【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体的，具体涉及一种沟槽型金氧半场效晶体管、其制作方法和应用。
技术介绍
1、碳化硅功率器件因其卓越的高压、高频、高温和高功率密度等器件特性，近年来在高效电能转换领域得到了迅速发展。
2、就结构上来说，碳化硅金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)具有平面型和沟槽型两种。沟槽型功率mosfet器件具有集成度高、导通电阻低、开关速度快、开关损耗小等优点，几乎在低压和高压领域全面地替代了平面型功率mosfet器件，成为了相关应用的主流。随着应用领域的广泛扩展及设备性能的不断提升，人们对更低导通电阻的沟槽型功率mosfet器件的需求也越来越高。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的在于提供一种沟槽型金氧半场效晶体管、其制作工艺和应用，以解决现有技术中如何提高金氧半场效晶体管器件的击穿电压和降低导通损耗的技术问题。
2、为实现上述目的，提出了本申请。
3、第一...
【技术保护点】
1.一种沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于：在所述沉积导体材料层于所述沟槽内，所述导体材料层和所述沟槽之间形成第二绝缘材料层，形成栅极之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于：所述体区通过所述源极接触孔和所述金属层相连接。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于：所述形成N型碳化硅外延层于碳化硅外延层上，在所述N型碳化硅外延层刻蚀多个间隔设置的阶梯槽，...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于：在所述沉积导体材料层于所述沟槽内，所述导体材料层和所述沟槽之间形成第二绝缘材料层，形成栅极之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于：所述体区通过所述源极接触孔和所述金属层相连接。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于：所述形成n型碳化硅外延层于碳化硅外延层上，在所述n型碳化硅外延层刻蚀多个间隔设置的阶梯槽，至少包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的沟槽型金氧半场效晶体管的制作方法，其特征在于：所述阶梯槽呈上宽下窄的结构。
...【专利技术属性】
技术研发人员：柯行飞，李道会，
申请(专利权)人：蔚来动力科技合肥有限公司，
类型：发明
国别省市：
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