System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种晶片自动扫描切割方法技术_技高网

一种晶片自动扫描切割方法技术

技术编号:40552819 阅读:8 留言:0更新日期:2024-03-05 19:12
本发明专利技术涉及半导体衬底材料制造技术领域,具体公开了一种晶片自动扫描切割方法,包括以下步骤:对磷化铟晶片的切割面进行切割尺寸标记,以获得切割轨迹;采用激光扫描获取磷化铟晶片的位置和切割轨迹;利用真空吸附组件带动磷化铟晶片旋转,将金刚石切割头与切割轨迹贴合并依据切割轨迹进行切割,以在切割面上形成节理凹痕;配置取料组件抓取磷化铟晶片的切割轨迹内的部分,利用真空吸附组件将切割轨迹外的部分沿节理凹痕掰断,获得预设切割尺寸的磷化铟晶圆。本发明专利技术在提升晶片的切圆效率的同时能够降低工人的劳动强度。本发明专利技术通过对人工掰圆进行改造,能够实现晶片的自动切割,使得晶片的切圆效率大幅提升,并能降低工人的劳动强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体衬底材料制造,特别是涉及一种晶片自动扫描切割方法


技术介绍

1、磷化铟衬底(晶片)在制造高频高功率器件、光纤通信、无线传输、射电天文学等射频器件领域存在应用市场。使用磷化铟衬底制造的射频器件已在卫星、雷达等应用场景中表现出优异的性能。在雷达和通信系统的射频前端、模拟/混合信号宽带宽电路方面具有较强竞争力,适合高速数据处理、高精度宽带宽a/d转换等应用。此外,磷化铟基射频器件相关器件如低噪声放大器、模块和接收机等器件还被广泛应用于卫星通信、毫米波雷达、有源和无源毫米波成像等设备中。在100ghz以上的带宽水平,使用磷化铟基射频器件在回程网络和点对点通信网络的无线传输方面具有明显优势,未来在6g通信甚至7g通信无线传输网络中,磷化铟衬底将有望成为射频器件的主流衬底材料。但在切圆工序是一步费时费力的工序。

2、现有技术中,磷化铟衬底是采用人工切圆,员工先利用金刚石刀将不规则晶片掰成方形,再拿金刚石刀在每一片划好线一端沿节理面掰直边(成八角形)放在卡塞里进行切圆,方能进行下一晶片的操作。人工操作难度和劳动强度大,效率低下,无法满足高效的需求。


技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是:如何提升晶片的切圆效率并降低工人的劳动强度。

2、为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种晶片自动扫描切割方法,包括以下步骤:

3、提供一磷化铟晶片,对所述磷化铟晶片的切割面进行切割尺寸标记,以获得切割轨迹;

4、将已标记的所述磷化铟晶片固定在真空吸附组件上,采用激光扫描获取所述磷化铟晶片的位置和切割轨迹;

5、利用所述真空吸附组件带动所述磷化铟晶片旋转,将金刚石切割头与切割轨迹贴合并依据所述切割轨迹进行切割,以在所述切割面上形成节理凹痕;

6、配置取料组件抓取所述磷化铟晶片的切割轨迹内的部分,利用所述真空吸附组件将切割轨迹外的部分沿所述节理凹痕掰断,获得预设切割尺寸的磷化铟晶圆。

7、进一步优选地,所述真空吸附组件包括用于吸附固定磷化铟晶片的第一吸盘以及用于驱动所述第一吸盘转动的吸盘转动电机。

8、进一步优选地,所述真空吸附组件还包括外环以及第一气缸,所述外环设于所述第一吸盘的外周,所述第一气缸设于所述外环的底部并能够驱动所述外环实现升降。

9、进一步优选地,所述第一吸盘的转速分为第一阶段转速、第二阶段转速、第三阶段转速以及第四阶段转速,所述金刚石切割头在所述第一吸盘的转速从所述第一阶段转速调整至所述第二阶段转速时接触所述磷化铟晶片上的切割轨迹。

10、进一步优选地,所述第一阶段转速为20-60r/min,所述第二阶段转速为50-80r/min,所述第三阶段转速为300-600r/min,所述第四阶段转速为1000-2500r/min。

11、进一步优选地,所述第一阶段转速为40r/min,所述第二阶段转速为60r/min,所述第三阶段转速为500r/min,所述第四阶段转速为1500r/min。

