【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高频元件，特别涉及一种适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件及生产工艺。
技术介绍
1、全球宽禁带半导体材料及器件正处于快速发展期，产品广泛应用于5g通信、轨道交通、新能源汽车及充电桩、新能源、储能、大数据中心、工控等下游领域，应用领域非常广泛。
2、宽禁带半导体是指能够在高频及微波频段工作的半导体材料，与传统的窄禁带半导体不同，宽禁带半导体具有宽大于1.7电子伏的禁带宽度，使其能够在高频和微波频段实现高功率输出。
3、在宽禁带半导体电路中的元器件需要能够在高频下具有稳定的性能，因此需要较小的分布电容和较低的电磁干扰水平，还需要良好的热量传导性能和结构稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件及生产工艺，具有较小的分布电容和较低的电磁干扰水平，还具有良好的热量传导性能和结构稳定性，能够适用于宽禁带半导体电路。
2、根据本专利技术的第一方面，提供适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，包括绕线骨架、两组绕组线圈以及磁芯，所述绕线骨架上设有分割环，所述分割环将所述绕线骨架分割为第一绕线部以及第二绕线部，两组所述绕组线圈分别绕设在所述第一绕线部和所述第二绕线部上，所述磁芯穿过所述绕组线圈且与所述绕线骨架连接，所述绕线骨架的两端设有引脚，两组所述绕组线圈分别与对应所述引脚电连接，所述绕组线圈由多股线绕制，所述绕线骨架还包括散热部，所述散热部设置在
3、根据本专利技术实施例的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，至少具有如下有益效果：
4、适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件包括绕线骨架、两组绕组线圈以及磁芯。绕线骨架上设有分割环。分割环将绕线骨架分割为第一绕线部以及第二绕线部。两组绕组线圈分别绕设在第一绕线部和第二绕线部上。磁芯穿过绕组线圈且与绕线骨架连接。绕线骨架的两端设有引脚。两组绕组线圈分别与对应引脚电连接。绕组线圈由多股线绕制。绕线骨架还包括散热部。散热部设置在绕线骨架内周。磁芯包括第一磁芯以及第二磁芯。第一磁芯和第二磁芯通过胶水粘接。第一磁芯上设有第一接触面。第二磁芯上设有第二接触面。第一接触面与第二接触面之间设有粘接结构。通过散热部能够将绕组线圈传递给绕线骨架的热量进行散热，通过散热部增加散热面积，加快元件内部热量的散发，进而适应高频电路对元件散热的压力，提升元件的适应性。并且，粘接结构能够有效的增加第一磁芯和第二磁芯的粘接强度，进一步提升元件的结构稳定性。
5、根据本专利技术第一方面所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，所述散热部包括若干散热片，所述散热片上设有若干延展凸起。
6、根据本专利技术第一方面所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，所述绕线骨架的材质为聚酰胺酸酯。
7、根据本专利技术第一方面所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，所述粘接结构包括点胶槽以及点胶凸起，所述点胶槽开设在所述第一接触面或所述第二接触面其中之一上，所述点胶凸起开设在所述第一接触面或所述第二接触面其中之一上且与所述点胶槽相对，所述点胶凸起容置于所述点胶槽中。
8、根据本专利技术第一方面所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，所述点胶槽的深度大于所述点胶凸起的高度，当所述点胶凸起容置于所述点胶槽中时，所述点胶槽内仍有容纳胶水的空腔。
9、根据本专利技术第一方面所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，所述点胶凸起包括第一侧面、第二侧面以及端面，所述第一侧面和所述第二侧面上开设有若干胶水导流槽，当所述点胶凸起容置于所述点胶槽中时，胶水通过若干所述胶水导流槽分布在所述第一侧面和所述第二侧面上。
10、根据本专利技术第一方面所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，还包括外部固定胶带，所述外部固定胶带包绕在所述第一磁芯和所述第二磁芯上，所述外部固定胶带用于进一步固定所述第一磁芯和所述第二磁芯连接。
11、根据本专利技术的第二方面，提供了适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件的生产工艺，应用了第一方面的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，包括以下步骤：
12、编制多股线，将多根单股铜线进行编织，制成多股线；
13、绕线，将多股线按设计要求缠绕在绕线骨架上；
14、浸锡，脱去端子上的漆皮，将多股线端部缠绕在端子上，随后将端子和多股线缠绕的部位浸泡在温度为300摄氏度至400摄氏度的锡液中0.1至0.3秒，完成电性连接和固定；
15、磁芯组装，将第一磁芯以及第二磁芯与绕线骨架进行组装固定；
16、屏蔽粘接，在磁芯上粘接屏蔽线或屏蔽铜箔；
17、测试，对元件进行性能测试以及外观检查；
18、包装，将元件打码后包装。
19、根据本专利技术第二方面所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件的生产工艺，在磁芯组装步骤中，首先需要在第一接触面和第二接触面加工出点胶槽以及点胶凸起，随后打磨第一接触面和第二接触面，增加胶水在第一接触面和第二接触面的附着能力，然后在第一接触面、第二接触面以及点胶槽上进行点胶，最后将第一接触面和第二接触面对接压紧，实现磁芯粘接，根据设计需求决定是否需要在粘接后的磁芯外周缠绕上外部固定胶带，对磁芯进行进一步固定。
