【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体上涉及封装在半导体装置封装中的功率放大器。
技术介绍
1、无线通信系统采用功率放大器来增大射频(rf)信号的功率。功率放大器可以各种方式实施，其中大部分功率放大器在印刷电路板(pcb)上实施。功率放大器的电路板实施方案可包括例如输入/输出(i/o)连接器(例如，同轴连接器)、耦合到pcb表面的表面安装组件(例如，有源和无源装置)，以及pcb上将连接器与表面安装组件互连的印刷迹线。
2、在一些情况下，功率放大器的初级放大部分包括连接到pcb的裸晶体管管芯。在一些情况下，管芯和pcb可利用塑料包封物进行包覆模制以保护管芯和其它组件免受环境影响。然而，不利的是，pcb材料和/或塑料包封可导致管芯性能显著退化，且因此可导致放大器整体的性能退化。因此，需要可解决这些问题的功率放大器设计。
技术实现思路
1、根据本专利技术的一个方面，提供一种具有第一装置表面和相对的第二装置表面的功率放大器装置，其特征在于，所述功率放大器装置包括：基板，其由呈交替布置的多个电介质层和多个图案化导电层的堆叠以及电连接所述图案化导电层的多个导电通孔形成，其中所述基板具有第一基板表面、相对的第二基板表面、在所述第一基板表面处暴露的第一组基板管芯接触件以及被定义为所述第一基板表面的一部分的位于所述第一组基板管芯接触件之间的第一区；第一气腔，其穿过所述第一区延伸到所述基板中，其中所述第一气腔具有在所述第一基板表面处的近侧末端；以及第一功率晶体管管芯，其具有第一管芯表面和相对的第二管芯表面，并且包
2、根据一个或多个实施例，功率放大器装置另外包括在所述第一气腔的远侧末端处的金属盖。
3、根据一个或多个实施例，所述第一气腔的所述近侧末端由所述第一基板表面中的开口限定，并且所述开口的面积为所述第一功率晶体管管芯的占据面积大小的至少一半。
4、根据一个或多个实施例，所述第一气腔从所述第一基板表面延伸穿过所述多个电介质层中的所有电介质层。
5、根据一个或多个实施例，所述第一气腔从所述第一基板表面延伸穿过所述多个电介质层中的至少一个但不到所有电介质层。
6、根据一个或多个实施例，所述多个电介质层中的最外电介质层部分地限定所述第一基板表面，并且所述第一组基板管芯接触件通过所述最外电介质层中的开口暴露。
7、根据一个或多个实施例，功率放大器装置另外包括：第一导电互连件，其延伸穿过所述最外电介质层且具有在所述第一基板表面处暴露的第一末端和电耦合到所述多个图案化导电层的第二末端，并且其中所述第一导电互连件电耦合到所述控制端；以及第二导电互连件，其延伸穿过所述最外电介质层且具有在所述第一基板表面处暴露的第一末端和电耦合到所述多个图案化导电层的第二末端，并且其中所述第二导电互连件电耦合到所述第一导电端。
8、根据一个或多个实施例，所述基板另外包括在所述第二基板表面处暴露的多个额外基板接触件；并且所述功率放大器装置另外包括在所述第二基板表面处连接到所述多个额外基板组件的一个或多个表面安装组件，其中所述一个或多个表面安装组件通过所述图案化导电层和所述导电通孔电耦合到所述第一管芯接触件和所述第二管芯接触件，以及覆盖所述一个或多个表面安装组件和所述第二基板表面的包封材料层，其中所述包封材料层限定所述功率放大器装置的所述第二装置表面。
9、根据一个或多个实施例，功率放大器装置另外包括：第一导电互连件，其延伸穿过所述包封材料层且具有在所述第二基板表面处暴露的第一末端和电耦合到所述多个图案化导电层的第二末端，并且其中所述第一导电互连件电耦合到所述控制端；以及第二导电互连件，其延伸穿过所述包封材料层且具有在所述第二基板表面处暴露的第一末端和电耦合到所述多个图案化导电层的第二末端，并且其中所述第二导电互连件电耦合到所述第一导电端。
10、根据一个或多个实施例，所述一个或多个表面安装组件形成放大器电路系统的部分，所述放大器电路系统选自前置放大器晶体管、功率分配电路系统、谐波终端电路系统、电感器、电容器和阻抗匹配电路系统。
11、根据一个或多个实施例，功率放大器装置另外包括：第一侧端，其从所述基板的第一侧延伸且具有暴露的第一末端和电耦合到所述多个图案化导电层的第二末端，并且其中所述第一侧端电耦合到所述控制端；以及第二侧端，其从所述基板的第二侧延伸且具有暴露的第一末端和电耦合到所述多个图案化导电层的第二末端，并且其中所述第二侧端电耦合到所述第一导电端。
12、根据一个或多个实施例，所述第一功率晶体管管芯另外包括在所述第二管芯表面处的第三管芯接触件，其中所述第三管芯接触件包括在所述第二管芯表面处的导电层；并且所述功率放大器装置另外包括利用管芯附接材料耦合到所述导电层的热结构。
