System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 环氧树脂组合物制造技术_技高网
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环氧树脂组合物制造技术

技术编号:40563516 阅读:9 留言:0更新日期:2024-03-05 19:27
本发明专利技术涉及一种能够用作半导体用填充材料的环氧树脂组合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够用作半导体用填充材料的环氧树脂组合物


技术介绍

1、根据半导体封装件的高速传输要求,线接合(wire bonding)方式被指出具有局限性从而在转换为倒装芯片接合(flip chip bonding)方式。在以倒装芯片接合方式制造半导体时,为了电连接半导体芯片和电路基板而使用凸块(bump),且用底部填充物(underfill)来填充空隙以保护凸块和芯片免受温度或冲击等外部压力的影响。为此,为了确保半导体封装件的优良的可靠性和再作业性而在进行用于提高底部填充物的物性的各种研究。作为一个例子,韩国公开专利10-2010-0020355公开了一种包含双酚类环氧树脂、硫醇类固化剂以及固化促进剂的半导体元件底部填充物用液态环氧树脂组合物。

2、最近,对于在高密度倒装芯片的安装上适用了铜柱(pillar)凸块的半导体封装件的需求在增加,与现有焊料凸块相比,铜柱具有如下优点:能够使凸块间距变小;减少铅的使用量,因而环保性好;导热性高,因而散热特性优良;电导率高,因而能够减小寄生电阻等。

3、底部填充物含有大量填料(filler),以确保密封的部位的耐湿性、耐热循环性的机械强度和尺寸稳定性。无机填料提高底部填充物的耐热循环性并控制由环氧树脂等有机材料制造的基板与半导体元件的热膨胀系数差。尤其是,在适用了铜柱的倒装芯片的情况下,在凸块与底部填充物内填料之间产生电位差,从而由于电泳效果而在铜柱周围部发生无机填料分离的现象。这样,在填料分离的情况下在超声波显微镜出现阴影差异,从而通过非破坏性检查就难以检测出空隙(void),且由于相分离而产生仅仅树脂单独存在的区域,因此存在产生热膨胀系数、吸湿率、模量等物性差异而导致可靠性变得脆弱的问题。


技术实现思路

1、所要解决的问题

2、本专利技术是为了解决如上所述的问题而研究出的,本专利技术提供一种环氧树脂组合物,其将环氧树脂组合物中的填料分离长度(filler segregation)控制在25μm以下,因而树脂与填料之间的相容性和分散性优良,从而填充微细间隙时提高注入性和作业性。另外,本专利技术提供一种使用上述环氧树脂组合物的半导体用填充材料,例如,提供底部填充物。

3、解决问题所采用的方案

4、本专利技术提供一种包含环氧树脂、固化剂以及平均粒度d50相异的两种填料且填料分离长度(filler segregation)为25μm以下的环氧树脂组合物。

5、专利技术的效果

6、本专利技术将环氧树脂组合物中的填料分离长度(filler segregation)控制在25μm以下,因而能够提高树脂与填料之间的相容性和分散性,其结果,能够提高适用其的半导体封装件的产品可靠性。不仅如此,使用注入性和填充性优良的根据本专利技术的环氧树脂组合物则在填充基板与芯片之间的微细间隙时能够抑制产生空隙。另外,根据本专利技术的环氧树脂组合物示出低的热膨胀系数(cte:coefficient of thermal expansion)和高的模量,因而在适用为半导体用填充材料、例如、适用为底部填充物时能够制造具有优良的可靠性的半导体封装件。

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【技术保护点】

1.一种环氧树脂组合物,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物,其中,

3.根据权利要求2所述的环氧树脂组合物,其中,

4.根据权利要求2所述的环氧树脂组合物,其中,

5.根据权利要求2所述的环氧树脂组合物,其中,

6.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物,其中,

7.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物,其中,

8.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物,其中,

9.一种底部填充物,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种环氧树脂组合物,其特征在于,

2.根据权利要求1所述的环氧树脂组合物,其中,

3.根据权利要求2所述的环氧树脂组合物,其中,

4.根据权利要求2所述的环氧树脂组合物,其中,

5.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李东烈李暻焕李欢希
申请(专利权)人:株式会社KCC
类型:发明
国别省市:

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