【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光学膜，具体涉及一种偏光板及其制备方法。
技术介绍
1、偏光板的基本结构除了最中间的pva(聚乙烯醇)，还包含两层pva保护层。其中，起到偏振作用的是pva层；但是pva极易水解，为了保护偏光膜的物理特性，一般在pva的两侧各复合一层具有高光透过率、耐水性较好又有一定机械强度的光学薄膜作为pva保护层，这就形成了偏光板原板。目前偏光板中作为pva保护层的光学薄膜有tac(三醋酸纤维素)、pmma(聚甲基丙烯酸甲酯)、pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、cop(环戊烯)等。
2、主流的ips面板用疏水性偏光板大多使用pmma膜，现有技术中的pmma膜为防止粘连并与pva更好的粘合，在拉伸前在pmma膜表面上涂布水性primer涂料，而由该工艺制备的pmma膜与pva复合时需要使用uv胶，uv胶粘合力差，有剥离的风险。此外，由水性primer涂料制备的pmma膜膜面容易凹凸不良，且雾度偏高，进一步影响了偏光板的物理和光学特性。
3、因此，开发一种具有优异物理和光学特性的偏光板，是业内亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种偏光板，其具有优异的物理和光学特性，且提供了一种简单的制备方法，省去了胶水的涂布、贴合、干燥、固化步骤，成本低。
2、为实现上述目的，本申请提供了一种偏光板，包括pva偏光子膜，所述pva偏光子膜包括相对的第一表面和第二表面，还包括分别贴合于所述pva偏光子膜的第一表面和所述p
3、作为本申请进一步的改进，所述第一热熔胶底涂层由po、eva中的任意一种制备而成，所述第二热熔胶底涂层由po、eva中的任意一种制备而成。
4、作为本申请进一步的改进，所述第一热熔胶的固含量为100％，其熔点为70℃～120℃；所述第二热熔胶的固含量为100％，其熔点为70℃～120℃。
5、作为本申请进一步的改进，所述第一热熔胶的熔点为80℃～110℃；所述第二热熔胶的熔点为80℃～110℃。
6、作为本申请进一步的改进，所述第一pmma基膜的厚度为30μm～80μm，所述第一热熔胶底涂层的厚度为0.5μm～2μm；所述第二pmma基膜的厚度为30μm～80μm，所述第二热熔胶底涂层的厚度为0.5μm～2μm。
7、为实现上述目的，本申请还提供了一种偏光板的制备方法，包括如下步骤：s1、制备pva偏光子膜，备用，所述pva偏光子膜具有相背的第一表面和第二表面；s2、首先，将outer亚克力膜和inner亚克力膜分别放卷进行预热，然后将所述outer亚克力膜和所述inner亚克力膜分别热贴合到所述偏光子膜的第一表面和所述偏光子膜的第二表面，最后，进行退火处理，得到复合内保护膜的原反偏光板；s3、在原反偏光板的贴合outer亚克力膜的表面贴合pet保护膜，在原反偏光板的贴合inner亚克力膜的表面贴合离型膜，然后裁切、磨边处理，得到成品偏光板。
8、作为本申请进一步的改进，步骤s2中，所述预热的过程中采用具有四段温度区间的干燥箱进行预热，第一段温度区间的温度为75℃～80℃，第二段温度区间的温度为85℃～95℃，第三段温度区间的温度为95℃～110℃，第四段温度区间的温度为110℃～120℃，所述干燥箱的长度为24m，所述放卷的速度为0.6m/s～1m/s。
9、作为本申请进一步的改进，步骤s2中，所述热贴合的过程中采用的是两组及两组以上串联方式的热贴合辊。
10、作为本申请进一步的改进，所述热贴合的温度为70℃～130℃，所述热贴合的时间为5s～30s，所述热贴合的压力为1.0kgf/m2～3.0kgf/m2；优选的，所述热贴合的温度为80℃～120℃。
11、作为本申请进一步的改进，步骤s2中，所述退火的温度为50℃～100℃，所述退火的时间为10s～50s；优选的，所述退火的温度为60℃～90℃，所述退火的时间为20s～40s。
12、本申请的有益效果在于：
13、1、提供了一种偏光板，该偏光板包括pva偏光子膜以及分别贴合于pva偏光子膜两侧表面上的outer亚克力膜和inner亚克力膜，outer亚克力膜包括第一pmma基膜以及设于第一pmma基膜的一侧表面上的由热熔胶制备而成的第一热熔胶底涂层，第一热熔胶底涂层紧邻pva偏光子膜的第一表面，inner亚克力膜包括第二pmma基膜以及设于第二pmma基膜的一侧表面上的由热熔胶制备而成的第二热熔胶底涂层，第二热熔胶底涂层紧邻pva偏光子膜的第二表面。outer亚克力膜和inner亚克力膜分别与pva偏光子膜具有优异的黏着力，outer亚克力膜和inner亚克力膜具有良好的透过率和较低的雾度，进而使偏光板具有良好的物理和光学特性；
