【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种低折叠瓦电池背膜及制造工艺，属于叠瓦电池。
技术介绍
1、叠瓦电池通过在晶体硅电池片上叠放多个薄薄的片层来增加其效率，其使光线穿过多个电池片层,从而利用更多的太阳能。
2、中国专利cn114914322a，公开了一种n型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法。其包括以下步骤：取用6-10重量份的碳、12-15重量份的氯化氢、6-10重量份的二氧化硅、1-2重量份的扩散剂、6-8重量份的硼、氮和磷混合料；加热二氧化硅并投入碳，使得硅被还原得到粗硅，投入氯化氢，对粗硅提纯得到精硅；对精硅沉积得到单质硅，使得单质硅熔融，投入扩散剂改变透光性，并投入硼、氮和磷，使得单质硅冷却凝固形成含有硼、氮和磷杂质的高纯度单晶硅；对单晶硅进行切片，将单晶硅切割成多个方片，并将多个方片叠加排版，焊接制作成串，并对其进行层压形成叠瓦片。该专利通过磷中掺杂了预定量的硼和氮，由磷引起的晶格畸变可以由硼可靠地补偿，从而当在从所生产的晶锭获得的半导体衬底的表面上形成外延层时，可以避免产生错位。通过投入有机硅光扩散剂，向单晶硅内加入后，有机硅光扩散剂会以一种细微的透明玻璃球体均匀的分散在基体中，通过与不同基材的折射率的差异，光源穿透式的进行折射，改变光的行进路线，达到匀光而又透光的目的，并且二氧化硅和有机硅光散剂配合，使得二氧化钙被还原时，部分有机硅光扩散剂会形成二氧化硅，从而增加了单晶硅的纯度。
3、中国专利cn 110350051 a，公开了一种含氮化合物晶硅叠瓦双面太阳电池及其制备方法，其包括从上到下设置的第一氮化硅减
4、由上述可知，背膜的折射率影响着叠瓦电池的效率，因此如何降低叠瓦电池背膜的折射率就成为了关键。
技术实现思路
1、专利技术目的：为了降低叠瓦电池背膜的折射率，本专利技术提供一种低折叠瓦电池背膜及制造工艺。
2、技术方案：为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种低折叠瓦电池背膜，包括由内到外依次设置的氮氧化硅层、第一硅氮层、第二硅氮层、第三硅氮层，其中，所述第一硅氮层的硅氮比为1:4.6-4.9，第二硅氮层的硅氮比为1:8.9-9.1，第三硅氮层的硅氮比为1:11.7-11.9。
4、优选的：所述氮氧化硅层的硅氮比为1:6.1-6.3。
5、一种低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，包括以下步骤：
6、步骤一，将待处理叠瓦电池背膜放入第一反应炉中，在第一反应炉中通入sih4、nh3、n2o，反应时间130-150s，在待处理叠瓦电池背膜上生成氮氧化硅层。
7、步骤二，将生成氮氧化硅层的待处理叠瓦电池背膜放入第二反应炉中，在第二反应炉中通入sih4、nh3，反应时间190-210s，在氮氧化硅层上生成第一硅氮层，第一硅氮层的硅氮比为1:4.6-4.9。
8、步骤三，将生成第一硅氮层的待处理叠瓦电池背膜放入第三反应炉中，在第三反应炉中通入sih4、nh3，反应时间140-160s，在第一硅氮层上生成第二硅氮层，第二硅氮层的硅氮比为1:8.9-9.1。
9、步骤四，将生成第二硅氮层的待处理叠瓦电池背膜放入第四反应炉中，在第四反应炉中通入sih4、nh3，反应时间90-110s，在第二硅氮层上生成第三硅氮层，第三硅氮层的硅氮比为1:11.7-11.9。
10、一种叠瓦电池，包括正膜、硅基底层以及上述的低折叠瓦电池背膜，所述正膜设置于硅基底层的正面，所述低折叠瓦电池背膜设置于硅基底层的背面。
11、本专利技术通过调节各个硅氮层的硅氮含量，使得sinx材料(氮化硅材料)折射率降低，使得同样的激光开槽工序中，硅暴露的更少一些，降低激光开槽的孔径。同时提高sinx的稳定性，使得其与铝浆的反应更弱一些，进而总体上造成的线电阻上升更小一些，提高了叠瓦电池的效率。
12、本专利技术相比现有技术，具有以下有益效果：
13、本专利技术既能够降低激光开槽的孔径，降低硅基底与铝的反应，又能提升sinx的稳定性，减轻其与铝浆的化学反应，从而降低线电阻，提高了叠瓦电池的效率。
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1.一种低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求3所述低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于：第一反应炉中SiH4流量为970-1170sccm，NH3流量为6600-6800sccm，N2O流量为4600-4800sccm。
3.根据权利要求4所述低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于：第二反应炉中SiH4流量为2100-2300sccm，NH3流量为10200-10400sccm。
4.根据权利要求5所述低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于：第三反应炉中SiH4流量为1260-1460sccm，NH3流量为12100-12300sccm。
5.根据权利要求6所述低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于：第四反应炉中SiH4流量为1200-1400sccm，NH3流量为15250-15450sccm。
6.一种低折叠瓦电池背膜，其特征在于：包括由内到外依次设置的氮氧化硅层、第一硅氮层、第二硅氮层、第三硅氮层，其中，所述第一硅氮层的硅氮比为1:4.6-4.9，第二硅氮层的硅氮比为
7.根据权利要求6所述低折叠瓦电池背膜，其特征在于：所述氮氧化硅层的硅氮比为1:6.1-6.3。
8.一种叠瓦电池，其特征在于：包括正膜、硅基底层以及权利要求6所述的低折叠瓦电池背膜，所述正膜设置于硅基底层的正面，所述低折叠瓦电池背膜设置于硅基底层的背面。
...【技术特征摘要】
1.一种低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求3所述低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于：第一反应炉中sih4流量为970-1170sccm，nh3流量为6600-6800sccm，n2o流量为4600-4800sccm。
3.根据权利要求4所述低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于：第二反应炉中sih4流量为2100-2300sccm，nh3流量为10200-10400sccm。
4.根据权利要求5所述低折叠瓦电池背膜的金属化工艺，其特征在于：第三反应炉中sih4流量为1260-1460sccm，nh3流量为12100-12300sccm。
5.根据权利要求6所述低折叠瓦...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏小席，赵刚，陈实，张宇航，赵杰，张洲，李旭，任开绪，丰平，许加静，
申请(专利权)人：江苏龙恒新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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