靠性。
2、根据实施例的数据恢复方法可包括：(i)利用超过阈值电压的读取电压读取第一存储器块中的含磨损存储器单元的第一页和邻近于第一页的第二页，(ii)确定第一页中的包括“0”比特的列的位置与第二页中的包括“0”比特的列的位置的匹配率，以及(iii)当匹配率超过预定率时通过调整施加至另一页的字线的读取通过电压来读取第二页。在一些实施例中，含“0”比特的列可包括该页中除“0xff”以外的数据。预定率也可为90％或更大，并且读取电压的电压值可被设为预定默认值。
3、另外，通过调整施加至另一页的字线的读取通过电压来读取第二页
4、根据另一实施例，读取含磨损存储器单元的第一页和邻近于第一页的第二页的操作可包括：将读取电压施加至第一页的字线以及将读取通过电压施加至第二页的字线，以读取第一页；然后，通过将读取电压施加至第二页的字线并且然后将读取通过电压施加至第一页的字线来读取第二页。通过调整施加至另一页的字线的读取通过电压来读取第二页的操作可包括：在以预定间隔递增地增大读取通过电压的同时读取第二页。
5、另外，读取含磨损存储器单元的第一页和邻近于第一页的第二页的操作可包括：确定第一页中的“0”比特的数量是否超过预定数量；然后，当第一页中的“0”比特的数量超过预定数量时读取第二页。该预定数量可小于利用由存储器装置支持的ecc算法可校正的比特的数量。
6、在一些实施例中，数据恢复方法还可包括：利用ecc恢复第二页的数据；以及将第二页的恢复的数据写入至第二存储器块。数据恢复方法还可包括确定第一存储器块是否是不可校正的ecc(uecc)块，并且将第二页的恢复的数据写入至第二存储器块的操作可包括当第一存储器块是uecc块时将第二页的恢复的数据写入至第二存储器块。
7、根据另一实施例的半导体装置包括其中具有存储器单元阵列的存储器装置以及控制存储器装置的操作的存储器控制器。该存储器控制器可：(i)利用超过阈值电压的读取电压读取存储器单元阵列的第一存储器块中的含磨损存储器单元的第一页和邻近于第一页的第二页，(ii)确定第一页中的包括“0”比特的列的位置与第二页中的包括“0”比特的列的位置的匹配率，以及(iii)当匹配率超过预定率时通过调整施加至另一页的字线的读取通过电压来读取第二页。存储器控制器还可调整读取通过电压并且可将经调整的读取通过电压施加至该另一页的字线，以及通过将读取电压施加至第二页的字线来读取第二页。此外，存储器控制器可获得第二页中的“0”比特的数量小于预定数量时的电压值，并且通过将该电压值设为读取通过电压来读取第二页。存储器控制器还可确定第一页中的“0”比特的数量是否超过预定数量，并且当第一页中的“0”比特的数量超过预定数量时读取第二页。
8、根据另一实施例，一种数据恢复方法包括：利用超过阈值电压的读取电压读取第一页，然后当第一页中的“0xff”数据的数量小于第一预定数量时确定第一页包括磨损存储器单元，然后读取邻近于第一页的第二页并且恢复数据。在一些实施例中，数据恢复操作可包括：确定施加至除第二页以外的页的字线的通过电压，以及然后通过将读取电压施加至第二页的字线并且将磨损页电压施加至另一页的字线来读取第二页的数据。另外，确定待施加至除第二页以外的页的字线的通过电压的操作可包括：在调整通过电压的同时，确定当读取第二页时在第二页中的“0xff”数据的数量超过第二预定数量时的通过电压。
9、根据又一实施例，一种操作存储器装置的方法可包括：利用读取电压从第一存储器块读取其中包含至少一个磨损存储器单元的存储器单元的第一页；以及利用读取电压读取在第一存储器块中邻近于第一页延伸的存储器单元的第二页。另外，确定第一页中的包括“0”比特的列的位置与第二页中的包括“0”比特的列的位置之间的匹配率，以及随后当匹配率超过阈值匹配率时通过调整施加至第一存储器块中的另一页的字线的读取通过电压来读取第二页。
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1.一种操作存储器装置的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在包含“0”比特的对应页中，包含“0”比特的列包括除“0xFF”以外的数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阈值匹配率为至少90％。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述读取电压的电压值被设为预定默认值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过调整所述读取通过电压来读取所述第二页包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过调整所述读取通过电压来读取所述第二页包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述预定数量小于利用错误校正码可校正的比特的数量。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，读取所述第一页包括：通过将所述读取电压施加至所述第一页的字线并且将所述读取通过电压施加至所述第二页的字线来读取所述第一页；并且其中，利用读取电压读取存储器单元的所述第二页包括：通过将所述读取电压施加至所述第二页的字线并且将所述读取通过电压施加至所述第一页的字线来读取所述第二页。
9.根据权利要求1所述的方法，其
10.根据权利要求1所述的方法，其中，读取所述第一页包括：确定所述第一页中的“0”比特的数量是否超过预定数量；并且其中，当所述第一页中的“0”比特的数量超过所述预定数量时执行利用读取电压读取存储器单元的所述第二页。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述预定数量小于利用错误校正码可校正的比特的数量。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括：
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
14.一种半导体装置，包括：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述存储器控制器被配置为通过以下步骤来通过调整所述读取通过电压读取所述第二页：
16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述存储器控制器被配置为通过以下步骤来通过调整所述读取通过电压读取所述第二页：
17.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述存储器控制器被配置为：
18.一种数据恢复方法，包括：
19.根据权利要求18所述的方法，其中，恢复数据包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中，确定施加至除所述第二页以外的所述另一页的字线的通过电压包括：
...【技术特征摘要】
1.一种操作存储器装置的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在包含“0”比特的对应页中，包含“0”比特的列包括除“0xff”以外的数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阈值匹配率为至少90％。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述读取电压的电压值被设为预定默认值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过调整所述读取通过电压来读取所述第二页包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过调整所述读取通过电压来读取所述第二页包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述预定数量小于利用错误校正码可校正的比特的数量。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，读取所述第一页包括：通过将所述读取电压施加至所述第一页的字线并且将所述读取通过电压施加至所述第二页的字线来读取所述第一页；并且其中，利用读取电压读取存储器单元的所述第二页包括：通过将所述读取电压施加至所述第二页的字线并且将所述读取通过电压施加至所述第一页的字线来读取所述第二页。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，通过调整所述读取通过电压来读取所述第二页包括：在以预定间隔递增地调整所述读取通过电压的同时重...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴承俊，李晟键，金大原，李庚德，千允洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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