发光元件及用于发光元件的胺化合物制造技术

技术编号:40551428 阅读:20 留言:0更新日期:2024-03-05 19:10
本申请提供一种发光元件及用于发光元件的胺化合物,其中所述发光元件包括第一电极、在所述第一电极上的第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个功能层,所述功能层包括由下式1表示的胺化合物,并且因此可改善发光元件的发光效率和元件寿命。式1

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施方式涉及发光元件及用于发光元件的胺化合物,并且例如,涉及在功能层中包括胺化合物的发光元件。


技术介绍

1、最近,正在积极进行有机电致发光显示装置作为图像显示装置的开发。有机电致发光显示装置包括所谓的自发光发光元件,其中从第一电极注入的空穴和从第二电极注入的电子在发射层中复合,并且因此发射层的发光材料发射光以实现显示。

2、当发光元件应用至显示装置时,需求具有高的发光效率和长的元件使用寿命的发光元件,并且不断要求或期望开发用于能够稳定得到这些特性的发光元件的材料。

3、例如,正在进行用于具有卓越的空穴传输性质和稳定性的空穴传输区的材料的开发,以便实现具有高的发光效率和长的元件使用寿命的发光元件。


技术实现思路

1、本公开的实施方式提供一种展示高效率和长使用寿命特性的发光元件以及包括在该发光元件中的胺化合物。

2、本公开的实施方式提供一种发光元件,其包括第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间并且包括由下式1表示的胺化合物的至少一个功能层:...

【技术保护点】

1.一种胺化合物,其由下式1表示,

2.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由上式1表示的所述胺化合物为单胺化合物。

3.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由上式1表示的所述胺化合物由选自下式2-1至下式2-3中的任何一个表示:

4.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由上式1表示的所述胺化合物由选自下式3-1至下式3-4中的任何一个表示:

5.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由上式1表示的所述胺化合物由选自下式4-1至下式4-4中的任何一个表示:

6.根据权利要求1所述的胺化合物,其中,在上式1中,

<p>7.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种胺化合物,其由下式1表示,

2.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由上式1表示的所述胺化合物为单胺化合物。

3.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由上式1表示的所述胺化合物由选自下式2-1至下式2-3中的任何一个表示:

4.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由上式1表示的所述胺化合物由选自下式3-1至下式3-4中的任何一个表示:

5.根据权利要求1所述的胺化合物,其中由上式1表示的所述胺化合物由选自下式4-1至下式4-4中的任何一个表示:

6.根据权利要求1所述的胺化合物,其中,在上式1中,

7.根据权利要求1所述的胺化合物,其中,在上式1中,

8.根据权利要求1所述的胺化合物,其中,在上式...

【专利技术属性】
技术研发人员:今泉拓
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1