14、2、提供了一种偏光板的制备方法，pva偏光子膜与outer亚克力膜和inner亚克力膜通过热贴合即可贴合在一起，不需要胶水，省却了涂布工艺，提高了偏光板的生产效率。且热贴合工艺使pva偏光子膜与outer亚克力膜和inner亚克力膜之间的粘结强度更高，无剥离发泡风险，使制得的偏光板具有优异的光学性能，适用于ips面板。
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1.一种偏光板，包括PVA偏光子膜，所述PVA偏光子膜包括相对的第一表面和第二表面，其特征在于，还包括分别贴合于所述PVA偏光子膜的第一表面和所述PVA偏光子膜的第二表面上的outer亚克力膜和inner亚克力膜，在所述outer亚克力膜的远离所述PVA偏光子膜的表面贴合PET保护膜，在所述inner亚克力膜的远离所述PVA偏光子膜的表面贴合离型膜，
2.根据权利要求1所述的偏光板，其特征在于，所述第一热熔胶底涂层由PO、EVA中的任意一种制备而成，所述第二热熔胶底涂层由PO、EVA中的任意一种制备而成。
3.根据权利要求1所述的偏光板，其特征在于，所述第一热熔胶的固含量为100％，其熔点为70℃～120℃；所述第二热熔胶的固含量为100％，其熔点为70℃～120℃。
4.根据权利要求3所述的偏光板，其特征在于，所述第一热熔胶的熔点为80℃～110℃；所述第二热熔胶的熔点为80℃～110℃。
5.根据权利要求1所述的偏光板，其特征在于，所述第一PMMA基膜的厚度为30μm～80μm，所述第一热熔胶底涂层的厚度为0.5μm～2μm；所
6.一种权利要求1-5任意一项所述的偏光板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
7.如权利要求6所述的偏光板的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述预热的过程中采用具有四段温度区间的干燥箱进行预热，第一段温度区间的温度为75℃～80℃，第二段温度区间的温度为85℃～95℃，第三段温度区间的温度为95℃～110℃，第四段温度区间的温度为110℃～120℃，所述干燥箱的长度为24m，所述放卷的速度为0.6m/s～1m/s。
8.如权利要求6所述的偏光板的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述热贴合的过程中采用的是两组及两组以上串联方式的热贴合辊。
9.如权利要求8所述的偏光板的制备方法，其特征在于，所述热贴合的温度为70℃～130℃，所述热贴合的时间为5S～30S，所述热贴合的压力为1.0Kgf/㎡～3.0Kgf/㎡；优选的，所述热贴合的温度为80℃～120℃。
10.如权利要求6所述的偏光板的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述退火的温度为50℃～100℃，所述退火的时间为10S～50S；优选的，所述退火的温度为60℃～90℃，所述退火的时间为20S～40S。
...【技术特征摘要】
1.一种偏光板，包括pva偏光子膜，所述pva偏光子膜包括相对的第一表面和第二表面，其特征在于，还包括分别贴合于所述pva偏光子膜的第一表面和所述pva偏光子膜的第二表面上的outer亚克力膜和inner亚克力膜，在所述outer亚克力膜的远离所述pva偏光子膜的表面贴合pet保护膜，在所述inner亚克力膜的远离所述pva偏光子膜的表面贴合离型膜，
2.根据权利要求1所述的偏光板，其特征在于，所述第一热熔胶底涂层由po、eva中的任意一种制备而成，所述第二热熔胶底涂层由po、eva中的任意一种制备而成。
3.根据权利要求1所述的偏光板，其特征在于，所述第一热熔胶的固含量为100％，其熔点为70℃～120℃；所述第二热熔胶的固含量为100％，其熔点为70℃～120℃。
4.根据权利要求3所述的偏光板，其特征在于，所述第一热熔胶的熔点为80℃～110℃；所述第二热熔胶的熔点为80℃～110℃。
5.根据权利要求1所述的偏光板，其特征在于，所述第一pmma基膜的厚度为30μm～80μm，所述第一热熔胶底涂层的厚度为0.5μm～2μm；所述第二pmma基膜的厚度为30μm～80μm，所述第二热熔胶底涂层的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：鲁若娜，张良宝，陈俊铭，严兵华，黄源，
申请(专利权)人：福州恒美光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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