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本申请属于半导体的技术领域，本申请提供一种沟槽型金氧半场效晶体管、其制作方法和应用，所述方法包括：形成N型碳化硅外延层于碳化硅外延层上，在所述N型碳化硅外延层刻蚀多个间隔设置的阶梯槽形成N区；填充P型碳化硅外延层至所述阶梯槽内形成P型柱；在...
该专利属于蔚来动力科技（合肥）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过蔚来动力科技（合肥）有限公司授权不得商用。

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