一种金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件及制备方法技术

一种金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件及制备方法，所述金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件为复合多层结构，所述复合多层结构由上至下分别为：顶电极基底层、着色层、顶电极层、电解质层、底电极层、底电极基底层；该制备方法包括制备着色层和顶电极、制备凝胶电解质层、制备底电极和组装。本发明专利技术提供的器件能够实现兼容可见光、红外和微波雷达频段的多频谱反射调控，调控频段宽，结构简单。本发明专利技术提供的制备方法工艺简单，制备周期短，制备面积可扩大，成本相对低廉，可用于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多功能材料/器件，尤其涉及一种金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件及制备方法。

技术介绍

1、利用活性材料实现对电磁波的灵活调控是电磁隐身领域的常见手段。常用的活性材料包括相变材料如gst和vo2，光敏材料如si和gaas等半导体，以及电可调材料如液晶、集总元件、石墨烯等。但是受限于活性材料普遍存在的波长依赖性，上述材料的工作频段一般限制在可见光、红外或微波的某一频段，无法做到可见光、红外和微波雷达兼容的多频谱调控。

2、目前，能够实现多频谱兼容调控的技术手段主要包含以下两种：

3、1.金属可逆电沉积多频谱可调器件：目前，金属可逆电沉积器件的调控频段主要集中在可见光和红外频段，并且已报道可以实现可见光和红外频段的兼容调控，但是该技术在微波频段的调控未见报道。

4、2.石墨烯多频谱可调器件：石墨烯在可见光、红外和微波频段的调控的应用均有报道，并且可以实现从可见光到微波频段的可逆调谐，但是受限于石墨烯方阻的调控范围，其调控频段范围并未涵盖常见的微波雷达频段，如x和ku频段。

5、因此，仍旧缺乏一种能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件，其特征在于，所述金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件为复合多层结构，所述复合多层结构由上至下分别为：顶电极基底层、着色层、顶电极层、电解质层、底电极层、底电极基底层；所述顶电极基底的介电常数为ε，对应取值范围为5≤ε≤8；所述顶电极基底层的厚度为d1，对应取值范围为1.90mm≤d1≤2.10mm，所述着色层厚度为100～500nm，所述电解质层厚度为d2，对应取值范围为1.50mm≤d2≤1.80mm。

2.如权利要求1所述的金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件，其特征在于，所述顶电极层的方阻为x，对应取值范围为200Ωsq-1...

【技术特征摘要】

1.一种金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件，其特征在于，所述金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件为复合多层结构，所述复合多层结构由上至下分别为：顶电极基底层、着色层、顶电极层、电解质层、底电极层、底电极基底层；所述顶电极基底的介电常数为ε，对应取值范围为5≤ε≤8；所述顶电极基底层的厚度为d1，对应取值范围为1.90mm≤d1≤2.10mm，所述着色层厚度为100～500nm，所述电解质层厚度为d2，对应取值范围为1.50mm≤d2≤1.80mm。

2.如权利要求1所述的金属可逆电沉积多频谱反射动态可调器件，其特征在于，所述顶电极层的方阻为x，对应取值范围为200ωsq-1≤x≤350ωsq-1；所述底电极层为导电物质，底电极层的方阻为y，对应取值范围为y≤10ωsq-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东青，孟真，程海峰，祖梅，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：