【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及气体纯化领域，尤其涉及一种用于溴化氢纯化的气体分离膜及其制备方法。
技术介绍
1、伴随半导体行业的快速发展，半导体蚀刻用的电子化学品成为影响蚀刻精度的重要因素。以高纯度的溴化氢作为蚀刻气体的等离子蚀刻技术能够通过控制被蚀刻物质的温度达到精确的蚀刻精度，因此高纯溴化氢多用于半导体掺磷的n型多晶硅、掺磷的单晶硅或者二维半导体的刻蚀，是新一代芯片先进制程的核心气体之一。
2、目前已知的溴化氢合成工艺主要有：燃烧法、赤磷法、硫磺法、氨气法、三氟甲烷—溴素合成法。溴素-氢气燃烧法是利用溴素和氢气燃烧产生溴化氢的方法，该法可以得到较为纯净的溴化氢气体，但是燃烧温度比较高，燃烧装置较复杂；赤磷法是溴素与赤磷在浓溴酸介质中原位反应生成溴化磷，后者水解产生溴化氢气体和亚磷酸，但该反应杂质组分多，反应使用易燃易爆的磷，增加反应风险，且反应过程中产生大量亚磷酸和水分，对后续管路有腐蚀，后续提纯复杂；硫磺法是溴素与硫磺在水的加入下制取溴化氢，该方法产物中有硫酸，容易腐蚀管路，后续处理复杂，且硫磺属于易燃易爆品，不易储存；氨气法是将溴素和氨气在陶瓷小球反应器制得溴化氢，该法得到的溴化氢杂质较多，反应比较复杂，且氨气属于有毒气体，存储风险较大；三氟甲烷—溴素合成法是将氟甲烷和溴气混合、预热，混合气进入管式反应器进行反应合成，该法主要产品为三氟溴甲烷，副产品为溴化氢，用于制备溴化氢存在溴素利用率低，反应条件难以控制，产品杂质较多等问题。
3、高纯溴化氢生产工艺主要来源于日本，国外主要的生产厂家有日本昭和电工、大阳日酸、美
技术实现思路
1、本专利技术技术方案针对现有溴化氢纯化技术中工艺复杂、污染严重、难以有效降低溴化氢气体含水量等技术难题，提供一种用于溴化氢纯化的气体分离膜及其制备方法。
2、本专利技术的主要目的在于：
3、一、能够改变膜内部空间结构，提高过滤效果；
4、二、具备水稳定性、耐酸蚀，能够高效地过滤水分子；
5、三、具备较低的过滤浓度阈值，能够对较高浓度的溴化氢进一步纯化。
6、为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案。
7、一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，
8、所述方法包括：
9、（1）将有机分子砌块a、酚类化合物、对羟基苯甲醛和冰醋酸按比例混合，加热反应，干燥，制备基材填料；
10、（2）将金属卤化物、有机分子砌块b和无机碱按比例混合为混合物，将混合物溶解在乙醇溶液中，超声反应，加热、过滤、干燥，制备分散剂；
11、（3）将基材、基材填料、分散剂和衔接剂按比例熔融混合，冷却至室温后进行梯度升温，制得用于溴化氢纯化的气体分离膜。
12、作为优选，
13、步骤（1）所述有机分子砌块为苯偶酰；
14、步骤（1）所述酚类化合物为对羟基苯胺；
15、步骤（1）所述有机分子砌块、酚类化合物、对羟基苯甲醛和冰醋酸按5：（2.9～3.1）：（2.9～3.1）：（3.5～3.7）的质量比混合均匀。
16、作为优选，
17、步骤（1）所述加热反应在140～160 ℃的温度环境下反应10～14 h。
18、作为优选，
19、步骤（2）所述金属卤化物为氯化镍；
20、步骤（2）所述有机分子砌块b为均苯四甲酸；
21、步骤（2）所述无机碱为氢氧化钾；
22、步骤（2）所述金属卤化物、有机分子砌块b和无机碱按2：（08～1.2）：（0.2～0.3）的质量比混合均匀。
23、作为优选，
24、步骤（2）所述乙醇溶液添加量为混合物体积的300～400 %vol，其中所用的乙醇溶液浓度≥50 %；
25、步骤（2）所述超声反应进行15～25 min，随后于140～160 ℃条件下反应8～10 h。
26、作为优选，
27、步骤（3）所述基材为聚醚酰亚胺；
28、步骤（3）所述衔接剂为类石墨相氮化碳；
29、步骤（3）所述基材、基材填料、分散剂和衔接剂按5：（1.7～1.9）：（1.4～1.6）：0.5的质量比熔融混合。
30、作为优选，
31、步骤（3）所述熔融混合在240～250 ℃的条件下恒温搅拌10～12 h。
32、作为优选，
33、步骤（3）所述梯度升温为依次升温至115～125 ℃、175～185℃、215～225 ℃，并在各个温度阶段分别保持25～35 min恒温处理。
34、一种用于溴化氢纯化的气体分离膜。
35、对于本专利技术技术方案而言，核心之处在于使用混合基质膜对溴化氢进行纯化。混合基质膜结合传统聚合物膜与无机膜的优势，在本专利技术技术方案中以金属有机填料作为分散相、类石墨相氮化碳作为衔接相、多芳基咪唑作为基材填料，对以聚醚酰亚胺为基材的聚合物膜进行性能改性。
36、本专利技术技术方案中金属有机填料能够构成以均苯四甲酸为框架的金属有机骨架材料，利用骨架结构中的不饱和配位键、金属位点和有机配体对氧气、氮气、水等简单氧化物具有优先吸附能力与化学惰性。本专利技术技术方案提供的金属有机填料通过自组装在分离膜内部形成开放骨架的晶态致密多孔结构，孔径大小受类石墨氮化碳聚合界面的影响，限制孔道直径在0.3～0.5 nm之间，由于溴化氢气体分子的动力学直径要远大于氧气、氮气和水等简单气体化合物的动力学直径，而限制孔道直径后能够产生一定的分离过滤效果、对大动力学直径的溴化氢气体分子进行阻拦，从而达到分离纯化效果。当溴化氢自身具备较高的浓度时，气体纯化需要凭借本方案分离膜的另一机制进行。为方便说明，本专利技术中上下游指气体流向的上下游，气体由上游流向下游。混合气体首先被吸附在分离膜的表面，在分离膜表面富集后，由于金属有机骨架与类石墨氮化碳聚合物的接枝下与其他组分的界面之间存在大量可交换阴离子（-oh、-nh2等），产生大量亲核位点，能够与氧气、氮气、水等简单化合物产生吸附效果，在吸附效果的推动下，氧气、氮气、水等简单氧化物的气体分子开始向分离膜的下游侧扩散，最后离开分离膜，形成高浓度溴化氢的进一步纯化。在本专利技术技术方案中通过对金属有机填充物进行官能团修饰，可以使得由其组成的骨架结构中产生对氧气本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1或4所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1或6所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
9.一种由权利要求1至8任一方法所制得的用于溴化氢纯化的气体分离膜。
【技术特征摘要】
1.一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的一种用于溴化氢纯化的气体分离膜的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1或4所述的一种用于溴化氢纯化...
【专利技术属性】
技术研发人员：谈益强，施天翔，秦远望，甘华平，范广鹏，李胜帅，张晓斌，
申请(专利权)人：浙江陶特容器科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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