【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种发光芯片制备方法、及通过该发光芯片制备方法制作的发光芯片。
技术介绍
1、在发光芯片的制程中，通常会在发光芯片的非出光一侧制作反射膜层，例如dbr(distributed bragg reflector，分布式布拉格反射镜)膜层，以提高发光芯片的出光效率。
2、而随着发光芯片的尺寸逐渐减小，如发光芯片的尺寸为04×08mil时，由于电极与反射膜层的接触面积急剧减小，且反射膜层的膜质性能不佳，进而在对发光芯片进行推拉力测试时，可能造成反射膜层断裂的情况，从而影响发光芯片的出光效率，降低发光芯片的制造良品率。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种用于提高反射膜层性能并提高发光芯片的制造良品率的发光芯片制备方法。本申请还提供一种通过该发光芯片制备方法制造的发光芯片。
2、本申请提供一种发光芯片制备方法，包括：在衬底上依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层，并在第二半导体层背离衬底的表面依次制作透明导电层和介质薄膜层，第一半导体层与第二半导体层用于配合驱动发光层出射光线；在介质薄膜层表面沉积过渡子层，并基于预设电压和预设电流在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，其中，预设电压为1300～1500v，预设电流为1200～1500ma，过渡子层、交替的多个第一反射子膜层和第二反射子膜层共同构成反射膜层；在反射膜层背离衬底的一侧制作两个电极，两个电极分别与第一半导体层和透明导电层连通。p>
3、在本实施例中，通过在衬底上依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层，并通过在反射膜层背离衬底的一侧制作两个电极，设置两个电极分别与第一半导体层和透明导电层连通，能够通过两个电极分别向第一半导体层和透明导电层通入电流，进而使得第一半导体层和第二半导体层能够驱动发光层发出光线，即通过第一半导体层和第二半导体层的配合，能够驱动发光层发射光线。通过在第二半导体层背离衬底的表面制作透明导电层，能够使透明导电层作为第二半导体层的欧姆接触层，以用于使注入至第二半导体层中的电流快速且均匀的扩散，增加电子的活跃性能，进而提高发光层的发光效率。通过设置介质薄膜层，能够对第一半导体层、发光层、第二半导体层和透明导电层形成密封保护的效果。
4、通过在介质薄膜层表面沉积过渡子层，能够增加过渡子层与介质薄膜层之间的粘附性，进而提高介质薄膜层和过渡子层之间的连接可靠性。通过设置预设电压为1300～1500v，预设电流为1200～1500ma，并基于此条件下在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，能够增加用于蒸镀第一反射子膜层和第二反射子膜层的等离子气体的浓度和能量，使得该浓度和能量下的等离子气体具有较强的刻蚀作用，以提高第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜层致密性，进而实现提高增强膜质性能的效果。
5、进一步的，通过本申请发光芯片制备方法，能够提升反射膜层的膜层致密性，以提升反射膜层的膜质和膜层性能，能够避免反射膜层出现断裂的情况，进而在提高反射膜层的反射效果的同时，保证反射膜层的反射可靠性，并提高通过本申请发光芯片制备方法制作的发光芯片的制造良品率和出光效率。
6、一种实施例，基于预设电压和预设电流在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：基于预设电压和预设电流在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，其中，第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜厚越大，预设电压和预设电流均越小。
7、在本实施例中，当第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜厚越大时，通过设置预设电压和预设电流均越小，使得在沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层时，能够依据第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜厚而调整预设电压和预设电流的值，进而使得预设电压和预设电流能够与第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜厚形成较好的匹配效果，以使得沉积时的预设电压和预设电流能够适应不同的膜厚，进一步提高反射膜层的膜质和性能。
8、一种实施例，基于预设电压和预设电流在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：基于预设电压和预设电流在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，其中，第一反射子膜层或第二反射子膜层的膜厚越大，预设电压和预设电流均越小。
9、一种实施例，基于预设电压和预设电流在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：基于预设电压、预设电流和预设加速电压在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，其中，预设加速电压为800～1000v。
10、在本实施例中，通过设置预设加速电压为800～1000v，能够将沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层时的等离子气体的动能增加10％～25％，进而进一步提高沉积形成的反射膜层的膜质。
11、一种实施例，基于预设电压、预设电流和预设加速电压在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：基于预设电压、预设电流和预设加速电压在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，其中，第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜厚越大，预设加速电压越大。
12、在本实施例中，当第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜厚越大时，通过设置预设加速电压越大，使得在沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层时，能够依据第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜厚而调整预设加速电压的值，进而使得预设加速电压能够与第一反射子膜层和第二反射子膜层的膜厚形成较好的匹配效果，以使得沉积时的预设加速电压能够适应不同的膜厚。即，通过基于不同的膜厚以调整预设加速电压，能够在沉积时，基于不同的膜厚对应调整等离子气体蒸镀时的动能，以进一步提高反射膜层的膜质和性能。
13、一种实施例，基于预设电压、预设电流和预设加速电压在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：基于预设电压、预设电流和预设加速电压在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，其中，第一反射子膜层或第二反射子膜层的膜厚越大，预设加速电压越大。
14、一种实施例，基于预设电压和预设电流在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：基于预设电压、预设电流和预设氧气浓度在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，其中，预设氧气浓度为40～120sccm。
15、一种实施例，基于预设电压、预设电流和预设氧气浓度在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：基于预设电压、预设电流和预设氧气浓度在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，其中，对应第一反射子膜层的预设氧气浓度为60～120sccm，对应第二反射子膜层的预设氧气浓度为40～70sccm。
16、一种实施例，基于预设电压、预设电流和预设氧气浓度在过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光芯片制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
3.根据权利要求1所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
4.根据权利要求3所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于所述预设电压、所述预设电流和预设氧气浓度在所述过渡子层上依次交替层叠沉积所述第一反射子膜层和所述第二反射子膜层，包括：
5.根据权利要求1所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
7.根据权利要求6所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设
8.根据权利要求7所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
9.根据权利要求6所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述在所述介质薄膜层表面沉积过渡子层，包括：
10.一种发光芯片，其特征在于，包括衬底和依次层叠于所述衬底表面的第一半导体层、发光层、第二半导体层、透明导电层、介质薄膜层和反射膜层，在所述反射膜层背离所述衬底的一侧设有两个电极，两个所述电极分别与所述第一半导体层和所述透明导电层连通，所述反射膜层包括过渡子层、以及交替层叠的第一反射子膜层和第二反射子膜层，所述过渡子层连接于所述介质薄膜层和所述第一反射子膜层之间，所述过渡子层的膜厚为400～800nm，所述第一反射子膜层的膜厚为60～150nm，所述第二反射子膜层的膜厚为40～120nm。
...【技术特征摘要】
1.一种发光芯片制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
3.根据权利要求1所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
4.根据权利要求3所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于所述预设电压、所述预设电流和预设氧气浓度在所述过渡子层上依次交替层叠沉积所述第一反射子膜层和所述第二反射子膜层，包括：
5.根据权利要求1所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的发光芯片制备方法，其特征在于，所述基于预设电压和预设电流在所述过渡子层上依次交替层叠沉积第一反射子膜层和第二反射子膜层，包括：
7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王怀超，杨然翔，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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