【技术实现步骤摘要】
本申请涉及结构封装，特别涉及一种封装结构及方法。
技术介绍
1、塑封工艺为采用塑封料对待封装件进行密封，例如对半导体芯片进行密封，以实现对待封装件的结构防护，例如，隔离外部水汽，提高结构强度等。
2、待封装件的密封后可以得到不同的封装体，可以将不同的封装体进行堆叠得到具有一定功能的半导体器件,例如电容元件。在半导体芯片的封装集成中，集成更多的器件意味着更多的布局面积、更高的器件成本、更大的封装体积。电容元件常用于集成电路中作为电子无源器件，具有储能、滤波、隔直等功能，是大量使用的元件之一。目前，半导体工艺中常见的电容结构有金属氧化物半导体(mos)电容、pn结电容以及金属-绝缘-金属(mim)电容等。但此类电容单位面积电容值较低。
3、因此若要获得更大容量的电容，就需要占据非常大的芯片面积，增加了芯片成本。而如分立器件中的贴片电容常采用多层叉指电极结构，可以具有很大的容值，但体积大，与半导体工艺不兼容，也不便于与集成电路芯片进行小型化封装。
4、因此，如何减小电容在封装体内的占用空间且保证电容的容值够大成为了亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种封装结构及方法，解决了现有技术中电容结构包含需要裁切的一次成型的膜导致无法量产的技术问题。
2、第一方面，本申请的一些实施例提供了一种封装结构，该封装结构包括沿第一方向依次堆叠的电容结构、封装层和重新再布线层，其中，上述封装层包括一个或多个导电孔；上述重新再布线层包括一个或
3、从而利用封装体表面构建出平板结构的电容，不占据过多的封装体体积，且无需切割一次成型的膜，加工难度低，易于工艺实现。
4、在上述第一方面的一些实施方式中，上述第一电极层通过上述重新再布线层与晶圆电连接，其中，上述重新再布线层铺设于沿厚度方向的一侧表面。
5、在上述第一方面的一些实施方式中，上述介质层由绝缘材质构成。
6、在上述第一方面的一些实施方式中，上述封装结构还包括引脚层，上述引脚层沿第二方向与上述重新再布线层电连接，其中，上述第二方向与上述第一方向相背。
7、在上述第一方面的一些实施方式中，上述封装层包括晶圆层，并且，上述一个或多个导电孔位于上述晶圆层的内部。
8、在上述第一方面的一些实施方式中，上述封装结构还包括基板，其中，上述重新再布线层为上述基板的电路，上述基板还包括背向上述一个或多个导电孔一侧表面的引脚层。
9、在上述第一方面的一些实施方式中，上述封装层包括被塑封后的晶圆，其中，上述晶圆贴装于上述重新再布线层背向上述引脚层的一侧表面。
10、在上述第一方面的一些实施方式中，上述一个或多个导电孔位于覆盖于上述晶圆和上述晶圆以外的重新再布线层上的封装层内。
11、在上述第一方面的一些实施方式中，上述引脚层包括多个球状引脚，用于为上述封装结构引入和/或引出电信号。
12、第二方面，本申请的一些实施例还提供了一种封装方法，该方法包括：获取重新再布线层；对封装层制备一个或多个导电孔；以及在包含一个或多个导电孔的封装层上形成电容结构，并且，上述在包含一个或多个导电孔的封装层上形成电容结构的方法包括：在上述封装层上形成第一电极层，以使得第一电极层通过上述一个或多个导电孔与上述重新再布线层的一个或多个第一电极电连接；在上述第一电极层上形成介质层；在上述介质层上形成第二电极层，上述第二电极层铺设于上述介质层背向上述第一电极层的一侧表面并延伸至四周侧壁，以使得上述第二电极层与四周侧壁中暴露的重新再布线层的一个或多个第二电极电连接，并且，上述第一电极层与上述第二电极层绝缘。
13、在上述第二方面的一些实施方式中，上述对封装层制备一个或多个导电孔，包括：对上述封装层制作一个或多个通孔，在上述一个或多个通孔内铺设导电体，得到一个或多个导电孔。
14、在上述第二方面的一些实施方式中，上述封装层仅包括晶圆层。
15、在上述第二方面的一些实施方式中，上述获取重新再布线层包括：获取基板，上述基板中包含上述重新再布线层。
16、在上述第二方面的一些实施方式中，上述制备基板之后，还包括：在上述基板上贴装晶圆。
17、在上述第二方面的一些实施方式中，上述封装层包括被塑封材料塑封后的晶圆，并且，
18、上述对封装层制备一个或多个导电孔之前，还包括：
19、对贴装有晶圆的基板使用塑封材料进行塑封，得到被塑封材料包裹的晶圆和基板，其中，上述塑封材料包括可熔融的材料。
20、在上述第二方面的一些实施方式中，上述在上述封装层上形成第一电极层，包括：在上述封装层背向上述重新再布线层的一侧表面部分地铺设第一电极层。
21、在上述第二方面的一些实施方式中，上述制备重新再布线层之后，还包括：在上述重新再布线层的一侧表面铺设引脚层，其中，上述引脚层包括多个球状引脚。
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1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括沿第一方向依次堆叠的电容结构、封装层和重新再布线层，其中，
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电极层通过所述重新再布线层与晶圆电连接，其中，所述重新再布线层铺设于沿厚度方向的一侧表面。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述介质层由绝缘材质构成。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括引脚层，所述引脚层沿第二方向与所述重新再布线层电连接，其中，所述第二方向与所述第一方向相背。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述封装层包括晶圆层，并且，所述一个或多个导电孔位于所述晶圆层的内部。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括基板，其中，所述重新再布线层为所述基板的电路，所述基板还包括背向所述一个或多个导电孔一侧表面的引脚层。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述封装层包括被塑封后的晶圆，其中，所述晶圆贴装于所述重新再布线层背向所述引脚层的一侧表面。
9.根据权利要求4或6所述的封装结构，其特征在于，所述引脚层包括多个球状引脚，用于为所述封装结构引入和/或引出电信号。
10.一种封装方法，其特征在于，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述对封装层制备一个或多个导电孔，包括：
12.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述封装层仅包括晶圆层。
13.根据权利要求10所述的封装方法，其特征在于，所述获取重新再布线层包括：
14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述制备基板之后，还包括：
15.根据权利要求14所述的封装方法，其特征在于，所述封装层包括被塑封材料塑封后的晶圆，并且，
16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述封装层上形成第一电极层，包括：
17.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述制备重新再布线层之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括沿第一方向依次堆叠的电容结构、封装层和重新再布线层，其中，
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电极层通过所述重新再布线层与晶圆电连接，其中，所述重新再布线层铺设于沿厚度方向的一侧表面。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述介质层由绝缘材质构成。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括引脚层，所述引脚层沿第二方向与所述重新再布线层电连接，其中，所述第二方向与所述第一方向相背。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述封装层包括晶圆层，并且，所述一个或多个导电孔位于所述晶圆层的内部。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括基板，其中，所述重新再布线层为所述基板的电路，所述基板还包括背向所述一个或多个导电孔一侧表面的引脚层。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述封装层包括被塑封后的晶圆，其中，所述晶圆贴装于所述重新再布线层背向所述引脚层的一侧表面。
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【专利技术属性】
技术研发人员：窦志敏，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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