【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及狭缝涂布设备，特别涉及一种涂布平台及应用其的涂布机、狭缝涂布方法。
技术介绍
1、现有的狭缝涂布设备，需要在其涂布刀对基片(硅片)进行狭缝涂布时形成液桥，以保证涂布液在硅片表面均匀涂抹形成液膜。但是，用于对硅片进行狭缝涂布的涂布刀的刀头缝隙通常很小，故其无法在涂布作业的初始时刻即形成液桥，而且，即使涂布刀等待一段时间后再执行涂布作业，由于涂布刀和吸附平台吸附支撑硅片的顶部台面是分开的，当涂步刀对支撑于顶部台面上的硅片开始涂布作业时，硅片最开始接受涂布的区域依然会出现液膜涂不满或者涂不均匀的缺陷。
2、经试验，现有的狭缝涂布设备对硅片的未涂满区域常大于0.5mm，而由于硅片的面积有限(以钙钛矿薄膜狭缝涂布常用的尺寸呈210mm×105mm的硅片为例)，且其可切割面积小于玻璃，故钙钛矿薄膜狭缝涂布工艺中通常规定对硅片的未涂满(无效)区域需要小于0.5mm。因此，现有的狭缝涂布设备在开始对硅片涂布作业时未形成液桥导致硅片未涂满区域较大，是本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种涂布平台及应用其的涂布机、狭缝涂布方法,以解决现有技术中存在的狭缝涂布设备开始对硅片涂布作业时未形成液桥导致硅片未涂满区域较大的技术问题。
2、为解决以上问题，本专利技术采用的技术方案是：
3、本专利技术提供一种涂布平台，包括：
4、基座；
5、吸附平台，设于基座顶部，吸附平台设有用于吸附基片的吸附平面，以使基片保持水
6、涂布装置，对基片进行涂布；
7、满涂结构，作为涂布装置对所述基片进行涂布作业的起点或终点，以保证基片实现满涂；
8、驱动装置，上料时驱动满涂结构远离吸附平台运动，涂布时驱动满涂结构靠近吸附平台运动。
9、进一步地，涂布平台还包括：
10、第一吹气装置，设于满涂结构面向吸附平台的一侧。
11、进一步地，涂布平台还包括：
12、定位装置，设于基座，用于定位基片。
13、进一步地，涂布平台还包括：
14、对刀装置，设于基座，用于测量涂布装置的涂布刀是否水平。
15、优选地，第一吹气装置包括：
16、一对安装套，相对间隔设置于满涂结构面向吸附平台的一侧，安装套设有安装孔，安装孔沿水平方向延伸，一对安装套的对应安装孔同轴设置；安装套还设有螺纹孔，螺纹孔垂直连通于安装孔；
17、风刀，风刀呈空心管状，且其外形与安装孔相匹配，风刀侧面设有沿风刀的轴向延伸的出风口；风刀的轴向两端分别穿设于一对安装套的对应安装孔中，并可在安装孔中旋转调整好出风口朝向后，通过螺钉穿入螺纹孔并抵紧风刀将风刀紧固。
18、优选地，基座通过多个支撑脚架设于一水平支撑面上方；
19、定位装置包括：
20、升降驱动机构，设于水平支撑面上并位于基座下方，用于驱动一对水平驱动机构竖直升降运动；一对水平驱动机构分别对应用于驱动一对活动支架在满涂结构的运动方向上的相对两侧垂直于满涂结构的运动方向靠近或远离吸附平台运动；至少一个滚轮，设于活动支架面向吸附平台的一端，滚轮的轴向为竖直方向，滚轮用于与基片的侧面滚动接触。
21、优选地，对刀装置包括：
22、对刀座，设于基座在满涂结构的运动方向上的一端；
23、水平基准面，设于对刀座顶部；
24、一对位移传感器，间隔设于水平基准面在满涂结构的运动方向上的相对两侧；
25、一对位移传感器分别对应用于检测涂布刀在满涂结构的运动方向上的相对两侧靠近水平基准面运动时将对应位移传感器下压的位移值，以计算涂布刀在满涂结构的运动方向上的相对两侧的水平度误差。
26、优选地，驱动装置包括：
27、第二吹气装置，设于基座顶部，并位于吸附平台背向满涂结构的一侧或者位于吸附平台在满涂结构的运动方向上的相对两侧，用于在涂布装置对基片进行涂布作业时，从基片的周侧将流至基片边缘的涂布液向基片内侧吹起。
28、进一步地，涂布平台还包括：
29、废液收集装置；
30、基座顶部设有可拆卸的顶板，吸附平台固定安装于顶板上；
31、顶板设有环绕于吸附平台周侧的回流槽，用于接纳涂布装置对基片进行涂布作业时从基片周侧落下的涂布液废液，并将其引流至废液收集装置。