12、进一步优选地,所述第一阶段转速的持续时间为5s,所述第二阶段转速的持续时间为10s,所述第三阶段转速的持续时间为20s,所述第四阶段转速的持续时间为60s。

13、进一步优选地,所述取料机构包括折弯支撑臂以及驱动所述折弯支撑臂转动的支撑臂转动电机,所述折弯支撑臂上设有第二吸盘,所述第二吸盘用于吸附所述磷化铟晶片的切割轨迹内的部分,所述第二吸盘的下表面配置有用于识别所述切割轨迹的检测传感器。

14、进一步优选地,所述切割尺寸标记为所述磷化铟晶圆的预设圆心和直径。

15、进一步优选地,所述磷化铟晶片的厚度为450~660μm。

16、本专利技术实施例一种晶片自动扫描切割方法与现有技术相比,其有益效果在于:

17、本专利技术通过对磷化铟晶片的切割面进行切割尺寸标记,以获得切割轨迹,再采用激光扫描获取所述磷化铟晶片的位置和切割轨迹,将金刚石切割头与切割轨迹贴合并依据所述切割轨迹进行切割,以在所述切割面上形成节理凹痕,最后利用所述真空吸附组件将切割轨迹外的部分沿所述节理凹痕掰断,获得预设切割尺寸的磷化铟晶圆。本专利技术通过对人工掰圆进行改造,能够实现晶片的自动切割,使得晶片的切圆效率大幅提升,并能降低工人的劳动强度。

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【技术保护点】

1.一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述真空吸附组件包括用于吸附固定磷化铟晶片的第一吸盘以及用于驱动所述第一吸盘转动的吸盘转动电机。

3.根据权利要求2所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述真空吸附组件还包括外环以及第一气缸,所述外环设于所述第一吸盘的外周,所述第一气缸设于所述外环的底部并能够驱动所述外环实现升降。

4.根据权利要求3所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述第一吸盘的转速分为第一阶段转速、第二阶段转速、第三阶段转速以及第四阶段转速,所述金刚石切割头在所述第一吸盘的转速从所述第一阶段转速调整至所述第二阶段转速时接触所述磷化铟晶片上的切割轨迹。

5.根据权利要求4所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述第一阶段转速为20-60r/min,所述第二阶段转速为50-80r/min,所述第三阶段转速为300-600r/min,所述第四阶段转速为1000-2500r/min。

6.根据权利要求5所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述第一阶段转速为40r/min,所述第二阶段转速为60r/min,所述第三阶段转速为500r/min,所述第四阶段转速为1500r/min。

7.根据权利要求5所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述第一阶段转速的持续时间为5s,所述第二阶段转速的持续时间为10s,所述第三阶段转速的持续时间为20s,所述第四阶段转速的持续时间为60s。

8.根据权利要求1所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述取料机构包括折弯支撑臂以及驱动所述折弯支撑臂转动的支撑臂转动电机,所述折弯支撑臂上设有第二吸盘,所述第二吸盘用于吸附所述磷化铟晶片的切割轨迹内的部分,所述第二吸盘的下表面配置有用于识别所述切割轨迹的检测传感器。

9.根据权利要求1所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述切割尺寸标记为所述磷化铟晶圆的预设圆心和直径。

10.根据权利要求1所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述磷化铟晶片的厚度为450~660μm。

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【技术特征摘要】

1.一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述真空吸附组件包括用于吸附固定磷化铟晶片的第一吸盘以及用于驱动所述第一吸盘转动的吸盘转动电机。

3.根据权利要求2所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述真空吸附组件还包括外环以及第一气缸,所述外环设于所述第一吸盘的外周,所述第一气缸设于所述外环的底部并能够驱动所述外环实现升降。

4.根据权利要求3所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述第一吸盘的转速分为第一阶段转速、第二阶段转速、第三阶段转速以及第四阶段转速,所述金刚石切割头在所述第一吸盘的转速从所述第一阶段转速调整至所述第二阶段转速时接触所述磷化铟晶片上的切割轨迹。

5.根据权利要求4所述的一种晶片自动扫描切割方法,其特征在于,所述第一阶段转速为20-60r/min,所述第二阶段转速为50-80r/min,所述第三阶段转速为300-600r/min,所述第四阶段转速为1000-2500r/min。

【专利技术属性】
技术研发人员:郑金龙唐勇周铁军马金峰
申请(专利权)人:广东先导微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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