20、根据本专利技术第二方面所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件的生产工艺，在编制多股线步骤中，对单根铜线的拉力为50n至70n。
21、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，包括：绕线骨架(10)、两组绕组线圈(20)以及磁芯(30)，所述绕线骨架(10)上设有分割环(11)，所述分割环(11)将所述绕线骨架(10)分割为第一绕线部(12)以及第二绕线部(13)，两组所述绕组线圈(20)分别绕设在所述第一绕线部(12)和所述第二绕线部(13)上，所述磁芯(30)穿过所述绕组线圈(20)且与所述绕线骨架(10)连接，所述绕线骨架(10)的两端设有引脚(14)，两组所述绕组线圈(20)分别与对应所述引脚(14)电连接，所述绕组线圈(20)由多股线(21)绕制，所述绕线骨架(10)还包括散热部(15)，所述散热部(15)设置在所述绕线骨架(10)内周；
2.根据权利要求1所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，所述散热部(15)包括若干散热片(151)，所述散热片(151)上设有若干延展凸起(151a)。
3.根据权利要求2所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，所述绕线骨架(10)的材质为聚酰胺酸酯。
4.根据权利要求1所
5.根据权利要求4所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，所述点胶槽(331)的深度大于所述点胶凸起(332)的高度，当所述点胶凸起(332)容置于所述点胶槽(331)中时，所述点胶槽(331)内仍有容纳胶水的空腔。
6.根据权利要求4所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，所述点胶凸起(332)包括第一侧面(332a)、第二侧面(332b)以及端面(332c)，所述第一侧面(332a)和所述第二侧面(332b)上开设有若干胶水导流槽(332d)，当所述点胶凸起(332)容置于所述点胶槽(331)中时，胶水通过若干所述胶水导流槽(332d)分布在所述第一侧面(332a)和所述第二侧面(332b)上。
7.根据权利要求1所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，还包括外部固定胶带(40)，所述外部固定胶带(40)包绕在所述第一磁芯(31)和所述第二磁芯(32)上，所述外部固定胶带(40)用于进一步固定所述第一磁芯(31)和所述第二磁芯(32)连接。
8.适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件的生产工艺，其特征在于，在磁芯组装步骤中，首先需要在第一接触面(311)和第二接触面(321)加工出点胶槽(331)以及点胶凸起(332)，随后打磨第一接触面(311)和第二接触面(321)，增加胶水在第一接触面(311)和第二接触面(321)的附着能力，然后在第一接触面(311)、第二接触面(321)以及点胶槽(331)上进行点胶，最后将第一接触面(311)和第二接触面(321)对接压紧，实现磁芯(30)粘接，根据设计需求决定是否需要在粘接后的磁芯(30)外周缠绕上外部固定胶带(40)，对磁芯(30)进行进一步固定。
10.根据权利要求8所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件的生产工艺，其特征在于，在编制多股线步骤中，对单根铜线的拉力为50N至70N。
...【技术特征摘要】
1.适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，包括：绕线骨架(10)、两组绕组线圈(20)以及磁芯(30)，所述绕线骨架(10)上设有分割环(11)，所述分割环(11)将所述绕线骨架(10)分割为第一绕线部(12)以及第二绕线部(13)，两组所述绕组线圈(20)分别绕设在所述第一绕线部(12)和所述第二绕线部(13)上，所述磁芯(30)穿过所述绕组线圈(20)且与所述绕线骨架(10)连接，所述绕线骨架(10)的两端设有引脚(14)，两组所述绕组线圈(20)分别与对应所述引脚(14)电连接，所述绕组线圈(20)由多股线(21)绕制，所述绕线骨架(10)还包括散热部(15)，所述散热部(15)设置在所述绕线骨架(10)内周；
2.根据权利要求1所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，所述散热部(15)包括若干散热片(151)，所述散热片(151)上设有若干延展凸起(151a)。
3.根据权利要求2所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，所述绕线骨架(10)的材质为聚酰胺酸酯。
4.根据权利要求1所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，所述粘接结构(33)包括点胶槽(331)以及点胶凸起(332)，所述点胶槽(331)开设在所述第一接触面(311)或所述第二接触面(321)其中之一上，所述点胶凸起(332)开设在所述第一接触面(311)或所述第二接触面(321)其中之一上且与所述点胶槽(331)相对，所述点胶凸起(332)容置于所述点胶槽(331)中。
5.根据权利要求4所述的适用于新型化合物半导体电路的功率磁性元件，其特征在于，所述点胶槽(331)的深度大于所述点胶凸起(332)的高度，当所述点胶凸起(332)容置于所述点胶槽(331)中时，所述点胶槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：严慧明，
申请(专利权)人：珠海科德电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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