13、根据一个或多个实施例，所述第一基板接触件和所述第二基板接触件位于所述第一基板表面处，所述功率放大器装置另外包括覆盖所述第一功率晶体管管芯和所述第一基板表面的包封材料层，其中所述包封材料层限定所述功率放大器装置的所述第一表面。
14、根据一个或多个实施例，功率放大器装置另外包括：第一导电互连件，其延伸穿过所述包封材料层且具有在所述第一基板表面处暴露的第一末端和电耦合到所述多个图案化导电层的第二末端，并且其中所述第一导电互连件电耦合到所述控制端；以及第二导电互连件，其延伸穿过所述包封材料层且具有在所述第一基板表面处暴露的第一末端和电耦合到所述多个图案化导电层的第二末端，并且其中所述第二导电互连件电耦合到所述第一导电端。
15、根据一个或多个实施例，功率放大器装置另外包括：在所述第一基板表面处暴露的第二组基板管芯接触件，以及被定义为所述基板的一部分的位于所述第二组基板管芯接触件之间的第二区；第二功率晶体管管芯，其具有第三管芯表面和相对的第四管芯表面，并且包括在所述第三管芯表面处且分别连接到所述第二组基板管芯接触件中的第三基板接触件和第四基板接触件的第三管芯接触件和第四管芯接触件，以及在所述第二功率晶体管管芯的有源区域中的至少一个额外集成晶体管，其中所述至少一个额外集成晶体管包括耦合到所述第三管芯接触件的控制端以及耦合到所述第四管芯接触件的第一导电端；以及穿过所述基板的所述第二区延伸到所述基板中的第二气腔，其中所述第二气腔具有与所述第二功率晶体管管芯的所述有源区域对准的近侧末端。
16、根据一个或多个实施例，所述第一功率晶体管管芯和所述第二功率晶体管管芯包括多尔蒂功率放大器的载波放大器管芯和峰化放大器管芯。
17、根据本专利技术的第二方面，提供一种放大器系统，包括：系统基板；以及耦合到所述系本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种具有第一装置表面和相对的第二装置表面的功率放大器装置，其特征在于，所述功率放大器装置包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于，另外包括：
3.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于，所述第一气腔的所述近侧末端由所述第一基板表面中的开口限定，并且所述开口的面积为所述第一功率晶体管管芯的占据面积大小的至少一半。
4.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于，所述第一气腔从所述第一基板表面延伸穿过所述多个电介质层中的所有电介质层。
5.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于，所述第一气腔从所述第一基板表面延伸穿过所述多个电介质层中的至少一个但不到所有电介质层。
6.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于，所述多个电介质层中的最外电介质层部分地限定所述第一基板表面，并且所述第一组基板管芯接触件通过所述最外电介质层中的开口暴露。
7.根据权利要求6所述的功率放大器装置，其特征在于，另外包括：
8.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种具有第一装置表面和相对的第二装置表面的功率放大器装置，其特征在于，所述功率放大器装置包括：
2.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于，另外包括：
3.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于，所述第一气腔的所述近侧末端由所述第一基板表面中的开口限定，并且所述开口的面积为所述第一功率晶体管管芯的占据面积大小的至少一半。
4.根据权利要求1所述的功率放大器装置，其特征在于，所述第一气腔从所述第一基板表面延伸穿过所述多个电介质层中的所有电介质层。
5.根据权利要求1所述的功率放大器装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·金，维卡斯·希利姆卡，约瑟夫·格拉德·舒尔茨，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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