32、本专利技术还提供一种涂布机，包括上述的涂布平台和控制装置、上料装置，控制装置用于控制涂布装置对基片进行涂布、以及控制上料装置对吸附平台进行上料。
33、本专利技术还提供一种狭缝涂布方法，狭缝涂布方法应用了上述的涂布机，包括：
34、驱动满涂结构远离吸附平台运动；
35、上料装置将基片上料于吸附平台；
36、驱动满涂结构靠近吸附平台运动，直至满涂结构与吸附平台之间形成一定间隙；
37、在满涂结构面向吸附平台的一侧安装并调整第一吹气装置的风刀，以使风刀的出风口斜向上朝向间隙；
38、涂布装置以满涂结构作为起点或终点对基片进行涂布作业，以保证基片实现满涂，并在涂布作业过程中向出风口提供风力，以使风刀向间隙吹风，防止涂布液流至基片面向吸附平台的背面。
39、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
40、本专利技术提供的涂布平台及应用其的涂布机，在吸附平台的至少一侧设置可靠近或远离吸附平台活动的满涂结构，在涂布时驱动该满涂结构靠近吸附平台运动直至二者之间形成一定间隙，在对硅片正式涂布前在满涂结构上预涂布而提前确定涂布液是否满足形成稳定液桥的涂布需求，保证后续正式涂布时硅片形成钙钛矿液膜涂布覆盖率(对硅片未涂满/无效区域小于0.5mm)；满涂结构设置风刀避免涂布过程中涂布液顺着硅片边缘流至硅片背面造成缺陷；通过定位装置实现硅片定位于吸附平台；吸附平台周侧设置回流槽实现涂布液回收。
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1.一种涂布平台，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的涂布平台，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的涂布平台，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的涂布平台，其特征在于，还包括：
5.如权利要求2所述的涂布平台，其特征在于，所述第一吹气装置包括：
6.如权利要求3所述的涂布平台，其特征在于，所述基座通过多个支撑脚架设于一水平支撑面上方；
7.如权利要求4所述的涂布平台，其特征在于，所述对刀装置包括：
8.如权利要求1-7任一项所述的涂布平台，其特征在于，所述驱动装置包括：
9.如权利要求1-7任一项所述的涂布平台，其特征在于，所述涂布平台还包括：
10.一种涂布机，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的涂布平台和控制装置、上料装置，所述控制装置用于控制所述涂布装置对所述基片进行涂布、以及控制所述上料装置对所述吸附平台进行上料。
11.一种狭缝涂布方法，其特征在于，所述狭缝涂布方法应用了如权利要求10所述的涂布机，包括：
【技术特征摘要】
1.一种涂布平台，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的涂布平台，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的涂布平台，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的涂布平台，其特征在于，还包括：
5.如权利要求2所述的涂布平台，其特征在于，所述第一吹气装置包括：
6.如权利要求3所述的涂布平台，其特征在于，所述基座通过多个支撑脚架设于一水平支撑面上方；
7.如权利要求4所述的涂布平台，其特征在于，所述对刀装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：左国军，磨建新，廖国友，顾建刚，盛江，
申请(专利权)人：常州捷佳创精密机械有限公司，
类型：发明
国别省市：
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