【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，特别是涉及构成液晶显示器用驱动器ic的半导体装置。
技术介绍
1、液晶显示器用驱动器ic在其制造工序中，在硅基板上进行基于晶圆工艺的电路形成，在形成作为表面保护膜的钝化膜之后，在钝化膜上形成凸块电极。通过该凸块电极，使用cob(chip on board：板上芯片)方式、tab(tape automated bonding：卷带自动结合)方式，将驱动器ic安装于液晶面板(例如，专利文献1)。
2、另外，在用于cog(chip on glass)方式的安装的凸块电极中，也存在如下技术：通过在研磨后的绝缘膜上形成钝化膜，并对钝化膜表面进行平坦化，从而对凸块电极表面进行平坦化(例如，专利文献2)。
3、经过以下那样的制造工序来形成凸块电极。首先，实施第一绝缘膜形成工序，在通过晶圆工艺形成了金属布线的半导体基板的表面形成覆盖最上层金属布线的第一绝缘膜。接下来，执行平坦化工序，在形成覆盖第一绝缘膜的牺牲绝缘膜之后，使用cmp法等研磨牺牲绝缘膜，进行基于最上层的金属布线的凹凸的平坦化。接下来，实施第二绝缘膜形成工序，在平坦化后的第一绝缘膜以及牺牲绝缘膜的表面形成第二绝缘膜。第二绝缘膜的表面反映第一绝缘膜以及牺牲绝缘膜的表面的状态，成为平坦。
4、在形成第二绝缘膜后，在第二绝缘膜上形成具有开口部的抗蚀剂。抗蚀剂的开口部设置于连接凸块电极的最上层金属布线的上部的位置。接下来，使用蚀刻法对第二绝缘膜以及牺牲绝缘膜进行蚀刻，形成使最上层金属布线露出的开口部。实施ubm膜形成工序，在使用灰
5、接下来，实施镀覆金属形成工序，使用电镀法形成镀覆金属。然后，经过抗蚀剂的除去工序、ubm膜的除去工序，形成凸块电极。
6、专利文献1：日本特开平11-31698号公报
7、专利文献2：日本特开2009-117761号公报
8、如上述那样，凸块电极通过在半导体基板形成ubm膜后，在ubm膜上形成具有开口部的抗蚀剂，使用电镀法形成镀覆金属而形成。此时，若在开口部内附着了异物等的状态下进行电镀，则镀覆金属生长为所希望以上的高度，形成所希望的高度以上的凸块电极。若将形成有这样的所希望的高度以上的凸块电极的驱动器ic以cob方式安装于液晶面板，则凸块电极冲破液晶面板侧的电极，有可能产生损伤液晶面板的不良状况。
9、为了防止这样的不良状况的产生，在通过电镀形成凸块电极之前，设置检查抗蚀剂的开口部内的异物的有无的异物检查工序，拒绝存在异物的驱动器ic。然而，在将表面被平坦化后的第二绝缘膜上形成镀覆金属的情况下，专利技术人确定产生以下那样的问题。
10、异物检查工序在镀覆金属形成工序之前实施。通常，在异物检查工序中使用的异物检查装置通过识别覆盖金属布线的绝缘膜的凹凸图案或者透过绝缘膜而识别的金属布线图案中的独特的图案并进行对准，从而确定异物检查区域。但是，在将第二绝缘膜的表面平坦化的情况下，与形成于第二绝缘膜以及第一绝缘膜的下层的最上层金属布线相应的凹凸图案没有显示在第二绝缘膜的表面，因此无法进行使用了凹凸图案的对准。另外，由于形成在第二绝缘膜上的ubm膜是不透过膜，因此无法隔着ubm膜使用最上层金属布线的布线图案进行异物检查装置的对准。
11、即，在上述那样的半导体装置的制造工序中，在形成凸块电极之前进行异物检查的情况下，在第二绝缘膜的表面被平坦化且形成作为不透过膜的ubm膜的状态下，无法进行异物检查装置的对准，因此存在无法确定异物检查区域，而无法进行凸块电极的形成位置即抗蚀剂的开口部内的异物检查的问题点。
技术实现思路
1、本专利技术是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供能够在形成凸块电极之前进行异物检查装置的对准的半导体装置。
2、本专利技术所涉及的半导体装置的特征在于，具备：半导体基板，在表面设置有金属布线；绝缘膜，覆盖上述半导体基板的表面；以及多个电极，配置在上述绝缘膜上，并且具有相互相同的平面形状，上述绝缘膜具有多个开口部，与上述多个电极各自的下表面相面对地分别形成上述多个开口部，并且上述多个开口部使上述金属布线露出，上述多个开口部包括：具有第一平面形态的第一开口部、以及具有与上述第一平面形态不同的第二平面形态的第二开口部。
3、另外，本专利技术所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于包括：在设置有金属布线的半导体基板的表面形成绝缘膜的工序，上述绝缘膜具有多个开口部，上述多个开口部使上述金属布线露出，并且包括具有第一平面形态的第一开口部以及具有与上述第一平面形态不同的第二平面形态的第二开口部；以及异物检查工序，使用上述第二开口部进行检查装置的对准，并使用上述检查装置检查上述半导体基板的表面中的异物的有无。
4、根据本专利技术所涉及的半导体装置，能够在形成凸块电极之前进行用于异物检查的检查装置的对准。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
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