聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法和应用技术

本发明专利技术属于聚合物薄膜领域，公开了一种聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法和应用，包括用N，N‑二甲基甲酰胺作为溶剂，配制溶质为聚偏氟乙烯和聚酰亚胺的混合体系溶液，以及将所述混合体系溶液固化成膜得到固化膜；将固化膜通过熔融消除热历史后进行结晶，得到聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜。通过添加聚酰亚胺对聚偏氟乙烯晶体进行诱导成核，且检测对比发现，在加入聚酰亚胺的聚偏氟乙烯基复合薄膜中，聚偏氟乙烯提高了γ晶型成核率。并且，整个制备过程中，仅有固化、熔融以及结晶都处理步骤，整个制备过程的反应温度低且时间短，通过制备具有介电性的多功能聚偏氟乙烯基复合薄膜，可以有效代替传统的陶瓷类介电材料薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于聚合物薄膜领域，涉及一种聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法和应用。

技术介绍

1、聚合物薄膜材料的功能化一直受到广泛的关注，由其具有特殊性能的聚合物材料成为了研究焦点。

2、聚偏氟乙烯是一种多晶型的半结晶聚合物，它最常见的晶型有三种分别为α晶型、β晶型和γ晶型。其中，α晶型聚偏氟乙烯具有优异的力学性能，可以用在电子、化工以及太阳能器件等；β晶型聚偏氟乙烯具有良好的压电及铁电效应，被广泛应用在各个领域的换能器件，如压敏器件及湿敏器件等；γ晶型聚偏氟乙烯同样具有铁电性以及压电性，并且γ晶型聚偏氟乙烯的居里温度要高于β晶型，是一种优异的耐高温柔性压电材料，可以在储存器件与智能电器等方面应用。

3、但是，目前在制备γ晶型聚偏氟乙烯时，通常需要在高温下进行，且所需要的纸杯时间较长，不利于工业化大规模生产。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法和应用。

2、为达到上述目的，本专利技术采本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，所述混合体系溶液中，溶质的质量浓度为3％～8％；其中，聚酰亚胺的质量分数为聚偏氟乙烯的1％～8％。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，所述将所述混合体系溶液固化成膜得到固化膜包括：

4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，所述并在真空烘箱中固化成膜时，真空烘箱的温度为70～100℃。

5.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，所述混合体系溶液中，溶质的质量浓度为3％～8％；其中，聚酰亚胺的质量分数为聚偏氟乙烯的1％～8％。

3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，所述将所述混合体系溶液固化成膜得到固化膜包括：

4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，所述并在真空烘箱中固化成膜时，真空烘箱的温度为70～100℃。

5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺掺杂的聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法，其特征在于，所述将固化膜通过熔融消除热历史后进行结晶包括：

6.根据权利要求5所述的聚酰亚胺掺杂的聚偏氟...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海军，赵蒙恩，刘坤，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：