【技术实现步骤摘要】
本申请属于驱动电路，具体涉及一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路。
技术介绍
1、绝缘栅双极晶体管(igbt，insulated gate bipolar transistor)被广范应用于大功率电路中，例如空调控制电路、电磁炉控制电路、电机驱动电路等。其中，通过igbt的驱动电路，来实现igbt的开通和关断。
2、在先技术中，igbt所在的驱动电路经常出现浪涌电流、静电、寄生电感产生尖峰电压等情况，这些情况将产生异常电压和异常电流，而这些异常电压和异常电流超过了igbt自身所能承受的范围，导致igbt异常。
3、需要说明的是，igbt异常包括igbt异常开通、igbt损坏等。
技术实现思路
1、本申请旨在提供一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，至少解决在先技术中由于绝缘栅双极晶体管所在驱动电路的异常电压和异常电流，导致绝缘栅双极晶体管异常的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
3、本申请实施例提供了一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，所述电路包括：控制子电路、过流保护子电路、稳压子电路、钳制子电路、绝缘栅双极晶体管；
4、所述控制子电路分别与所述过流保护子电路、所述稳压子电路、所述钳制子电路连接，所述缘栅双极晶体管分别与所述过流保护子电路、所述稳压子电路、所述钳制子电路、所述控制子电路连接；
5、所述控制子电路用于响应于控制指令，控制所述绝缘栅双极晶体管开通或关闭；所述过流保护子电路用于采集所述绝缘栅双极
6、在本申请实施例中，通过控制子电路响应于控制指令，控制绝缘栅双极晶体管开通或关闭，来实现绝缘栅双极晶体管的开通和关闭。通过过流保护子电路采集绝缘栅双极晶体管的电流值，并在电流值大于预设的电流阈值的情况下，使得控制子电路关断绝缘栅双极晶体管，以降低绝缘栅双极晶体管受到电流值大于电流阈值的电流的伤害，和通过稳压子电路降低绝缘栅双极晶体管产生的lc震荡电压，使得绝缘栅双极晶体管获得稳定的电压，以及通过钳制子电路在绝缘栅双极晶体管关断的情况下，使得控制子电路的第一接地端与绝缘栅双极晶体管的第二接地端之间的电压差值处于预设差值，其中，预设差值小于绝缘栅双极晶体管的导通电压值，以降低由于第一接地端与第二接地端之间的电压差值大于绝缘栅双极晶体管的导通电压值，导致绝缘栅双极晶体管异常开通，从而降低了由于绝缘栅双极晶体管所在驱动电路的异常电压和异常电流，导致绝缘栅双极晶体管异常的可能性，解决了在先技术中由于绝缘栅双极晶体管所在驱动电路的异常电压和异常电流，导致绝缘栅双极晶体管异常的问题。
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1.一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，包括：控制子电路、过流保护子电路、稳压子电路、钳制子电路、绝缘栅双极晶体管；
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述过流保护子电路包括电流采样器件、开关控制分子电路、开关器件；
3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述电流采样器件为电流采样电阻，所述开关器件为第一MOS管，所述开关控制分子电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、运算放大器；
4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述电流采样电阻用于采集所述绝缘栅双极晶体管的发射极输出的电流值；
5.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述开关控制分子电路还包括第三二极管；
6.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述过流保护子电路还包括第一电源、保护二极管；
7.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述开关控制分子电路还包括第二电源；
8.根据权利
9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述稳压子电路包括第四电阻；
10.根据权利要求9所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述稳压子电路还包括TVS管；
11.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述控制子电路包括第三电源、第二MOS管、第三MOS管、反相器；
12.根据权利要求11所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述第三电源用于为所述第二MOS管、所述第三MOS管供电；
...【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，包括：控制子电路、过流保护子电路、稳压子电路、钳制子电路、绝缘栅双极晶体管；
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述过流保护子电路包括电流采样器件、开关控制分子电路、开关器件；
3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述电流采样器件为电流采样电阻，所述开关器件为第一mos管，所述开关控制分子电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、运算放大器；
4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述电流采样电阻用于采集所述绝缘栅双极晶体管的发射极输出的电流值；
5.根据权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路，其特征在于，所述开关控制分子电路还包括第三二极管；
6.根据权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管的驱动电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖观迁，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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